Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2008.11a
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- Pages.128-129
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- 2008
Annealing Effects of Tunneling Dielectrics Stacked $SiO_2/Si_3N_4$ Layers for Non-volatile Memory
비휘발성 메모리를 위한 $SiO_2/Si_3N_4$ 적층 구조를 갖는 터널링 절연막의 열처리 효과
- Kim, Min-Soo (Kwangwoon Univ.) ;
- Jung, Myung-Ho (Kwangwoon Univ.) ;
- Kim, Kwan-Su (Kwangwoon Univ.) ;
- Park, Goon-Ho (Kwangwoon Univ.) ;
- Jung, Jong-Wan (Sejong Univ.) ;
-
Chung, Hong-Bay
(Kwangwoon Univ.) ;
-
Cho, Won-Ju
(Kwangwoon Univ.)
- 김민수 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 정명호 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 김관수 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 박군호 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 정종완 (세종대학교 나노공학과) ;
-
정홍배
(광운대학교 전자재료공학과) ;
-
조원주
(광운대학교 전자재료공학과)
- Published : 2008.11.06
Abstract
The annealing effects of