터널링 $SiO_2/Si_3N_4$ 절연막의 적층구조에 따른 비휘발성 메모리 소자의 특성 고찰
(Study of Nonvolatile Memory Device with $SiO_2/Si_3N_4$ stacked tunneling oxide)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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- pp.189-190
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- 2008