Sawyer-Tower 회로를 이용한 강유전 이력곡선의 측정에서 직류 누설성분에 의한 오차요인을 검토하고 그 해결책을 제안하였다. 강유전체 시편에 존재하는 직류 누설성분에 의한 잔류분극과 항전계는 항상 과대 평가될 수 있는 위험성이 있음을 알 수 있었으며 이러한 오차는 직류누설성분이 크고 측정시간이 길수록 심화되었다. Sawyer-Tower 회로를 이용한 강유전 이력곡선과 함께 보완적으로 활용할 수 있는 전류이력곡선을 새롭게 제안하였다.

NiCuZn 페라이트에 V₂O/sub 5/가 0∼0.5 wt% 첨가된 페이스트를 사용하여 스크린 인쇄법으로 페라이트 후막을 제조한 후, 870∼900℃에서 소결하여 V₂O/sub 5/ 첨가량에 따른 소결밀도, 미세구조 등의 물리적 특성 및 자기적 특성 변화를 분석하였다. 소결온도 870℃의 경우 V₂O/sub 5/를 0.5 wt% 첨가한 시편의 소결밀도가 0.58 g/cm³로 가장 hsvrp 나타낫고, 소결온도가 올라갈수록 소결밀도 차이가 줄어들어 900℃의 경우 모든 시편이 5.15g/cm³이상으로 높은 밀도를 나타내었다. V₂O/sub 5/가 0.5 wt% 첨가된 경우에 액상소결이 발달하였으며, V₂O/sub 5/가 0.1, 0.3 wt% 첨가된 시편은 입자성장이 억제되어 입자크기가 V₂O/sub 5/를 첨가하지 않은 시편보다 작았다. 전체의 소결온도 범위에서 V₂O/sub 5/가 첨가되지 않은 시편의 입자크기가 크고 균일하기 때문에 투자율이 가장 높게 나타났으며, 소결온도 880℃ 이상에서 V₂O/sub 5/ 0.3 wt% 첨가 시편의 Q값이 가장 높은 것으로 나타났다. 결론적으로 칩 인덕터용 NiCuZn 페라이트 소재 제조 시, 투자율값을 중시할 경우에는 V₂O/sub 5/를 첨가하지 않아야 하며, 품질계수를 중시할 경우에는 V₂O/sub 5/의 첨가량이 0.3wt%를 넘지 않아야 함을 알 수 있었다.

Ba(Mg/sub 1/3/Nb/sub 2/3/)O₃분말을 columbite precursor 법으로 합성하고 열처리 조건을 달리하여 소결 한 다음 1 : 2 양이온 배열의 장거리 규칙도의 변화를 조사하였다. 1350℃ 소결 시편에서는 소결 시간의 증가에 의해 장거리 규칙도가 감소하였으며 1500℃-4h의 조건에서 열처리한 시편의 경우는 0.94정도의 높은 규칙도를 가졌다.

We have studied the effect of sintering temperature and time on the cation ordering and second phase formation in Ba(Mg/sub 1/3/Nb/sub 2/3/)O₃(BMN) microwave ceramics by using transmission electron microscopy. The relationship between the structural-chemical behavior arid microwave dielectric properties has also been investigated. It is revealed that according to the sintering conditions the BMN ceramics show very diverse local ordering behavior, such as the development of domain twinning and "core-shell"-structured grains and the formation of local disordered domains, though having 1 : 2 cation ordering structure basically. The disordered structure is found in Mg-excess region. Such local chemical variation seems to be caused by the formation of BaNb₂O/sub 6/-like second phase in its neigh-boring grain boundary. The microwave dielectric quality factor of the ceramics decreases greatly with the increase of the structural-chemical inhomogeneity and diversity.

[NiL₃]Cl₂·3H₂O (1) (L=trans-1,2-diaminocyclohexane) 착물을 합성하고 구조를 규명하였다. 이 착물은 입방결정계, 공간군 P2₁3, a=13.830(1) Å, V=2645.9(2) ų, Z=4로 결정화 되었다. 이 착물의 구조는 최소자승법으로 정밀화하였으며, 최종 신뢰도 R₁(wR₂) 값은 1500회의 회절반점에 대하여 0.0766(0.2068)이었다.

p-tert-Calix[4]arene, tosylate of 2-(2-chloroethoxy)ethanol, $K_2CO_3$, 그리고 acetonitrile의 혼합물(混合物)로부터 합성(合成)된 상기제목(上記題目)의 화합물(化合物), $C_{52}H_{70}C_{12}O_6$은 비뚫어진 cone 형태(形態)를 띠고 있으며, 분자내(分子內) hydroxy group의 산소원자(酸素原子)들과 dichloride 꼬리부분(部分)의 산소원자(酸素原子)들간의 두 개(個)의 수소결합(水素結合)에 의(依)해 안정(安定)되어 있다.

국내의 화력발전소에서 발생하는 석탄회를 사용하여 $2.0M\sim3.5M$ 농도의 NaOH 수용액과 $80^{\circ}C{\sim}120^{\circ}C$에서 24시간 수열 반응시켜 필립사이트 형 제올라이트를 합성하였다. 합성된 제올라이트 분말의 특성을 XRD, SEM, IR 등을 이용하여 조사하였다. 석탄회의 산지에 따른 조성변화, 합성 시의 온도 및 NaOH의 농도 변화 등이 수열 합성된 제올라이트에 미치는 영향은 IR 흡수 스펙트럼에서 잘 나타났다. 석탄회의 $SiO_2$함량이 높고 합성온도와 NaOH 농도가 높을 수록 $TO_4$(T=Si, Al) 사면체가 규칙성이 높은 구조로 합성되었다.

단결정 실리콘의 기계적 손상거동에 대한 이해는 반도체 정밀가공의 관점에서 매우 중요하다. 최근 이루어지고 있는 Diamond Anvil Cell(DAC) 이나 압입시험을 통한 고압상연구로 부터 실리콘은 고압에서 일련의 상변화과정을 겪는다는 것이 알려지고 있으며 마찬가지로 실리콘에 다이아몬드 팁으로 scratching시험을 하는 과정에서 다양한 기계적인 손상과 응력상들이 나타날 수 있다. 본 연구에서는 단결정 실리콘에 대하여 scratching시험에 의하여 나 타나는 균열에 대하여 고찰하고 mirco-Raman 분광법을 사용하여 scratching에 의하여 나타나는 상을 분석하였다. 그 결과 scratching 방향과 속도에 따라 균열의 양상이 달라지며 scratching속도와 하중조건에 따라 여러가지 다른 상이 관찰됨을 확인하였다