• 대한수학회논문집
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• 제20권2호
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• pp.339-350
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• 2005

We obtain the following two inequalities on a strongly pseudoconvex domain $\Omega\;in\;\mathbb{C}^n\;:\;for\;f\;{\in}\;O(\Omega)$ $$\int_{0}^{{\delta}0}t^{a{\mid}a{\mid}+b}M_p^a(t, D^{a}f)dt\lesssim\int_{0}^{{\delta}0}t^{b}M_p^a(t,\;f)dt\;\int_{O}^{{\delta}O}t_{b}M_p^a(t,\;f)dt\lesssim\sum_{j=0}^{m}\int_{O}^{{\delta}O}t^{am+b}M_{p}^{a}\(t,\;\aleph^{i}f\)dt$$. In [9], Shi proved these results for the unit ball in $\mathbb{C}^n$. These are generalizations of some classical results of Hardy and Littlewood.

• 한국소성가공학회:학술대회논문집
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• 한국소성가공학회 1996년도 추계학술대회논문집
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• pp.29-37
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• 1996

A ductile fracture criterion, which has already proposed, namely, ($\Delta$1/1o)f at $\Delta$$\sigma$ m=(($\Delta$1/1o)f+(-1/tan$\theta$)$\Delta$$\sigma$m(where ($\Delta$1/1o)f is fracture elongation, $\Delta$$\sigma$m is mean stress variation) was made use of to study the working limit in axisymmetric extrusion. The present investigation is concerned with the application of theory on flow and fracture to the prediction of workability of materials in axisymmetric bar extrusion, with special reference to central bursting. The influenced of die geometry and manufacturing conditions on the central bursting are predicted.

• 전기화학회지
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• 제3권2호
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• pp.109-114
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• 2000

다결정 $Ir/H_2SO_4$수성 전해질 계면에서 중간주파수 구간의 위상이동 변화와 Langmuir흡착등온식 사이의 관계를 교류임피던스 방법 즉 위상이동 방법을 이용하여 연구 조사하였다. 간소화된 계면 등가회로는 전해질저항(Rs), Faraday저항$(R_F)$, 흡착유사용량$(C_\phi)$ 등가회로 요소$(C_P)$의 직렬접속으로 구성된다. 음전위(E)에 대한 위상이동$(-\phi)$과 표면피복율$(\theta)$ 변화율$[\Delta(-\phi)/{\Delta}E,\;{\Delta}{\theta}/{\Delta}E]$을 비교 및 제시하였다. 지연되는 위상이동$(-\phi)$은 음전위(E) 및 주파수(f)에 따르며, $\phi=tan^{-1}[1/2{\pi}f(R_s+R_F)C_P]$이다. 중간주파수(1 Hz)에서 위상이동 변화$(-\phi\;vs.\;E)$는 Langmuir흡착등온식 $(\theta\;vs.\;E)$의 결정에 적용할 수 있는 실험적인 방법이다. 다결정 Ir/0.1 M $H_2SO_4$ 전해질 계면에서 수소의 흡착평형상수(K)와 흡착표준자유에너지 $({\Delta}G_{ads})$는 각각 $2.0\times10^{-4}$와 21.1kJ/mol이며 과전위 수소흡착(OPD H)에 기인한다.

• 한국작물학회지
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• 제30권3호
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• pp.217-222
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• 1985

초형이 다른 3종의 수도 Isogenic line(Open-Spread- 및 Broom-type)을 5수준의 이앙밀도(47.62, 22.22, 15.15, 15.11 및 8.33주/$m^2$)와 4수준의 시비조건(증비, 보비, 감비 및 무비)에 공시하여 얻은 수량자료를 Multiple regression polynomial 수식으로 고정하고 편미분하여 밀도와 시비및 밀도$\times$시비의 작용력을 해석하였다. 그 결과는 다음과 갈다. 1. 소식조건하에서의 밀도변동에 따른 수량 반응은 Broom-type이 가장 높고 예민하였다(도 1). 2. 이앙밀도의 작용력〔$\delta$f(D, F)/$\delta$D〕은 Open-, 및 Spread-type이 다비에서 높아지는 대신에Broom-type은 시비와 관계없이 소식 및 밀식에서 높은 경향이었다.(도 2). 3. 시비율의 작용력 〔$\delta$f(D, F)/$\delta$D〕은 0~1000kg/10a 범위로서 Open- 및 Spread-type에서는 밀식조건하에서 높았으나 Broom-type에서는 소식조건하에서 소비 및 다비의 작용력이 큰 경향이었다(도 3). 4. Broom-type의 소식조건하에서 밀도$\times$시비의 상호작용력 〔$\delta$$^2$F(D, F)/$\delta$D$\delta$F〕은 음성을 나타내었고, Open- 및 Spread-type은 표준 및 밀식과 증비 조건에서 양성을 나타내었다(도 4). 5. $m^2$당 11~14주의 소식조건하에서 추정되는 소요시비수준은 Open-type 이 1.3~1.5배비인 반면에 Broom-type은 1.5배비 이상의 수준인 것으로 판단되었다. 6. 소식에 의한 이앙노동의 생력화를 위해서는 다비수용이 가능한 Broom-type의 연구가 필요할 것으로 해석이 된다.

• Korean Journal of Mathematics
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• 제18권1호
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• pp.45-52
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• 2010

Generalizing $Lindel{\ddot{o}}f$ frames and almost compact frames, we introduce a concept of almost $Lindel{\ddot{o}}f$ frames. Using a concept of ${\delta}$-filters on frames, we characterize almost $Lindel{\ddot{o}}f$ frames and then have their permanence properties. We also show that almost $Lindel{\ddot{o}}f$ regular $D({\aleph}_1)$ frames are exactly $Lindel{\ddot{o}}f$ frames. Finally we construct an almost $Lindel{\ddot{o}}fication$ of a frame L via the simple extension of L associated with the set of all ${\delta}$-filters F on L with ${\bigvee}\{x^*{\mid}x{\in}F\}=e$.

• 충청수학회지
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• 제16권2호
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• pp.31-41
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• 2003

In this paper, we will show that the bounds for coefficients of harmonic, orientation-preserving, univalent mappings f defined on ${\Delta}$ = {z : |z| > 1} with $f({\Delta})={\Delta}$ are sharp by finding extremal functions.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제8권1호
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• pp.22-27
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• 1980

Talysurf에 의한 톱니마모정도의 수량화가 수행되었다. (1)톱니의 단면은 아래식을 만족시키는 조건에서 Taysurf의 그래프로서 얻어진다. ${\frac{{\Delta}h}{h}}={\frac{V{\Delta}_x}{V_x}}$ {${\Delta}h$: stylus의 수직이동거리 h: 챠트에 있어서 수직거리 $V{\Delta}_x$: stylus의 이동속도 $V_x$: 챠트의 이동속도} (2) stylus의 오차는 아래식에 의하여 계산된다. i) 13.8${\mu}{\leqq}$x<20.4${\mu}$ y=-0.2246x+4.59${\mu}$ ii) 0${\leqq}$x<13.8${\mu}$ y=${\sqrt{(-18{\mu})^2-x^2}}-1.42x+32.7{\mu}}$ (3) 톱니단면과 stylus의 오차는 아래식에 의하여 계산된다. $E(%)=\frac{f(r){\times}{\frac{4}{18{\mu}}}}{f(R){\times}{\frac{R}{18.5{\mu}}}-f(r){\times}{\frac{r}{18{\mu}}}}{\times}100$ {E(%) : stylus의 오차/톱니의 둔함 r: stylus의 반경 R: 챠트에서 얻어지는 그라프의 반경 f(r): stylus의 오차 f(R): 챠트에서 얻어지는 그라프의 둔함} (4) 최대오차와 톱니단면의 관계에서 쌍곡선그라프를 얻을 수 있다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권1호
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• pp.1-6
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• 2006

High performance $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ heterostructure metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) were fabricated using well-controlled delta-doping of boron and $Si_{0.8}Ge_{0.2}$/Si heterostructure epitaxal layers grown by reduced pressure chemical vapor deposition. In this paper, we report 1/f noise characteristics of the SiGe pMOSFETs measured under various bias conditions of the gate and drain voltages changing in linear operation regions. From the noise spectral density, we found that the gate and drain voltage dependence of the noise represented same features, as usually scaled with $f^{-1}$ However, 1/f noise was found to be much lower in the device with boron delta-doped layer, by a factor of $10^{-1}_10^{-2}$ in comparison with the device fabricated without delta-doped layer. 1/f noise property of delta-doped device looks important because the device may replace bipolar transistors most commonly embedded in high-frequency oscillator circuits.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.251-254
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• 2004

The aging diagnosis technique using partial discharge detection method detects partial discharge signals cause of power equipment failuer and able to forecast the aging state of insulation system through analysis algorithm, in this paper accumulates HFPD signal during constant scheduled cycles to build HFPD pattern and then analyzes HFPD pattern using statistical parameters and ${\Delta}F$ pattern. The 3D pattern is composed of detected signal frequency, amplitude and repeated number and the FRPDA(frequency resolved partial discharge analysis) technique is used in 3D pattern construction. The ${\Delta}F$ pattern shows variation characteristics of amplitude gradient of consecutive HFPD signal Pulses and able to classify discharge types-internal discharge, surface discharge and coronal discharge etc. Fractal mathematics applied to ${\Delta}F$ pattern quantification and neural networks is used in aging diagnostic algorithm.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.5-6
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• 2005

High performance SiGe heterostructure metal-oxide-semiconductor field effect transistors(MOSFETs) were fabricated using well-controlled delta-doping of boron and SiGe/Si heterostructure epitaxal layers grown by reduced pressure chemical vapor deposition. In this paper, we report 1/f noise characteristics of the SiGe MOSFETs measured under various bias conditions of the gate and drain voltages changing in linear operation regions. From the noise spectral density, we found that the gate and drain voltage dependence of the noise represented same features, as usually scaled with $f^1$. However, 1/f noise was found to be much lower in the device with boron delta-doped layer, by a factor of $10^{-1}\sim10^{-2}$ in comparion with the device fabricated without delta-doped layer. 1/f noise property of delta-doped device looks important because the device may replace bipolar transistors most commonly embedded in high-frequency oscillator circuits.