${Li_2}{CO_3}$ and MgO doped paraelectric ${Ba_{0.5}}{Sr_{0.5}}{TiO_3}$, materials were prepared and compared for LTCC applications. In these days LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) technology has been widely employed for electronic modules for the communication systems such as front-end modules, antenna modules, and switching modules. In this paper, 1 ${\sim}$ 5 wt % of ${Li_2}{CO_3}$, and 30 wt % of MgO were added to ${Ba_{0.5}}{Sr_{0.5}}{TiO_3}$, respectively. The crystalline properties and electrical properties will be compared and discussed.

Using the $(Ba_{0.5}Sr_{0.5}){TiO_3}$(BST) powders prepared by the Sol-Gel method, the EST thick films were fabricated on the ${Al_2}{O_3}$ substrates coated with Pt by the screen printing method. Compared with pure EST thick films, the structural and dielectric properties of the EST thick films doped with 1${\sim}$10 wt % MgO were investigated. It was observed that the Mg substitution into EST causes a shift in the cubic-tetragonal EST phase transition peak to a lower temperature. The microstructure of the EST substituted with Mg was homogeneous and dense. Mg substitution into EST had a significant effect on the grain size reduction. Dielectric constant was decreased with increasing the MgO content and temperature. In the case of EST thick films doped with 1 wt% MgO, the relative permittivity and dielectric loss were 158] and 1.4 % at 1 MHz.

$(BaSr)TiO_3$ thick films were prepared by tape casting method using $BaTiO_3$ and $SrTiO_3$ powder slurry in order to investigate dielectric properties and low temperature sintering. Sintering density was $5.7\;g/cm^3$ and the BST sample exhibited the maximum dielectric constant, tunability at temperatures near phase transition point. The dielectric constant was increased and curie temperature was shifted to higher temperature with increasing of annealing temperature.

The azobenzene dendrimer is one of the dendrimeric macromolecules that include the azo-group exhibiting a photochromic character. Due to the presence of the charge transfer element of the azo-group and its rod-shaped structure, these compounds are expected to have potential interest in electronics and photoelectronics, especially in nonlinear optics. In the present paper, we give pressure stimulation to organic thin films and detect the induced displacement current. Functional photoisometrization organic molecular the photo-stimulus to organic monomolecular L films and LB films of dendrimer and SASH were performed. The SASH organic monolayer in case of pressure stimulus occurred that positive course but in case of the photo-stimulus compared positive and negative. It is assumed that generation forms of displacement current were measured when photo-stimulus for impression.

The physical properties of DMPC monolayer were made for dielectric relaxation phenomena by the detection of the surface pressures and displacements current. The current was measured after the electric bias across the manufactured MIM device. It is found that the phospolipid monolayer of dielectric relaxation takes a little time and depend on the molecular area. When electric bias is applied across the manufactured MIM device by the deposition condition of phospolipid mono-layer, it wasn't breakdown when the higher electric field to impress by increase of deposition layers.

제조공정상에서 발생하는 공정 변수에 의한 제품의 수준별 제품에 대하여 인가 전압별 절연저항 측정 및 내전압 측정 결과 내전압이 낮은 제품군에서 절연저항이 낮게 나타났으며 산포도 크게 나타남을 확인 할 수 있었다. PCT 시험 후의 유전 특성은 경우 용량의 변화율은 상승한 반면 제품군에 따른 용량 변화율의 크기는 작은 반면에 유전손실의 경우 PCT 실험후 변화율이 크게 나왔으며 이와같은 결과는 신뢰성 측면에서 취약할 수 있음을 보여주고 있다.

적외선 이미지 센서용으로 사용되는 마이크로 볼로미터 센서는 process variation으의 인하여 모든 볼로미터 센서의 셀이 정확한 저항값을 갖지 못하여 입력신호에 왜곡을 가져 온다. 본 논문에서는 적외선 이미지 센서용 CMOS 검출회로를 설계하는 데 있어, 이러한 볼로미터 셀 어레이의 고정패턴잡음(Fixed Pattern hoise)을 최소화하는 방법에 대해 연구하였다. 기존의 단일 입력 방식 검출회로는 볼로미터 셀어레이의 고정패턴잡음을 보정하기 위하여 추가적인 보정 회로를 필요로 하였다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 본 논문에서는 차동 입력 방식 검출회로를 제안하였으며, 이를 적용하여 출력을 살펴본 결과 추가적인 보정회로 없이 20%의 노이즈 감쇠효과를 얻을 수 있다. 연구 결과를 바탕으로 32${\times}$32 크기를 갖는 셀어레이의 볼로미터를 구성하여 전체 칩을 설계하였으며 컴퓨터 시물레이션을 통해 결과를 분석하였다.

In this study, dielectric properties of the ${Mg_5}{B_4}{O_{15}}$ (B=Ta, Nb) cation-deficient perovskite ceramics and its oscillator application are investigated. The cation-deficient perovskite ceramics are prepared through the solid-state route. According to the XRD pattern, ${Mg_4}{Ta_2}{O_9}$ and $Mg{Ta_2}{O_6}$ phase existed in calcined and sintered ${Mg_5}{Ta_4}{O_15}$ powder. Also ${Mg_5}{Ta_4}{O_{15}}$ phase added with increasing sintering temperature. In the case of calcined and sintered ${Mg_5}{Nb_4}{O_{15}}$ powder, single phase of ${Mg_5}{Nb_4}{O_{15}}$ is appeared. In the case of the ${Mg_5}{Ta_4}{O_{15}}$ and ${Mg_5}{Nb_4}{O_{15}}$ ceramics sintered at $1450^{\circ}C$ for 5h, the dielectric constant, quality factor, and temperature coefficient of the resonant frequency (TCRF) were 8.2, 259,473 GHz, $-10.91ppm/^{\circ}C$ and 14, 37,350 GHz, $-52.3\;ppm/^{\circ}C$, respectively. Simulated DR with ${Mg_5}{Ta_4}{O_{15}}$ ceramics had the operating frequency of 10.99 GHz and S(2,1) of -29.795 dB. Size of manufactured oscillator was $56{\times}48{\times}34\;mm^3 and operated at 11.93 GHz. Power output and second harmonic of oscillator were +13.61 dBm and -23.81 dBc at 23.85 GHz, respectively.

In this study, structural and microwave dielectric properties of the ${Ba_5}{B_4}{O_{15}}$ (B=Ta, Nb} cation-deficient perovskite ceramics with sintering temperature were investigated. All sample of the ${Ba_5}{B_4}{O_{15}}$ (B=Ta, Nb) ceramics prepared by conventional mixed oxide method and sintered at $1325^{\circ}C{\sim}1575^{\circ}C$. The bulk density and dielectric constant of the ${Ba_5}{Ta_4}{O_{15}}$ ceramics were increased continuously with increasing of sintering temperature. And the bulk density and dielectric constant of the ${Ba_5}{Nb_4}{O_{15}}$ ceramics was increased in $1375^{\circ}C{\sim}1400^{\circ}C$ but decerased in $1425^{\circ}C$. In the case of ${Ba_5}{Ta_4}{O_{15}}$ ceramics sintered at $1475^{\circ}C$ and ${Ba_5}{Nb_4}{O_{15}}$ ceramics sintered at $1400^{\circ}C$, The dielectric constant and quality factor, and temperature coefficient of the resonant frequency (TCRF) were 25.15, 53,105 GHz, $-3.06\;ppm/^{\circ}C$ and, 39.55, 28,052 GHz, $5.7\;ppm/^{\circ}C$ respectively.

A new current-driving pixel circuit for active-matrix organic light-emitting diodes (AMOLEDs), composed of four organic thin-film transistors (OTFTs) and one capacitor, is proposed using a current scaling method. Designing pixel circuits with OTFTs has many problems due to the instability of the OTFT parameters with still unknown characteristics of the material. Despite the problems in using OTFTs to drive the pixel circuit, our work could be set as a goal for future OTFT development. The simulation results show enhanced linearity between input data and OLEO luminescence at low current levels as well as successfully compensating the variation of the OTFTs, such as the threshold voltage and mobility.

In this paper, ZnO thin films were prepared on p-Si(100) by RF magnetron sputtering. Before the depostion, the substrates were pre-heated to 500, 400, 300, $200^{\circ}C$ or not. During the deposition, the substrates were cooled down naturally or kept and then the films were investigated by XRD(X-ray diffraction) and SEM (scanning micro scope). It is showed the most outstanding result that the film was prepared on the substrate were cooled from $400^{\circ}C$. When the substrate was cooled from a certain temperature during deposition, it could be improve the c-axis orientation and useful for application of SAW(surface acoustic wave) filter and FBAR(film bulk acoustic wave resonator) device.

구리와 강철의 성질을 혼합한 것과 같은 우수한 성질을 갖고 있어서 열전도율이 좋고 내마모성이 뛰어난 베릴륨동 기판(BeCu foil)에 대한 식각 특성에 관하여 연구하였다. 일반적으로 베결륨구리에 대한 식각용액은 염화제이철($FeCl_3$)이 널리 알려져 있으며, 이 용액은 농도와 온도에 따라 식각시간이 달라지게 되어 식각되는 면의 상태가 영향을 받게 된다. 염화제이철의 농도를 변화시켜 본 결과 염화제이철의 농도가 증가할수록 식각률이 증가하였고, 염화제이철에 염산(HCI)을 첨가한 결과 식각률이 증가함을 알 수 있었다. 이는 염화제이철의 성분 중에서 염산(HCl)의 농도가 식각률에 영향을 미치고 있음을 나타낸다. 또한 염화제이철의 온도가 $40^{\circ}C$일때 식각률이 가장 우수하며 식각되는 면의 상태가 매우 양호해지고 각각 되는 면의 각도도 수직에 가까워진다.

To improve Mechanical and Thermal Properties of semiconducting materials in power cable, we have investigated those of semiconducting materials showed by changing the content of carbon black and Carbon Nanotube. Density were measured by EW-200SG. High temperature, heat degradation initiation temperature, and heat weight loss were measured by TGA (Thermogravimetric Analysis). The dimension of measurement temperature was $0[^{\circ}C]$ J to $700[^{\circ}C]$, and rising temperature was $10[^{\circ}C/min]$. Heat degradation initiation temperature from the TGA results was decreased according to increasing the content of Carbon Nanotube. That is, heat stabilities of EVA containing the weak VA (vinyl acetate) against heat was measured the lowest. From the results of the experiment applied in this study, it is evident that a small amount of Carbon nanotube additives significantly improved the Mechanical and Thermal Properties of semiconducting materials.

To improve the mean-life and the reliability of power cable, we have investigated specific heat (Cp). Specific-heat measurement temperature ranges of XLPE insulator were from $20[^{\circ}C]$ to $90[^{\circ}C]$, and the heating rate was $1[^{\circ}C/min]$. In case of semiconducting materials, the measurement temperature ranges of specific heat were from $20[^{\circ}C]$ to $60[^{\circ}C]$ and the heating rate was $1[^{\circ}C/min]$. From these experimental results, both specific heat were increased by heating rate because volume of materials was expanded according to rise in temperature. We could know that a small amount of CNT has a excellent thermal properties.

As next generation nonvolatile memory, chalcogenide-based phase change memory can substitute for a conventional flash memory from its high performance. Also, fast writing speed, low writing voltage, high sensing margin, low power consumption and repetition reliability over $10^{15}$ cycle shows its possibility. At our laboratory, we invented ${Ge_1}{Se_1}{Te_2}$ material to alternate with conventional ${Ge_2}{Sb_2}{Te_5}$ for improve its ability. We respect the ${Ge_1}{Se_1}{Te_2}$ material can be a solution for high power consumption problem and long time at 'set' performance. A conductivity experiment from variable temperature was performed to see reliability of repetition at read and write performance. Compare with conventional ${Ge_2}{Sb_2}{Te_5}$ material, these two materials are used as complex compound to get the finest parameter.

Transparent ZnO thin film transistor (TFT) is fabricated on the glass substrates. The device consists of a high mobility intrinsic ZnO as a semiconductor active channel, Ga doped ZnO (GZO) as an electrode, $HfO_2$ as a gate insulator. GZO and $HfO_2$ layers are prepared by using a pulsed laser deposition and intrinsic ZnO layers are fabricated by using an rf-magnetron sputtering, respectively. The transparent TFT is highly transparent (> 87 %) and exhibits n-channel, enhancement mode behavior with a field-effect mobility as large as $11.7\;cm^2/Vs$ and a drain current on-to-off ratio of about $10^5$.

Both negative and positive substrate bias effects on the structural properties and field-emission characteristics are investigated. carbon nanotubes (CNTs) are grown on Ni catalysts employing an inductively-coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) method. Characterization using various techniques, such as field-emission scanning electron microscopy (FESEM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), Auger spectroscopy (AES), and Raman spectroscopy, shows that the physical dimension as well as the crystal quality of CNTs grown can be changed and controlled by the application of substrate bias during CNT growth. It is for the first time observed that the prevailing growth mechanism of CNTs, which is either due to tip-driven growth or based-on-catalyst growth, may be influenced by substrate biasing. It is also seen that negative biasing would be more effectively role in the vertical-alignment of CNTs compared to positive biasing. However, the CNTs grown under the positively bias condition display much better electron emission capabilities than those grown under negative bias or without bias. The reasons for all the measured data regarding the structural properties of CNTs are discussed to confirm the correlation with the observed field-emissive properties.

We present experimental results that regard the effects of catalyst preparation on the structural and field-emissive properties of CNTs. The CNTs used in this research have been synthesized using the inductively coupled plasma-chemical vapor deposition (ICP-CVD) method. Catalyst materials (such as Ni, Co, and Invar 426) are varied and deposited on buffer films by RF magnetron sputtering. Prior to growth of CNTs, $NH_3$ plasma etching has also been performed with varying plasma etching time and power. For all the CNTs grown, nanostructures and morphologies are analyzed using Raman spectroscopy and FESEM, in terms of buffer films, catalyst materials, and pre-treatment conditions. Furthermore, the field electron-emission of CNTs are measured and characterized in terms of the catalyst preparation environments. The CNTs grown on Nicatalyst layer would be more effectual for enhancing the growth rate and achieving the vertical-alignment of CNTs rather than other buffer materials from results of SEM study. The crystalline graphitic structure of CNTs is improved as the catalyst dot reaches a critical size. Also, the field-emission result shows that the CNTs using Ni catalyst would be more favorable for improving electron-emission capabilities of CNTs compared with other samples.

본 논문은 수직형 트랜치 IGBT 구조에서 에미터를 트랜치로 형성하여 그 전기적인 특성을 MEDICI를 이용하여 고찰하였다. 제안한 구조의 항복전압과 온-상태 전압, 래치업 전류 그리고 턴-오프 시간이 기존 트랜치 IGBT에 비하여 향상되었음을 알 수 있었다. 항복전압은 트랜치 에미터에 의해 트랜치 게이트에 집중되는 전계를 완화시켜 일반적인 트랜치 IGBT보다 19%정도 향상되었으며 온-상태 전압과 래치업 전류는 각각 25%, 16% 정도 향상되었다. 하지만 제안된 구조의 턴-오프 시간은 무시할 수 있을 정도로 약간 증가하였음을 알 수 있었다.

High Tc superconducting with a BiSrCaCuO was prepared by the citrate method. The solid precursor produced by the dehydration of the gel at $120^{\circ}C$ for 12h is not in the a morphous state as expected but in a crystalline state. X -ray diffraction peaks of nearly the same angular position as the peaks of high Tc phase were observed in the precursor.

We have fabricated superconductor ceramics by chemical process. A high Tc superconductor with a nominal composition of ${Bi_2}{Sr_2}{Ca_2}{Cu_3}{O_y}$ was prepared by the organic metal salts method. Experimental results suggest that the intermediate phase formed before the formation of the superconductorphase may be the most important factor. The relation between electromagnetic properties of Bi HTS and external applied magnetic field was studied. The electrical resistance of the superconductor was increased by the application of the external magnetic field. But the increase in the electrical resistance continues even after the removal of the magnetic field. The reason is as followsthe magnetic flux due to the external magnetic field penetrates through the superconductor and the penetrated magnetic flux is trapped after the removal of the magnetic flux.

Ga-doped ZnO nanowires have been synthesized by pulsed laser deposition (PLD) in furnace on gold coated (0001) sapphire substrates. The effect of repetition rate on structural and optical properties of Ga-doped ZnO nanowires are investigated. By controlling repetition rate, the diameter of nanowires is varied between about 60 and 100 nm, and the length of nanowires is varied between about 2 and 4 um. The X-ray diffraction (XRD) reveals the structural defects induced by the Ga doping. The room temperature photoluminescence (PL) spectra of Ga-doped ZnO nanowires show strong UV emission between 382.394 and 385.279 nm with negligible visible emission.

Highly conductive and transparent films of Ga-doped ZnO have been prepared by pulsed laser deposition using a ZnO target with 3 wt% ${Ga_2}{O_3}$ dopant. Films with the resistivity as low as $3.3{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ and the transmittance above 80 % at the wavelength of 400 to 800 nm can be fabricated on glass substrate at room temperature. It is shown that a stable resistivity for the use in oxidation ambient at high temperature can be obtained for the films. Heat treatments were performed to examine the thermal stability of ZnO and GZO films at ptemperature range from $100^{\circ}C$ to $400^{\circ}C$ in $O_2$ ambient for 30 minutes. The resistivity of ZnO film annealed at $400^{\circ}C$ increased by two orders of magnitude, in case of GZO film was relatively stable up to at $400^{\circ}C$. For practical applications at high temperatures the thermal stability of resistivity of GZO thin films might become an advantage for transparent electrodes.

본 논문은 고성능 다결정 실리콘(Poly-Si) 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor)에서 단일 수직 그레인 경계(Single Perpendlcular Grain Boundary)가 고온 캐리어 스트레스(Hot Carrier Stress) 및 정전류 안정성 평가에서 어떠한 효과를 보이는가에 대해서 살펴보았다. 고온 캐리어 스트레스 하에서($V_G=V_{TH}+1V,\;V_D$ =12V),그레이 경계가 없는 다결정 실리콘 TFT와 비교했을 때 그레인 경계를 가지고 있는 다결정 실리를 TFT는 전기 전도(Electric Conduction)에 작용하는 자유 캐리어(Free Carrier)의 개수가 적기 때문에 상대적으로 더욱 우수한 전기적 특성을 나타낸다. 먼저 1000초 동안 고온 캐리어 스트레스를 가해준 결과 단일 그레인 경계를 가진 다결정 실리콘에서의 트랜스 컨덕턴스(Transconductance)의 이동 정도는 5% 미만으로 확인되었다. 반면에 같은 스트레스 조건 하에서 그레인 경계가 존재하지 않는 다결정 실리콘의 경우에는 그 이동 정도가 약 25%에 달하는 것으로 측정되었다. 다음으로 정전류 스트레스(Constant Current Stress) 인가시, 수직형 그레인 경계가 채널 영역 내에 존재하지 않는 다결정 실리콘 TFT는 드레인 접합 부분의 전계 세기를 비교했을 때, 그레인 경계를 가지고 있는 다결정 실리콘 TFT보다 상대적으로 낮은 원 인 때문에 적게 열화되는(Degraded) 특성을 확인할 수 있었다.

Arsenic doped p-type ZnO thin films have been realized on intrinsic (100) GaAs substrate by RF magnetron sputtering and thermal annealing treatment. p-Type ZnO exhibits the hole concentration of $9.684{\times}10^{19}cm^3$, resistivity of $2.54{\times}10^{-3}{\Omega}cm$, and mobility of $25.37\;cm^2/Vs$. Photoluminescence (PL) spectra of As doped p-type ZnO thin films reveal neutral acceptor bound exciton ($A^{0}X$) of 3.3437 eV and a transition between free electrons and acceptor levels (FA) of 3.2924 eV. Calculated acceptor binding energy ($E_A$) is about 0.1455 eV. Thermal activation and doping mechanism of this film have been suggested by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). p-Type formation mechanism of As doped ZnO thin film is more related to the complex model, namely, $As_{Zn}-2V_{Zn}$, in which the As substitutes on the Zn site, rather than simple model, Aso, in which the As substitutes on the O site. ZnO-based p-n junction was fabricated by the deposition of an undoped n-type ZnO layer on an As doped p-type ZnO layer.

We investigated the diffraction grating efficiency by the DPSS laser beam wavelength to improve the diffraction efficiency on AsGeSeS & Ag/ AsGeSeS thin film. Diffraction efficiency was obtained from DPSS(532nm)(P:P)polarized laser beam on AsGeSeS, Ag/ AsGeSeS and AsGeSeS/Ag/AsGeSeS thin films. As a result, for the laser beam intensity, 0.24 mW, single AsGeSeS thin film shows the highest value of 0.161% diffraction efficiency at 300 s and for 2.4 mW, it was recorded with the fastest speed of 50 s, which the diffraction grating forming speed is faster than that of 0.24 mW beam. Ag/ AsGeSeS and AsGeSeS/ Ag/ AsGeSeS multi-layered thin film also show the faster grating forming speed at 2.4 mW and higher value of diffraction efficiency at 0.24 mW.

As the power density and switching frequency increase, thermal analysis of power electronics system becomes imperative. The analysis provides valuable information on the semiconductor rating, long-term reliability. In this paper, thermal distribution of the Non Punchthrough(NPT) Insulated Gate Bipolar Transistor has been studied. For analysis of thermal distribution, we obtained results by using finite element simulator, Ansys and thermal distributions form experiments.

원통형 PN접합의 Baliga의 해석적인 항복전압에 대한 근사식을 유도하였다. 근사식은 접합길이, $r_j$와 공핍층 깊이, $W_{pp}$의 비 ($r_i/W_{pp}$)가 0.1보다 작은 경우 Baliga식과 잘 일치하였다. 농도에 대한 원통형 접합의 항복전압의 민감도를 유도하였으며, 근사식을 사용한 경우가 Baliga식의 경우보다 민감도식이 더 간단하기 때문에, 민감도를 고려한 소자 설계 시 활용될 수 있으리라 기대된다. 민감도 식을 이용하여 설계한 결과 항복전압의 편차가 10% 이내로 제어하기 위해서는 도핑농도가 $10^{15}cm^{-3}$이고 접합깊이가 $5{\mu}m$ 인 원통형 접합인 경우 농도 편차가 12.8%이내 이어야한다.

In this study, in order to develop the low temperature sintering ceramics for multilayer piezoelectric actuator, PMN-PNN-PZT ceramics using ${Fe_2}{O_3}$ and $WO_3$ as sintering aids were manufactured with the amount of $WO_3$ addition, and the specimens were sintered at 900, 930, $960^{\circ}C$, respectively. Thereafter, their dielectric and piezoelectric properties were investigated. The sintering aids were proved to lower the sintering temperature of piezoelectric ceramics due to the effects of ${Fe_2}{O_3}$ and $WO_3$ liquid phase. At 0.3wt% $WO_3$ added specimen sintered at $930^{\circ}C$, kp, Qm, dielectric constant and $d_{33}$ showed the optimum values of 0.60, 1402, 1440 and 360[pC/N], respectively, for multilayer piezoelectric actuator application.

In this paper, multilayer piezoelectric actuator was fabricated in order to develop ultrasonic linear motor. Multilayer actuator showed a high density of 7.78[$g/cm^3$], a large effective electromechanical coupling factor($K_{eff}$) of 0.259, a high mechanical quality factor( Qm ') of 1301, and high capacitance(c) of 19.32[nF]. Curie temperature was $343[^{\circ}C]$.

AIGaN/GaN 고전자 이동도 트랜지스터 (High Electron Mobility Transistors, HEMTs)는 와이드 밴드-갭과 높은 항복 전계 및 우수한 채널 특성으로 인해 마이크로파 응용분야와 전력용 반도체에서 각광받고 있다. 최근, 전력 응용분야에서 요구되는 높은 항복 전압과 출력, 우수한 주파수 특성을 획득하기 인해 이중 게이트 AIGaN/GaN HEHTs에 관한 연구가 발표되고 있다. 본 논문에서는 AIGaN/GaN HEMTs에 이중 게이트를 적용하여, 두 개의 게이트와 드레인, 소스의 누설 전류를 각각 측정하여 이중 게이트 AIGaN/GaN HEMTS의 누설 전류 메커니즘을 분석하였다. 또한 제안된 소자의 $SiO_2$ 패시베이션 전 후의 누설 전류 특성을 비교하였다. $SiO_2 $ 패시베이션되지 않은 소자의 누설 전류는 드레인, 소스와 추가 게이트로부터 주 게이트로 흐른 반면, 패시베이션 된 소자 누설 전류는 드레인으로부터 주 게이트 방향의 누설 전류만 존재하였다. $SiO_2$ 패시베이션 된 소자의 누설 전류는 (87.31 nA ) 패시베이션 되지 않은 소자의 누설 전류 ( $8.54{\mu}A$ )에 비해 의게 감소하였다.

We prepared the AZO thin film with different $O_2$ gas flow rate. the AZO thin films were deposited on glass substrate at room temperature, working gas pressure of 1mTorr. the electrical, structural and optical properties of AZO thin films were investigated by using Hall Effect measurement system, X-ray Diffractometer (XRD) and UV-VIS spectrometer. From the results, we could obtain that AZO thin film with low resistivity of $8.5{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ was exhibited in specific $O_2$ gas flow rate. Also, the transmittance of over 80% in visible range was observed in specific $O_2$ gas flow rate. In all of the AZO thin film with the transmittance of over 80%, diffraction peak of (002) direction was observed, while amorphous peak was observed in the AZO thin film with the low transmittance.

The ITO thin films were prepared by Facing Targets Sputtering(FTS) method on polyethersulfon(PES) substrate. The ITO thin films were deposited with the film thickness of 100nm at room temperature and working gas pressure of 1 mTorr. As a function of sputtering conditions, electrical and optical properties of prepared ITO thin films were evaluated by Hall Effect Measurement(EGK) and UV-VIS spectrometer(HP), respectively. From the results, the ITO thin films was deposited was with a resistivity $8.3{\times}10^{-4}[{\Omega}-cm]$ and transmittance over 80% in the visible range.

플라스틱 기판 위에 유도 결합 플라즈마 화학적 기상 증착장치 (Inductively Coupled Plasma Chemicai Vapor Deposition, ICP-CVD) 를 사용하여 실리콘 산화막 ($SiO_2$)을 증착하고, 엑시머레이저 어널링 (Excimer Laser Annealing, ELA) 과 $N_{2}O$ 플라즈마 전처리를 통해, 전기용량-전압(Capacitance-Voltage, C-V) 특성과 항복 전압장 (Breakdown Voltage Field) 과 같은 전기적 특성을 개선시켰다. 에너지 밀도 $250\;mJ/cm^2$ 의 엑시머 레이저 어닐링은 실리콘 산화막의 평탄 전압 (Flat Band Voltage) 을 0V에 가까이 이동시키고, 유효 산화 전하밀도 (Effective Oxide Charge Density)를 크게 감소시킨다. $N_{2}O$ 플라즈마 전처리를 통해 항복 전압장은 6MV/cm 에서 9 MV/cm 으로 향상된다. 엑시머 레이저 어닐링과 $N_{2}O$ 플라즈마 전처리를 통해 평탄 전압은 -9V 에서 -1.8V 로 향상되고, 유효 전하 밀도 (Effective Charge Density) 는 $400^{\circ}C$에서 TEOS 실리콘 산화막을 증착하는 경우의 유효 전하 밀도 수준까지 감소한다.

Carbon nanotubes (CNTs) have recently attracted great attention because of their excellent physical properties, such as high mechanical strength, thermal stability, and electronic properties. These useful properties of carbon nanotubes make themselves good candidates for various application field, such as a transistor, battery, field emission display, nanoscale inter-connects, and so on. Gas-phase techniques offer the unique ability to synthesize well-oriented arrays of CNTs. However, it is seldom reported that the pressure influences on the growth of CNTs under low substrate temperature. In this work, the effect of the working pressure and the influence of the catalyst preparation on the properties of CNTs grown by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) were investigated.

최근 고주파 유전체 소재로 많이 연구가 되고 있는 $BaSrTiO_3$ 소재와 polymer계열을 이용한 composite복합체를 이용하여 embedded capacitor를 제작하였으며, 후막을 제작하기 위한 방법으로는 두께의 신뢰성이 비교적 높은 screen printing기법을 사용하여 제작하였다. 제작된 소자의 온도별, 주파수별 특성을 연구하여 그 응용 가능성을 알아보았다.

최근 flexible OLED의 구동에 사용하기 위한 유기박막트랜지스터(Organic Thin Film Transistor, OTFT)의 연구에서는 용매에 용해되어 spin coating이 가능한 재료의 개발에 관심을 두고 있다. 현재 pentacene으로는 아직 spin coating으로 제작할 수 있는 상용화된 제품이 없고 spin coating이 가능한 활성층 물질(active material)로 P3HT가 쓰이고 있다. 본 연구에서는 용해 가능한 P3HT 활성층 물질과 여러 종류의 용해 가능한 게이트 절연물(gate insulator, Gl)을 사용하여 안정된 소자를 구현할 수 있는 공정을 개발하는 목적으로 metal-insulator-semironductor(MIS) 소자를 제작하여 C-V 특성을 측정하고 분석하였다. 먼저 7mm${\times}$7mm 크기의 pyrex glass 시편 위에 바닥 전극으로 $1600{\AA}$ Au을 증착하고 spin coating 방식을 이용하여 PVP, PVA, PVK, BCB, Pl의 5종류의 게이트 절연층을 각각 형성하였고 그 위에 같은 방법으로 P3HT를 코팅하였다. P3HT 코팅 시 bake 공정의 유무와 spin rpm의 변화에 따른 P3HT의 두께를 측정하였다. Gl의 종류별로 주파수에 따른 capatltancc를 측정하여 비교, 분석하였다. C-V 측정 결과 PVP, PVA, PVK, BCB, Pl의 단위 면적당 capacitance 값은 각각 1.06, 2.73, 2.94, 3.43, $2.78nF/cm^2$로 측정되었다. Threshold voltage, $V_{th}$는 각각 -0.4, -0.7, -1.6, -0.1, -0.2V를 나타냈다. 주파수에 따른 capacitance 변화율을 측정한 결과 Gl 물질 모두 주파수가 높을수록 capacitance가 점점 감소하는 경향을 보였으나 1${\sim}$2nF 이내의 범위에서 작은 변화율만 나타냈다. P3HT의 두께와 bake 온도를 변화시켜 C-V 값을 측정한 결과 차이는 없었다. FE-SEM으로 관찰한 결과에서도 두께나 온도에 따른 P3HT의 표면 morphology 차이를 확인할 수 없었다. 본 연구에서 PVK와 P3HT의 조합이 수율(yield)면에서 가장 안정적이면서 $3.43\;nF/cm^2$의 가장 높은 capacitance 값을 나타내고 $V_{th}$ 값 또한 -1.6V로 가장 낮은 값을 보였다.

In this paper, ultrasonic nozzle and driving circuit were manufactured and their electrical properties were investigated. Uitrasonic nozzle was fabricated using PSN-PMN-PZT ceramics showing excellent piezoelectric characteristics. In order to drive ultrasonic nozzle, PWM controller(KA3525A) was used. With increasing input voltage of nozzle, particle diameters of diesel were increased up tot 16V and then decreased. At the input voltage of 12V, volume particle diameter showed the minimum value of $37.3{\mu}m$ and also at the input voltage of 18V, volume particle diameter showed the maximum value of $51.3{\mu}m$.

Chemical mechanical polishing (CMP) technology has been widely used for global planarization of multi-level interconnection for ULSI applications. However, the cost of ownership and cost of consumables are relatively high because of expensive slurry. In this paper, so as to investigate the influence of mixed abrasive slurry (MAS), such as $ZrO_2$, $CeO_2$, and $MnO_2$ for Ti-CMP application.

Chemical mechanical polishing (CMP) process has been attracted as an essential technology of multi-level interconnection. However, the COO (cost of ownership) is very high, because of high consumable cost. Especially, among the consumables, slurry dominates more than 40 %. So, we focused how to reduce the consumption of raw slurry. In this paper, $MnO_2$ abrasives were added de-ionized water (DIW) and pH control as a function of KOH contents. Also, the addition effects of $MnO_2$ abrasives and the diluted silica slurry (DSS) on CMP performances were evaluated. Finally, we have investigated the possibility of new abrasive for the oxide CMP application.

Chemical mechanical polishing (CMP) technology has been widely used for global planarization of multi-level interconnection for ULSI applications. However, the cost of ownership and cost of consumables arc relatively high because of expensive slurry. In this paper, in order to save the costs of slurry, the original silica slurry was diluted by de-ionized water (DIW). And then, $ZrO_2$, abrasives were added in the diluted silica slurry (DSS) in order to promote the mechanical force of diluted slurry. We have also investigate the possibility of mixed abrasive slurry (MAS) for the oxide CMP application.

To investigate the possibility of ceria abrasive-added slurry for the oxide-chemical mechanical polishing (oxide-CMP) application, two kinds of retreated methods were introduced as follows: First, the characteristics of mixed abrasive slurry (MAS) using $CeO_2$ powder as an abrasive added within diluted silica slurry (DSS) were evaluated to achieve the improvement of removal rates and non-uniformity. Second, the control of pH level due to the dilution of slurry was examined. And then, we have discussed the CMP characteristics as a function of abrasive dispersion time.

We synthesized emissive materiaJs, nameJy $Zn(HPB)_2$. The fundamentaJ structures of the OLEDs were ITO / NPB (40 nm) $Zn(HPB)_2$ (40 nm) / $Alq_3$:DCJTB (20, 30, or 40 nm) / LiF / AI. We varied the thickness of $Alq_3$:DCJTB from 20 nm to 40nm. We measured current density-voJtage and luminance-voJtage characteristics at room temperature. When the thickness of the Alq3:DCJTB layer was 40 nm, white emission is achieved. The CIE coordinates are (0.32, 0.33) at an applied voltage of 14V.

The electrical properties of viologen derivatives were studied in terms of the tunneling current characteristics on the length of the viologen derivatives using self-assembling techniques and ultra high vacuum scanning tunneling microscopy (UHV-STM). We fabricated the Au substrate were deposited by thermal evaporation system ($420^{\circ}C$. Self-assembled monolayers (SAMs) were prepared on Au (111), which had been thermally deposited onto freshly cleaved, heated mica. The Au substrate was exposed to a 1 mM solution of viologen derivatives in ethanol for 24 hours to form a monolayer. We measurement of the morphology on the single viologen molecules ($VC_{8}SH$, $VC_{10}SH$, $HSC_{8}VC_{8}SH$, and $HSC_{10}VC_{10}SH$). The current-voltage (I-V) and differential conductance (dl/dV-V) properties were measured while the electrical properties of the formed monolayer were scanned by using a STS. The effective barrier height of viologen derivatives ($VC_{8}SH$, $VC_{10}SH$, $HSC_{8}VC_{8}SH$, and $HSC_{10}VC_{10}SH$) were calculated to be 1.076 eV, 1.56 ${\pm}$ 0.3 eV, 1.85 eV, 2.28 eV, respectively.

In this research, the enhancement of electron-transfer activity of hemoglobin (Hb) in dodecanoic acid film was investigated for the first time. This type of composite film was made on glassy carbon electrode by casting method. Cyclic voltammetric result of the modified electrode displays a well defined redox peaks which was attributed to the direct electrochemical response of Rb. Our results illustrate that Rb exchange electrons directly with electrode and exhibits the characteristics of peroxidase. When we apply this modified electrode as a biosensor, it gives excellent performances in the electrocatalytic reduction of hydrogen peroxide ($H_{2}O_{2}$). Through the optimal conditions, the proposed biosensor shows the linear range for H2O2 determination was from $1{\times}10^{-5}$ to $1.25{\times}10^{-4}mol/L$ with a detection limit of $1{\times}10^{-7}mol/L$. The biosensor retained more than 90% of the initial response after 14 days.

ITO thin film is generally fabricated by various methods such as spray, CVD, evaporation, electron gun deposition, direct current electroplating, high frequency sputtering, and reactive DC sputtering. However, some problems such as peaks, bumps, large particles, and pin-holes on the surface of ITO thin film were reported, which caused the destruction of color quality, the reduction of device life time, and short-circuit. Chemical mechanical polishing (CMP) process is one of the suitable solutions which could solve the problems.

High current behaviors of extended drain n-type metal-oxide-semiconductor field effects transistor (EDNMOS) with double polarity source (DPS) for electrostatic discharge (ESD) protection are analyzed. Simulation based contour analyses reveal that combination of bipolar junction transistor operation and deep electron channeling induced by high electron injection gives rise to the second on-state. Therefore, the deep electron channel formation needs to be prevented in order to realize stable and robust ESD protection performance. Based on our analyses, general methodology to avoid the double snapback and to realize stable ESD protection is to be discussed.

절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (Insuialed atc Bipolar Transistor : IGBT)는 높은 전류구동 능력과 높은 입력 임피던스 특성으로 인해 대전력 스위칭 소자로 널리 응용되고 있다. 특히, 대용량 모터 구동을 위해 응용되는 경우, 모터의 부하 특성상, 모터의 단락에 의한 단락 회로 (Short-circuit fault) 현상을 비롯한 클램핑 다이오드의 파손으로 인한 unclamped 유도성 부하 스위칭 (UIS) 상황에서 견딜 수 있도록 설계되어야 한다. 이를 위해, 이전 연구를 통해 Floating p-well을 600V급 IGBT에 도입함으로써 UIS 상황에서 IGBT가 견딜 수 있는 에너지(항복 에너지)륵 증가시키고 Floating p-weil 전압을 감지함으로써 단락 회로 상황에서 IGBT가 보호될 수 있도록 보호회로를 제안하고 검증하였다. 그러나 이 보호회로는 수평형 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터 (Latcral MOSFET)로 제작됨으로써 보호회로 기능을 수행하기 위해서는 넓은 면적을 요구하였다. 또한, 정상적인 동작 상황에서 오류를 감지 (오류 감지: False detection)하는 동작으로 인해 추가적인 filter를 요구함으로써 보호회로 동작 속도를 감소시켰다. 이러한 단점을 해결하기 위해, 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (Lateral IGBT : LIGBT)를 보호회로에 적용함으로써 LIGBT의 높은 전류 구동능력을 이용하여 기존 보호회로 면적의 30% 수준의 보호회로를 구현하였다. 또한, 구현된 보호회로는 오류 감지 현상을 제거함으로써 보호회로의 동작 속도를 개선하였다. 제안된 보호회로와 1200V급 IGBT는 7장의 마스크를 이용한 표준 수평형 IGBT 공정을 이용하여 제작되었으며, 특히, 전자빔 조사를 이하여 턴오프 속도를 개선함으로써 고속 스위칭에 적합하도록 최적화 되었다.

PZT thin films, which are the representative ferroelectric materials in ferroelectric random access memory (FRAM), have some serious problem such as the imprint, retention and fatigue which ferroelectric properties are degraded by repetitive polarization. BL T thin film capacitors were fabricated by plasma etching, however, the plasma etching of BLT thin film was known to be very difficult. In our previous study, the ferroelectric materials such as PZT and BLT were patterned by chemical mechanical polishing (CMP) using damascene process to top electrode/ferroelectric material/bottom electrode. It is also possible to pattern the BLT thin film capacitors by CMP, however, the CMP damage was not considered in the experiments. The properties of BLT thin films were changed by the change of polishing pressure although the removal rate was directly proportional to the polishing pressure in CMP process.

$Pb(Zr,Ti)O_3(PZT)$ is very attractive ferroelectric materials for ferroelectric random access memory (FeRAM) applications because of its high polarization ability and low process temperature. However, Chemical Mechanical Polishing (CMP) pressure and velocity must be carefully adjusted because FeRAM shrinks to high density devices. The contaminations such as slurry residues due to the absence of the exclusive cleaning chemicals are enough to influence on the degradation of PZT thin film capacitors. The surface characteristics of PZT thin film were investigated by the change of process parameters and the cleaning process. Both the low CMP pressure and the cleaning process must be employed, even if the removal rate and the yield were decreased, to reduce the fatigue of PZT thin film capacitors fabricated by damascene process. Like this, fatigue characteristics were partially controlled by the regulation of the CMP process parameters in PZT damascene process. And the exclusive cleaning chemicals for PZT thin films were developed in this work.

The ferroelectric materials of the PZT, SBT attracted much attention for application to ferroelectric random access memory (FRAM) devices. Through the last decade, the lead zirconate titanate (PZT) is one of the most attractive perovskite-type materials for the ferroelectric products due to its higher remanant polarization and the ability to withstand higher coercive fields. FRAM has been currently receiving increasing attention for one of future memory devices due to its ideal memory properties such as non-volatility, high charge storage, and faster switching operations. In this study, we first applied the damascene process using chemical mechanical polishing (CMP) to the fabricate the $Pb_{1.1}(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$ thin film capacitor in order to solve the problems of plasma etching such as low etching profile and ion charging. The structural characteristics were compared with specimens before and after CMP process of PZT films. The scanning electron microscopy (SEM) analysis was performed to compare the morphology surface characteristics of $Pb_{1.1}(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$ capacitors. The densification by the vertical sidewall patterning and charging-free ferroelectric capacitor could be obtained by the damascene process without remarkable difference of the characteristics.

In this work, we first applied the chemical mechanical polishing (CMP) process to the planarization of ferroelectric film in order to obtain a good planarity of electrode/ferroelectric film interface. $Bi_{3.25}La_{0.75}Ti_{3}O_{12}$ (BLT) ferroelectric film was fabricated by the sol-gel method. However, there have been serious problems in CMP in terms of repeatability and defects in patterned wafer. Especially, dishing & erosion defects increase the resistance because they decrease the interconnect section area, and ultimately reduce the lifetime of the semiconductor. Cross-sections of the wafer before and after CMP were examined by Scanning electron microscope(SEM). Process characteristics of non-dishing and erosion were investigated.

In bio applications, high temperature coefficient of resistance (TCR) at $30^{\circ}C{\sim}40^{\circ}C$ is especially important for a temperature sensor. In this work, single phase-vanadium dioxide ($VO_2$) thin films for temperature sensor were fabricated by reactive DC magnetron sputtering and post-annealing method. VOx thin films deposited by reactive sputtering in a controlled $Ar/O_2$ atmosphere can be transformed into single phase-$VO_2$ films by post-annealing in $N_2$ atmosphere. The grown $VO_2$ thin films have a moderate resistance at room temperature and very high TCR at room temperature and transition temperature, respectively 2.88%/K and 15.8%/K. A detailed structural characterization is performed by SEM, XRD and RBS. SEM morphology image indicates that grains of fabricated $VO_2$films are homogeneous and ball-like in shape. A fact that the films contain only single phase-$VO_2$ is obtained by XRD and RBS analysis. After deposition, the sensors were fabricated by micromachining technology. Silicon nitride membrane and black nickel were used for a thermal isolation structure and absorption layer. In the vicinity of room temperature, the TCR of sensors was enough high to apply for bio sensors.

실리콘을 기반으로 한 micro-Total Analysis Systems(${\mu}$-TAS)이 출현한 이후에, 현재까지 다양한 고분자 화합물을 이용한 유체소자의 연구가 진행중이다. 고분자 화합물은 실리콘과 유리를 이용한 전통적인 유체소자 재료에 비해 재료의 경제성과 소자 제작의 용이성 그리고 처리하고자 하는 유체에 맞는 다양한 재료를 선택할 수 있다는 장점을 지니고 있다. 하지만 고분자 화합물의 표면 에너지가 실리콘과 유리에 비해 낮은 단점을 가지고 있다. 이러한 문제를 극복하기 위해 다양한 표면처리 연구가 이루어져왔다. 레이저를 이용한 표면처리는 실험장치가 간단하고 대기 중에서 실시할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 본 연구에서는 Nd:YAG 레이저(${\lambda}$=266 nm, pulse)를 이용하여 유체소자 재료로써 많이 사용되는 polymethly methacrylate(PMMA)의 표면개질을 시도하였다. 표면처리 후 접촉각 측정기를 이용하여 표면개질 정도를 확인한 결과, 표면 산소 함유량이 증가됨에 따라 접촉각이 감소하였다. 결론적으로 PMMA의 본래 성질은 유지한 채 레이저 표면처리를 이용한 표면 에너지 증가 효과를 볼 수 있었다.

Dielectric PST (20/80) / PST (80/20) heterolayered thin films structures were created by a consequent deposition of the PST (20/80) and PST (80/20) thin films on the $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate using alkoxide-based sol-gel method. Both structural and dielectric properties of heterolayered PST thin films were investigated for the tunable microwave device applications. As the number of coating increases, the lattice distortion decreased. It can be assumed that the lower PST layer affects a nucleation site or a seeding layer for the formation of the upper PST layer. The dielectric constant, dielectric loss and tunability of the PST-6 heterolayered structure measured at 100 kHz were 399, 0.022 and 57.9%, respectively. All these parameters showed an increase with increasing number of coatings due to the decrease in lattice distortion.

In this work, we investigated etching characteristics of $HfO_2$ thin film and Si using inductive coupled plasma (ICP) system. The ion energy distribution functions in an inductively coupled plasma was analyzed by quadrupole mass spectrometer with an electrostatic ion energy analyzer. The maximum etch rate of $HfO_2$ is 85.5 nm/min at a $BCl_3/(BCl_3+Ar)$ of 20% and decreased with further addition of $BCl_3$ gas. From the QMS measurements, the most dominant positive ion energy distributions (IEDs) showed a maximum at 20 % of $BCl_3$. These tendency was very similar to the etch characteristics. This result agreed with the universal energy dependency of ion enhanced chemical etching yields. And the maximum selectivity of $HfO_2$ over Si is 3.05 at a O2 addition of 2 sccm into the $BCl_3/(BCl_3+ Ar)$ of 20% plasma.

The impedance spectroscopy is one of the effective ways to understand the electrical properties of organic light emitting diodes. The frequency-dependant properties of small molecule based OLEDs have been studied. The equivalent circuit of single-layer device is composed of contact resistance ($R_c$), bulk resistance ($R_p$) and bulk capacitance ($C_p$). The equivalent circuit of double layer device is composed of two parallel circuits connected in series, each of which is a parallel resistor and a capacitor. We have fabricated a double layer device indium-rio-oxide (ITO, anode), N,NV -diphenyl- N,NV -bis(3-methylphenyI)-1,1V -diphenyl-4,4V-diamine (TPD, hole-transporting layer), tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3, emitting layer), and aluminum (AI, cathode) and two single layer devices ([TO/ Alq3/ AI, ITO/TPD/AI).

Recently, poly-Si TFT-LCD starts to be mass produced using excimer laser annealing (ELA) poly-Si. The main reason for this is the good quality poly-Si and large area uniformity. We report the influence of channel length and width on poly-Si TITs performance. Transfer characteristics of n-channel poly-Si thin film transistors fabricated on polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs) with various channel lengths and widths of $2-30{\mu}m$ has been investigated. In this paper, we analyzed the data of n-type TFTs. We studied threshold voltage ($V_{TH}$), on/off current ratio ($I_{ON}/I_{OFF}$), saturation current (I_{DSAT}$), and transconductance ($g_m$) of n-channel poly-Si thin film transistors with various channel lengths and widths.

The sandwiched PZT/$BaTiO_3$/PZT thick films were fabricated by two different methods thick films of the PZT by screen printing method on alumina substrateselectrodes with Pt, thin films of $BaTiO_3$ by the spin-coating method on the PZT thick films and once more thick films of the PZT by the screen printing method on the $BaTiO_3$ layer. The structural and the dielectric properties were investigated for effect of various stacking sequence of sol-gel prepared $BaTiO_3$ coating solution at interface of the PZT thick films, The insertion of BaTi03 interlayer yielded the PZT thick films with homogeneous and dense grain structure with the number of $BaTiO_3$ layers. The leakage current density of the $PZT/BaTiO_3-1$ film is less that $4.41{\times}10^{-9}A/cm^2$ at 5 V.

송수신 사이의 거리가 가까운 GPR 시스템들과 같이 신호가 빨리 감쇄되는 산란 측정시스템에서는 송신신호의 왜곡을 줄여 산란체의 신호를 정밀하게 찾아내는 것이 매우 중요하다. 여기에 주로 사용되는 광대역 안테나는 안테나의 급전점과 끝부분의 개방단 사이에서 다중 반사가 일어나서 입력신호의 왜곡으로 인한 떨림현상이 일어나게 되는데, 본 논문에서는 리액턴스 장하를 통해 안테나의 내부 반사를 줄인 초광대역 안테나를 설계하고 제작하여 특성을 측정하였다.

고출력 마그네트른 발진기는 마이크로파 발생원으로서 식품, 고무, 섬유, 목재, 세라믹, 폐기물 등의 다양한 산엄적 프로세스에 응용된다. 여러 가지 새로운 마이크로파 응응분야들이 보고되고 있을 뿐만 아니라 계속 연구되고 있다. 본 연구에서는 3차원 전자기장 해석용 시뮬레이션 코드를 이용하여 이중 스트랩형 고출력 마그네트론을 모델링하였다. 본 논문에서는 마그네트론의 공진모드, 공진주파수 능의 공진 특성 결과가 제시될 것이다.

고출력 마그네트론 발진기는 마이크로파 발생원으로서 식품, 고무, 섬유, 목재, 세라믹, 폐기물 등의 다양한 산업적 프로세스에 응용된다. 여러 가지 새로운 마이크로파 응용분야들이 보고되고 있을 뿐만 아니라 계속 연구되고 있다. 본 연구에서는 3차원 PIC 시뮬레이션 코드를 이용하여 이중 스트랩형 고출력 마그네트론을 모델링하였다. 본 논문에서는 이 마그네트론의 발진모드, 발진주파수, 발진출력 등의 발진 특성 결과가 제시될 것이다.

무선전력송신은 로봇, 우주 항공, 정보통신, MEMS 등 디바이스 경량화 및 운동성 향상 등의 요소가 중요하게 작용하는 분야에 도움을 줄 수 있다. 특히 정찰 및 탐사에 쓰일 초경량의 로봇을 위해서는 무선전력송신 기술은 상당히 중요한 개념이 된다. 본 논문에서는 유연 박막 기판과 다이폴 안테나, 그리고 쇼트키다이오드를 이용하여 전송된 마이크로파를 직류전력으로 변환시키는 렉테나(rectenna)에 대해서 소개하고 제조방과 성능평가를 통하여서 응용 개발의 가능성에 대해서 논한다.

In this paper, a novel method is presented for efficient calculation of the spatial-domain Green's functions of 2D electromagnetic problems. This method combines spectral and spatial domain calculation schemes and prevents the Green's functions from diverging at the singularities that complicate the process of the Method of Moment(MoM) application. For the validation of this proposed method, fields will be evaluated along the spatial distance including zero distance for 2D free-space and periodic homogeneous geometry. The numerical results show the validity of the prosed method and correspondng physics.

In this paper, isolation strategies for improving broadband circuit performance and preventing noise arising from circuit component coupling are presented. Equivalent circuit parameters, including parasitic elements, are determined for capacitor and inductor structures. The effects of the relative position of the components with regard to a ground plane are considered in the equivalent circuits. Novel meshed ground structures are investigated to determine a configuration that improves the overall circuit performance.

In this paper, we study the algorithm for the multiport measurements using the 2port VNA(Vector network Analyzer). We explain the conversion algorithm which the open impedance to the matched impedance(50 ohm), and then we apply this algorithm to the 4 port VNA measurement. Finally, we discuss the reliability of this algorithm.

본 논문에서는 4포트 마이크로스트립 인터커넥트에 대한 새로운 등가모델을 제시하였다. 제시된 방법에서는 마이크로스트립 인터커넥트 중 선로의 방향이 변하는 부분에서 등가회로 파라미터인 커페시터 성분을 모델화하여 최적화 과정을 통해 값을 추출하였고, 시뮬레이션 결과와 측정치를 비교함으로써 등가회로모델의 유효성을 확인하였다.

본 논문에서는 단일 FET를 이용하여 900MHz/2.14GHz 이중 대역 고효율 도허티 전력증폭기 설계 구현을 하였다. 이중대역 도허티 전격증폭기의 출력전력은 900MHz 에서 35.91dBm, 2.14GHz에서 35.91 dBm의 출력을 얻었으며, 전력부가효율은 900MHz에서 40.32%, 2.14GHz에서는 40.47%의 효율을 획득 하였다. 또한 본 논문에서 단 하나의 능등소자를 이용하여 최대한의 출력전력을 얻기 위하여 최대 전력정합법을 사용하였으며 그 결과 이중대역 전력증폭기를 구현할 수 있었다.

Since one decade. the detection of High frequency Partial Discharge has been proposed as one of the effective method for the diagnosis of the power component under service in power grids. As a tool for this detection. UHF sensor based on the antenna technology has been commercialized for mainly GIS due to its advantages. However, regarding the recognition of the vital defects introducible into the GIS. different types of softwares have been proposed and employed without any convincing probability of identification. In this regards, our work leads us to suggest a novel method named "PA Map" to identify the defects inside the GIS based on the HFPD detection by use of HFCT sensor which is designed according to our patent.

본 논문은 부분방전(PD: Partial Discharge)의 패턴인식 확률 극대화를 목적으로 신경망(NN: Neural Network) 파라미터 중에서 은닉층 뉴런의 수, 모멘텀(momentum)의 Step size와 Decay rate 를 최적화하기 위하여 유전 알고리즘(GA: Genetic Algonthm)을 적응하였다. 실험적 연구의 대상으로서, GIS(Gas Insulated Switchgear)사고의 주요 원인으로 보고되어있는 결함들을 인위적으로 모의한 16개 Test cell을 이용하여 부분방전을 발생시켰다. 부분방전 신호는 본 연구팀이 개발한 센서를 이용하여 검출되어 데이터베이스가 구축되어 그로부터 추출된 학습 데이터들의 학습에 다음과 같은 5가지 신경망 모델이 적응되었다: Multilayer Perception (MLP), Jordan-Elman Network (JEN), Recurrent Network (RN), Self-Organizing Feature Map (SOFM), Time-Lag Recurrent Network (TLRN). 유전 알고리즘 적용 효율성을 분석하기 위하여 동일한 데이터를 이용하여 다음과 같은 두 가지 방법을 적용한 결과를 상호 비교하였다. 우선 상기 선택된 모델만 적용하였고 다근 하나는 상기 모델과 Genetic Algorithm이 동시에 적용되었다. 모든 모델에 대하여 학습오차와 패턴 분류 확률을 비교한 결과, 유전 알고리즘 적응 시 부분방전 패턴인식 확률이 향상되었음이 확인되어 향후 신뢰성 있는 GIS 부분방전 진단기술에 활용될 수 있을 것으로 사료된다.

Sl-Thyristor는 기존의 Power semlconductor인 단일 IGBT,MOSFET과 비교하여 높은 정격 전압과 대전류의 소호가 가능하며 빠른 turn on swithcing time을 가지는 특성이 있다. 하지만 게이트 드라이버를 이용한 Sl-Thyristor의 turn on 구동시에는 전압구동의 특성과 turn 0ff시에는 전류 구동의 특성에 가까운 구동 특성이 요구되기 때문에 스위칭 요구 특성에 맞는 게이트 드라이버의 설계 및 제어가 쉽지 않다. 본 논문은 펄스 파워 어플리케이션으로 Sl-Thyristor(PT-201 5kV/100A)를 사용하여 pulsed power moduiator용 Sl-Thyristor의 게이트 드라이버의 요구인 빠른 turn on switching 특성과 turn off 시 Si-Thyristor 내의 전하를 빨리 제거하기 위한 조건을 제시하고 있다.

기중, $SF_6$ 가스 및 절 연유에서 부분방전시 방사되는 전자파의 주파수 특성을 분석하였다. 비슷한 구성의 부분방전 발생장치(PD Cell)에서 절연유에서의 부분방전이 가장 최고 높은 주파수의 신호가 발생하였으며 $SF_6$ 가스 하에서 비교적 높은 주파수의 부분방전 신호가 발생하였다. 또한 부분 방전의 종류에 따라 전자파 방전신호가 수직 편파되어 있음을 알 수 있었나. 본 결과는 전자파를 이용한 변전기기의 부분방전 측정기술 개발에 응용할 예정이다.

Gas Insulated Switchgear 내부에서 발생되는 부분방전 검출을 위하여 다양한 UHF센서가 이용되고 있다. 그러나 출력단의 신호크기가 극히 미약하여 다단계 증폭과정과 아날로그/디지털 신호처리 기술들이 적용되고 있으며 이로 인한 신호 왜곡이 필연적이어서 그 해결방안이 다양하게 제시되고 있다. 하나의 방안으로서 UHF 출력신호를 광 신호 형태로 전송할 수 있는 광소자와 Optical Fiber의 장점을 이용하면 기존에 상용화되어 있으나 문제를 야기 시키는 신호처리 기술 대체가 가능하다. 본 논문에서는 GIS 진단 기술개발을 위하여 자체 개발된 광 기술을 적용하여 검출된 미세신호들의 왜곡 문제점 해결에 기여하고자한다.

We studied the improved detecting method on Partial Discharge occurred in EHV power cable. In this field, we usually applied the several sensor for partial discharge. This is metal foil employed with the capacity foil-sensor. We detected the partial discharge through regularly array standard foil-sensor for the better improvement of existed foil-sensor in this research. This test is progressed in real EHV liveline, we analyzed that compare existed foil-sensor to detect character of FSA(Foil Sensor Array) for this test. From this result, detective character of fabricated FSA showed better result than existed foil-sensor.

송전전압이 점차 초고압화되면서 절연체의 유전특성을 개선하여 송전용량을 향상시키고, 절연내력을 높여 케이블 외경을 저감시키려는 시도에 따라 우수한 유전특성 및 절연내력을 갖는 폴리머 절연층과 기계적 특성, 절연유와의 적합성이 우수한 크라프트지의 장점을 혼합시킨 반합성지가 개발되어 전력케이블의 주절연재료로 사용되고 있다. 본 논문은 LS전선이 국내최초로 개발한 400 kV급 반합성지 전력케이블 및 접속함 개발과정 및 이와 관련된 요소기술에 대해 기술하였다. 송전시스템에서 요구되는 유전특성의 반합성지를 설계 제작하여, 기존 크라프트 절연지 대비 유전손실은 50% 수준, 절연내력은 125%이상의 반합성지를 개발하였고, 반합성지 고유의 특성인 팽윤율을 조절하여 케이블을 제조하였다. 반합성지 절연 케이블에 필요한 접속함에서는 보강절연재로 케이블과 동일한 반합성지를 사용하여 전체적인 3기를 감소시키고, 열저항성을 줄이고자 노력하였다. 또한, 접속함 조립공정에 필요한 저온연공법을 개발하여 반합성지에 열적 스트레스를 최소화하였다. 상기 관련기술의 개발 결과로, IEC 60141, AEIC CS2-97 및 NGTS 3.5.1에 근거하여 400 kV급 반합성지 OF 케이블 및 접속함에 대해 국제 공인기관인 KEMA의부터 Type Test을 인증받았다.

The resistance-capacitance (RC) delay of signals through interconnection materials becomes a big hurdle for high speed operation of semiconductors which contain multilayer interconnection layers. In order to reduce the RC delay, low-k materials will be used for inter-metal dielectric (IMD) materials. We have developed self-consistent simulation tool that includes neutral-species transport model, based on the relaxation continuum (RCT) model. We present the parametric study of the modeling results of a two-frequency capacitively coupled plasma (2f-CCP) with $N_2/H_2$ gas mixture that is known as promising one for organic low-k materials etching. We include the neutral transport model as well as plasma one in the calculation. The plasma and neutrals are calculated self-consistently by iterating the simulation of both species till a spatiotemporal steady state profile could be obtained.

본 연구는 살균선 및 오존선을 방사하는 저압 자외선램프를 이용하여 한약재 살균 및 장기간의 보관에 따른 변질 원인을 제거하고, 고품질 유지를 위한 것이다. 본 연구에서는 이미 발표한 오존 및 전기적 특성을 연구한 '오존램프를 이용한 약재 보관 특성(1)'에 이어서, 주로 약재 보관 특성의 관점에서 연구를 하였다. 대구 약전골목에서 현재 가장 많이 사용되고 유통되고 있는 작약, 백출, 왕기, 감초, 당귀를 실험에 이용 하였으며, 오존램프 보관 유무에 따른 약재의 외관상의 변화, 일반성분의 변화, 생리활성 물질의 변화 등 특성 평가를 연구하였다.

There are concern on possible health effects from exposure to electric and magnetic fields. One reflection of this concern is the considerable controversy, delay, and cost increases involved in the construction of utility lines and facilities. To meet such challenges, in this paper we investigated magnetic fields reduction techniqies such as general compaction, in-span compaction, cruciform, vertical, 3way splits phase, and 4way splits phase. As results, we found 1 spacer in-span compaction was appropriate in Korea in view of effectiveness and economy.

343 kV GIS 다빈도 조작 CB 내부에 접점이 마모되어 많은 파티클이 발생한다. 이러한 파티클이 GIS 네부에 존재할 때 어떠한 영향을 미치는지 이론적으로 근거를 제시하고, 이를 실험적으로 검증을 하였다. 현장에서 수거한 파티클을 설치 운영중인 PDMS 장비와 HAEFELY 장비를 이용하여 실험용 GIS에 삽입후 발생하는 현상들을 동시에 비교 분석하고자 한다.

본 논문은 현장에 운전 중인 모터를 효율적으로 고압 모터 감시 및 진단 기법을 검토하고 현장에 보다 적합한 고압모터 감시 및 진단 시스템을 설계 및 개발에 관하여 기술하였다. 고압 모터의 감시 및 진단 방법은 MCSA(Motor Current Signature Analysis) 기법을 기반으로 하여 순시전력, 공극토크, 진동분석 등 다양한 기법이 있으며 이 기법을 적용한 시스템이 출시되고 있다. 그러나 사용자의 요구 및 편이가 반영되지 않아 그대로 적용하기에는 어려움이 있다. 따라서 본 논문에서는 국내의 실정 및 사용자의 편이 맞도록 진단 시스템을 개발 필요성이 요구되어 다양한 검출 요소를 종합적으로 이용한 보다 현장에 적합하고 유용한 모터 감시 시스템을 설계하였다.

대형화, 고압화되고 있는 전력설비는 사고가 발생할 경우 그에 수반되는 산업, 경제, 사회적인 손실의 규모가 매우 커지는 경향을 가진다. 특히 적정온도 이상에서의 운전은 전력설비의 오동작을 일으키는 주요한 원인 중 하나이므로 비정상적인 온도상승을 조기에 감지하여 사고의 가능성을 감소시키는 시스템의 개발은 안정적인 전력설비 운용에 반드시 필요한 요소기술이다. 기존의 감시 시스템은 대부분 여러 위치의 정보를 동시에 얻기 위하여 여러 개의 개별 센서를 배열하여야하므로 대형중량화가 불가피하다는 단점을 갖고 있다. 그러나 광섬유 FBG 온도센서는 전자기 간섭의 영향을 받지 않고, 여러 개의 센서를 하나의 광섬유 라인에 설치하여 동시에 여러 부위의 온도를 측정할 수 있는 준분배형 온도센서 구현이 가능하다는 장점으로 과열감시 시스템에 적합한 센서로 인식된다. 본 연구에서는 광섬유 FBG 온도센서를 이용하여 변압기 단락시험을 통해 변압기의 온도 변화를 T-type thermocouple(이하 TC)과 동일한 지점에서 측정하고, 그 데이터를 비교분석함으로써 광섬유 FBG 온도센서 시스템의 신뢰성을 검증하였고, 이를 전력용 변압기 과열감시 시스템으로 적용할 수 있음을 제시하였다.

지중 전력케이블의 접속함은 금속보호관(Casing or Protective Tube)의 전기적 검토를 통해서 적정 단면적을 산정하여 고장시 고장전류를 흘려주어야 한다. 현재 국내외 금속보호관은 그 재료로서 Copper를 사용하고 있으나 현장에서의 시공성 및 취급 용이성 때문에 알루미늄 보호관으로 재질 변경이 이루어지고 있다. 본 논문에서는 기존의 Copper보호관과 Alumlnium보호관에서의 비교검토를 통해서 Aluminium보호관의 유효성을 검토하고 구리에서 알루미늄으로 재질 변경이 이루어 졌을 때 열적 제약조건을 고려하여 적정단면적을 재 산정한다. 또한 산정된 단면적은 단락시험을 통해서 그 유효성을 입증하였다.

본 논문에서는 상압에서 RF파워에 의해 플라즈마 바늘(plasma needle) 에서 발생된 마이크로 플라즈마를 이용한 바이오 실험에 대한 결과를 제시한다. 마이크로 플라즈마는 그 크기가 수 mm에서 수백 마이크로미터 크기의 플라즈마를 지칭하는 단어로써 다양한 전원에 의해 구동된다. 바이오 응용을 위한 저온 플라즈마는 세포 활동을 저해하지 않도록 온도가 적절히 제어되어져야만 한다. 본 논문에서는 플라즈마 온도를 40도 이하로 조절하도록 외부 인가 파워를 조절하였다. 플라즈마의 특성을 알기 위해서 기초적인 가스 스펙트럼에 대한 조사도 수행하여 아르곤 (Ar) 과 헬륨 (He) 의 결과를 저압의 결과와 비교하였다. 또한 작은 크기 때문에 플라즈마의 관찰이 용이하지 않으므로 모델링을 통한 시뮬레이션으로 플라즈마 거동 및 분포를 계산하였다. 시뮬레이션을 통하여 플라즈마에 대한 정보 및 향후 시스템 개선에 사용할 수 있다. 마이크로 플라즈마를 이용하여 수행한 기초적인 바이오 실험의 예로써 흑색종 (피부암세포, meianoma)에 대한 플라즈마 및 전기장의 효과를 제시한다.

The main aim of the paper is the study of the surge voltages in electric railway signal security system. Hence these studies will provide means of introducing a suitable protective device insulating transformer. This influences the surge voltage interrupting capacity using surge arresters and bypass capacitors. This circuit can be used for investigating surge phenomenon in electric railway signal security system. In this paper a insulating transformer has been introduced for the reduction of surge voltages in the above circuit model and performance evaluation.

In this paper the experiments of breakdown characteristics SF6 liquid ($LSF_6$) in model GIS(Gas Insulated Switchgear) were described. From the experiments results, The ability of $LSF_6$ insulation is higher than high-pressurized SF6 gas. The breakdown characteristics of $LSF_6$ were produced by bubble formed evaporation of $LSF_6$ and bubble caused by high electric emission. It is considered in this paper that the results are fundamental data for electric insulation design of superconductor and cryogenic equipments machinery which will be studied and developed in the future.

In this paper, there have been brief review about the important consideration in laboratory planning and construction of the reliability assessment infrastructure including 400 kV, 120 kVA AC test system, which enable to evaluate the HV long-term overcharged withstand performance for spacers using in Gas Insulated Switchgears up to transmission class, Also it is described simply about its trial running of the whole test system and its assessment example. To inform the founded national code, RS C 0084, and the procedure for getting a reliability assessment certificate issued by the government, brief description of the code and summation of test results have been conducted.

It has been studied about the important consideration in designing and construction of the reliability assessment facilities including the combined testing system for simulating condition of acceleratedly deteriorated environment, which enable to test and evaluate the large-sized HV power apparatus without any disassembly up to transmission class in this paper. Also it is described simply about its ratings and main technical specifications and trial running of the system. To evaluate the performance characteristics against combined test condition for various power installation, especially for the polymer type insulators and kinds of bushings, brief investigation and an analysis of test objects and related international codes and standards have been conducted.

환경오염 등으로 최근 자주 발생하는 국지성 집중호우로 인해 건물 중에서 지하 변전실은 가장 먼저 침수가 발생하게 된다. 따라서 본 논문은 지하에 시설된 전기 설비 중 몰드 변압기의 표면이 수분과 같은 불순물에 의해 오염될 경우 절연물에 미치는 영향과 위험성을 알아보기 위한 것으로 건조 시와 수용액 분무 후에 대한 연면손상에 대해 연구하였다. 실험 장치는 고전압 발생장치, 전극, 촬영장치 등으로 구성되었으며, 실험 결과 불꽃의 형상은 건조 시에는 가늘고 강한 빛으로 거의 직선적이고, 수용액 분 후는 산발적으로 광범위하게 나타난다. 방전에 의한 연면손상 특성을 보면 건조 시와 수용액 분무 후 모두 전극 간격이 증가할수록 탄화의 흔적이나 손상의 정도가 감소함을 알 수 있었으며 전반적으로 수용액 분무 후는 건조 시 보다 탄화 및 손상의 정도가 낮은 반면 부위는 광범위한 것으로 나타났다.

In this paper, for measuring 100kA class steep pulses, Rogowski pulse current sensor has been designed by EMD and then calibrated with discharged circuit. The operation range of designed sensor is 20 kHz$\sim$50 MHz, 1$\sim$100 kA.

ITVDC 해저케이블의 절연은 주로 지절연물(紙絶緣物)에 고점도의 컴파운드를 강제함침(mass-impregnation)하여 제조된다. 이러한 강제 함침 작업은 제조 공정 중 가장 긴 시간이 소요되며, 케이블의 절연 특성을 결정하는 중요한 요소가 된다. 그러나 함침은 복잡한 물리현상이며, 함침이 진행되는 동안 케이블의 내부 상태를 직접 관찰하기 곤란하다. 따라서 기존의 제조 경험을 바탕으로 작업조건에 충분한 안전율을 적용하는 실정이다. 이와 같은 강제함침 작업조건을 합리화하면 공정에 소요되는 시간뿐 아니라 함침조건을 조정하여 케이블 절연 특성의 향상까지 기대할 수 있다. 본 논문에서는 당사가 HVDC 해저케이블 개발과정에서 함침에 관한 이론적 검토와 간이 함침실험을 통해 정립한 함침조건에 대해 기술하였다.

In this paper, a method to assess the reliability of an insulating spacer used in gas insulated switchgear by electrical accelerated lifetime test is represented. And a test plan to assure the expected lifetime with 90 % confidence level is also included.

In this paper, a co-axial type ozonizer varied with discharge gap was designed and manufactured for investigating (1) discharge characteristics with variation of output voltage power supply, flow rate and gap distance (2) ozone generation and solubility characteristics with variation of flow rate, gap distance and discharge power. Pure oxygen was used as process gas of the co-axial type ozonizer.

This study evaluated the impedance characteristics of earth termination system and developed a variable frequency-typed inverter (measuring tool) for the utilization in ground design for lightning protection. The variable-frequency-typed inverter were composed of rectification part, voltage adjuster, IGBT controller and measuring part. Meanwhile, the square wave signal of variable frequency converted its frequency up to lightning surge band by using an IGBT after rectifying an alternating current (AC). It conducted performance evaluation of ground impedance of actual earth termination system by using the developed measuring tool for ground impedance and confirmed that such impedance-oriented performance evaluation was effective in the design of lightning protection.

An effective method is described for monitoring the ground impedance of intelligent building and power system. Most of grounding system of buildings are interconnected to extensive grounding network of power line, signal and control line, telecommunication line, and etc. Therefore, the residual voltages of power frequency and its harmonics may have an significant influence on the accurate measurement of ground impedance. For eliminating the influence of residual voltage, we developed a test power source for generating the 110[Hz] square wave and used digital filtering method in this research.

AC spark discharge voltage of SF6/C02and SF6/N2 containing various mixed rate in volume percent (1, 5 and 10%) of SF6 in non-uniform fields are investigated. The needle to plane electrode gap spacing was 5 and 10 mm, and the gas pressure was varied within the range of 0.1${\sim}$0.7 MPa. We have observed a N-characteristic typical for the electronegative gases even in gas mixtures of 1% SF6 with CO2 and N2 as buffer gases. Especially, the materials of the needle electrode affect the insulation properties of the gas mixtures drastically. On the contrary to the case of needle electrodes made by mild steel or high carbon steel, the N-characteristics are hardly perceived in the case of stainless steel needle in this experiment.

현재상용화 되어 있는 AC PDP는 Ne, Xe 혼합가스를 주로 사용한다. Xe gas의 비율이 높아짐에 따라 PDP의 휘도와 효율은 상승하지만 그와 동시에 방선 전압도 함께 상승하여 이 분야의 연구가 요구된다. 그래서 우리는 Ne gas를 버퍼 가스의 사용하괴 Xe gas를 0${\sim}$15%, Kr gas를 0${\sim}$50% 비율의 첨가하여 패널의 방전 개시 전압, 방선 유지 전압, 방선 마진, 휘도, 효율을 측정하였다. 그 결과 방선 개시 전압이 같고 효율이 각각 2.93[Im/w], 3.23[Im/w]인 Xe10%+Kr20%, Xe5%+Kr40%와 같은 최적의 3원 가스조합을 찾아내었다. 또한 Xe gas와 Kr gas의 합이 40%일 때 효율이 가장 좋아지는 것을 알 수 있었다.

In the AC PDP, the MgO film is used as electrode protective film. This film must provide excellent ion bombardment protection, high secondary electron emission, and should be high transparent to visible radiation. In this study, we investigated the relations between the crystal orientation and e-beam evaporation process parameters. The crystal orientation of the MgO layer depends on the conditions of deposition. The parameters are the thickness of the MgO film $1000{\AA}-6500{\AA}$, the deposition rate $200{\AA}/min{\sim}440{\AA}/min$, the temperature $150^{\circ}C{\sim}250^{\circ}C$, and the distance between crucible and substrate 11cm ${\sim}$ 14cm. The temperature of substrate and evaporation rate of source material, or deposition rate of the film, are definitely related to the crystal orientation of the MgO thin film. The crystal orientation can be changed by the distance between the target(MgO tablet) and the substrate. However, the crystal orientation is not much affected by the thickness of MgO thin film.

기존의 3${\sim}$4mm 간격을 가진 냉음극 형광램프(CCFL)나 외부전극형광램프(EEFL)는 휘도의 균일성과 응답속도가 열등하기 때문에 42인치보다 큰 크기를 가지는 LCD TV에 적합하지 않다. 그래서 대면적 BLU(backlight unit)에 적합한 평면형광램프(FFL)에 대한 관심이 높아지고 있다. 본 논문에서는 FFL의 발광 효율을 향샹시키기 위하여, 가스 혼합비를 변화시키면서, 2차원 유체코드를 이용한 수치해석을 통하여 방전효율에 영향을 미치는 요소가 Hg임을 확인 하였다.

기존의 fence전극구조는 ITO구조에 비해 방전전류와 휘도가 감소하여 효율이 떨어지는 것으로 알려져 있다. 따라서 효율 상승을 위하여 다음과 같은 fence 구조를 제안하였다. 실험은 reference(ITO구조) 와 제안된 structure로 구성되어 있는 4-inch ac-PDP 패널을 직접 제작하여 sustain voltage magin, discharge current, luminance를 측정하여 비교하였다. 제안된 구조는 방전전류 최대 43%감소, 휘도는 최소 35% 감소하여 효율면에서 ITO와 거의 동일한 효율을 가진다.

플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel PDP)의 구동은 리셋, 어드레싱 및 써스테인 구동으로 나뉘어진다. 써스테인 기간동안 원하는 영상을 표현하기 위해서는 어드레싱이 필요하며, 효과적인 어드레싱을 위해서는 리셋이 필수적으로 요구된다. 그러나 이 리셋은 적지 않은 시간을 필요로 하며 배경광을 발생시켜 명암비를 저하시키는 영향을 가져온다. 본 논문에서는 배경광의 발생을 최소화하며 효과적인 어드레싱을 위한 초기화를 효과적으로 달성하고 이 초기화에 소요되는 시간이 기존의 리셋 방식에 비하여 절반 정도인 새로운 리셋 구동 방식을 제시한다.

154kV송전용 자기현수애자 오손특성을 구하기 위하여 자체 제작된 챔버 내에서 3개의 자기애자를 현수하여 누설전류파형의 변화를 관찰하였다. 154kV 송전용자기 애자의 신뢰성평가를 위하여 ESDD 레벨에 따른 누설전류 파형 및 최대값 변화양상을 단계적 승압을 통하여 파형을 계측하였다. ESBD 레벨에 따른 누설전류 파형의 최대값이 아크방전의 영향이 없을 경우는 일정한 규칙으로 증가하였고, ESDD레벨이 높아지면서 아크방전의 발생은 주파수 분석을 통한 고조파성분의 변화양상을 볼 수 가 있다.

배전용 고분자피뢰기의 오손환경 하에서 표면누설전류, 저항성누설전류, 전체누설전류 특성을 구하기 위하여 ESDD오손환경 하에서 실험을 실시하였다. ESDD레벨에 따라 인가전압의 승압으로 일정한 규칙을 얻을 수 있다. 또한 피뢰기의 진단을 위해서 모니터 링을 위한 파라미터는 저항성성분의 누설전류를 이용하였다. Clean상태의 피뢰기는 3고조파가 우세한상태로 인가전압의 승압에따라 특징을 찾을 수 있었다 그러나 오손된 경우는 clean상태와는 전혀 다른 5고조파성분이 크게 나타난 결과를 얻을 수 있었다.

Solid insulation exposed to voltage is degraded by electrical tree process. And the degradation of the insulation is accelerated by voltage application. For this experimental, specimen of e1ectrical tree model is made by XLPE (cross-linked polyethylene). And the size of the specimen is $7*5*7\;mm^3$. Distance of need1e and plane is 2 mm. Voltages applied for acceleration test are 12 kV to 15 kV. And distribution characteristic of degraded stage is studied too. As a PD detecting and data process, discharge data acquire from PD detecting system (Biddle instrument). The system presents statistical distribution as phase resolved. Moreover the processing time of electrical tree is recorded to know the speed of degradation according to voltage.

본 논문은 초고압용 XLPE 케이블의 절연/단도전의 계면특성 향상을 위해 계면활성제 부가를 통한 절연파괴전압 향상에 관한 것으로, 계면구조의 변화와 이에 따른 절연파괴전압의 상관성을 밝히고자 하였다. 이를 위해, 계면확성제의 함량에 따른 절연/반도전 계면에서의 결정 미세구조(라멜라 밀도와 분자배향)를 스침각 X-ray와 TEM분석을 통해 밝히고, 이를 절연파괴 특성과의 상관성을 밝혔다. 연구결과, 사용되는 기저고분자와 첨가제 간의 정합성과 최적의 첨가제 함량이 절연재료의 파괴강도에 큰 영향이 있음을 알 수 있었다. 즉, 과도한 첨가제의 부가로 인하여 계면으로 이동한 계면활성제 간에 인력으로 뭉치게 되고(aggregation), 결국 국부적인 도메인을 형성하여 절연파괴 개시부로 작용할 수 있게 된다. 이를 스침각 X-ray (Gl-SAXS)를 통하여 라멜라 밀도 및 배향을 정량화 할 수 있으며, 이는 XLPE 전력케이블의 반도전 재료의 처방 및 계면특성 정량화 기법으로 유효하게 사용될 수 있을 것이다.

In recent, there have been several developments in lamp technology that promise savings in electrical power consumption and improved Quality of the lighting space. Above all, the advantages of ring-shaped electrodeless fluorescent lamp are the removal of internal electrodes and heating filaments that are a light-limiting factor of conventional fluorescent lamps. Therefore, the life time of ring-shaped electrodeless fluorescent lamps is substantially higher than that of conventional fluorescent lamps last up to 60,000 hours, There are intended as a highly efficient replacement for the incandescent reflector lamp in many applications. In this paper, maxwell 3D finite element analysis program (Ansoft) was used to obtain electromagnetic properties associated with the coil and nearby structures. The electromagnetic emitting properties were presented by 3D simulation software operated at 250 kHz and some specific conditions. In addition, the optical characteristics of ring-shaped electrodeless fluorescent lamp were measured including light flux, efficiency and color temperature for each case.

In this paper, we manufactured high flux LED module with Through Hole type. and we measured electrical, optical and thermal properties by driving type. LED module was composed with 8*8 arrangement form by using the glass epoxy PCB. Also, we measured the most suitable driving type with static voltage driving type and static current driving type. As a result, the LED Module of static voltage driving type showed high luminance characteristic than the static current driving type by suppling enough bias. However, the static current driving type showed more stable driving properties because of fast decreasing properties about brightness by increasing the surrounding temperature in the static voltage driving type. Also, due to Quantum confined Stark effect from piezoelectric field, the wavelength of bule peak shifted to long wavelength direction by increasing the surrounding temperature in the static voltage driving type.

In this paper, we have studied for analysis of the partial discharge(PD) signal in power transmission line. The PD signal has estimated as detected signal accumulation of a PRPDA method by using Labview, and analyzed with neuro-fuzzy algorithm. With practical PD logic implementation of theoretical detected system and hardware implementation, the device for Hipotronics Company's 22.9kV or 154kV setup has generated and then has applied with 18kV,20kV with 1:1 time probe. It's also used the LDPE O.27mmt (scratch error O.05mmt) to sample for making PD. Our new class of PD detected algorithm has also compared with previous PRPDA or Fuzzy algorithm, which has diagnose more conveniently by adding numerical values.

there are several methods to raise the LED efficiency. In this paper, we designs a simulation(method) to promote the LED efficiency by attaching another lens to a lead type LED lamp. this concentrates a dispersed light.

이 논문은 현재 국내에 설치된 LED교통신호등 중 고장이 발생한 다수의 시료를 채취하여 고장사례를 정리하고, 사례별로 괴상원인을 분석하였다. 특히 신호등의 성능을 좌우하고 실질적인 고장의 원인을 제공하는 전원장치의 고장에 대하여 고장유형별로 구동방식을 비교, 분석함과 동시에 고장부분별 원인분석 및 평가를 통하여 LED교통신호등의 고장을 최소화 할 수 있는 방안을 제시하였다.