[ $cis-[Co(13-aneN_4)(N_3)_2]Cl{\cdot}H_2O$ ] (1) (13-ane$N_4$ = 1,4,7,10-tetraazacyclotridecane) 착물(錯物)을 합성(合成)하고 구조(構造)를 규명(糾明)하였다. 이 착물(錯物)은 단사정계(單斜晶系), 공간군(空間群) Pbca, a = 7.8282(4) ${\AA}$, b = 14.3197(7) ${\AA}$, c = 29.9021(15) ${\AA}$, V= 3351.9(3) ${\AA}^3$, Z = 8로 결정화(決定化) 되었다. 착물(錯物) 1의 코발트(III)이온은 거대(巨大)고리 리간드의 4개(個)의 질소원자(窒素原子)와 시스 위치에 2개(個)의 azide 리간드가 결합(結合)한 고천(若干) 일그러진 팔면체(八面體) 구조(構造)를 갖는데, 착물(錯物)의 양이온, 염소(鹽素) 음이온 및 물분자(分子)를 통하여 1차원의 수소결합(水素結合)을 형성(形成)한다.

이핵 구리 착물(錯物) {[Cu(pmea)Cl][Cu$(H_2O)_3]}Cl_2\cdot H_2O$ (1) (Hpmea=bis(2-pyridylmethyl)amino-2-ethanoic acid)을 합성(合成)하고 구조(構造)를 규명(糾明)하였다. 이 착물(錯物)은 단사정계(單斜晶系), 공간군(空間群) $P2_1/c$, a=9.0008(6) ${\AA}$, b=28.0171(19) ${\AA}$, c=8.5590(6) ${\AA}$, $\beta$=104.2280(10)$^{\circ}$, V=2092.2(2) ${\AA}^3$, Z=4로 결정화(決定化) 되었다. 착물(錯物) 1의 결정구조(結晶構造)는 대칭(對稱)-반대칭(反對稱) carboxylate 다리로 연결(連結)된 이핵 착물(錯物)로서, 각각(各各) 구리원자의 배위환경(配位環境)은 고천(若千) 일그러진 사각뿔구조(構造)와 고천(若干) 일그러진 사각평면구조(構造)를 갖는다.

BaO layers were formed on the Si(100) surface by thermal evaporation of barium metal with simultaneous oxidation. The atomic structure of BaO layers at the initial stage of the deposition was investigated by the scattering intensity variation of $He^+$ions on time-of-flight (TOF) impact-collision ion scattering (ICISS). The results show that several number of BaO layers are formed on the Si(100) surface with the lattice parameter of bulk phase, and the occupation of oxygen atoms of the BaO layers is on-top site of silicon atoms.

표면 및 계면층의 결정구조, 결함구조, 불순물 편석, 표면의 전자 구조, 원자 진동 등과 같은 산화물의 표면물성은 촉매, 센서, 소결, 마찰, 부식 등과 같은 분야에서 그 특성을 좌우한다. 고체 표면의 결정구조 해석 수단으로 저에너지 이온산란 분광법이 유용한 도구로 알려져 있는데, 이 방법의 뛰어난 표면민감성은 표면에서의 효과적인 이온 중성화 과정에 기인한다. $He^+$, $Ne^+$, $Ar^+$ 등과 같은 이온은 Auger 중성화 과정에 의하여 쉽게 중성원자화 되고, 중성화 확율의 타겟에 대한 의존성이 낮기 때문에 이온빔으로서 종종 사용된다. 산란각도를 180$^{\circ}$로 고정하여 산란이온 검출기를 설치한 직충돌 이온산란 분광법의 경우는 산란된 이온의 궤적이 입사궤도와 거의 동일하기 때문에 산란궤적의 계산이 간단해지고, 수 층 깊이의 원자구조의 해석이 가능해진다. 본 고에서는 고체 표면의 원자구조를 실공간에서 해석할 수 있는 직충돌 이온산란 분광법에 대하여 측정의 기본원리, 측정장치, 간단한 분석 예 등에 관하여 기술하고자 하며, 다음 편에서는 복잡한 표면구조를 가지는 반도체 표면에서 직충돌 이온산란분광법의 이용하여 해석한 예를 중심으로 기술하고자 한다.

수열법으로 압전수정, 방해석 및 산화아연 단결정을 성장하고 각종 결함 및 성장된 단결정의 구조적, 화학적, 물리적 특성을 고찰하였다. 수열법은 직접 용융법으로 단결정을 성장할 수 없는 재료의 결정 성장에 많이 이용되며 수정의 경우, 융액의 점도가 매우 높고 유리화하는 성질이 있어 직접 용융으로 단결정을 성장할 수 없다. 방해석과 산화아연의 경우 용융하였을 때 분해되기 때문에 직접 용융법으로 단결정을 성장할 수 없어 수열법이 사용된다. 본 고찰에서는 수열법의 성장 원리와 성장 방법, 결함 검출 방법 및 물리적, 화학적 특성 측정 등을 다루었으며 또한 산업화 적용에 대하여 다루었다.