Purpose: This study investigated the current status of post-traumatic stress and related factors among safety managers in Korea National Parks. Methods: The study subjects were 109 safety managers working in Korea National Parks. General characteristics, job-related characteristics, experience of traumatic events and post-traumatic stress were collected by self-reported questionnaires through the mail. The associated factors with post-traumatic stress was analyzed by t-test, ANOVA and multiple linear regression. Results: Overall score of post-traumatic stress was $10.32{\pm}11.37$ and 12.8% was the high-risk group of post-traumatic stress disorder. In simple analysis, score of post-traumatic stress was associated with drinking frequency, disease history, duration of career, delay of rescue, provided the break, rest space and the number of experiences of traumatic events. Finally, the score of post-traumatic stress was significantly higher in subjects who experienced 3 (B=9.141, SE=3.538) or more than 4 (B=11.367, SE=3.063) traumatic events compared to subjects without experience of traumatic event. Conclusion: The score of post-traumatic stress was $10.32{\pm}11.37$ and 12.8% was the high-risk group among safety managers in Korea National Parks. Post-traumatic stress was associated with the experience of traumatic events. Management of safety managers after mobilization or experience of traumatic events will be helpful to decrease of post-traumatic stress.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers B
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v.51
no.9
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pp.522-529
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2002
In this paper, computer simulations of the physical Phenomena occurring in the arc region before and after current zero were carried out to evaluate the thermal recovery characteristics of a Laval nozzle. A commercial CFD program "PHOENICS" is used for the simulation and the user-coded subroutines to consider the arcing phenomena were added to this program by the authors. The computed results were verified by the comparison with the test results presented by the research group of GE Co.(General Electric Company). In order to investigate the state of the arc region after current zero, the simulation was carried out with three steps. They are steady state arc simulation, transient arc simulation before current zero, and transient hot-gas flow simulation after current zero. The semi-experimental arc radiation model is adapted to consider the radiation energy transport and Prandtl's mixing length model is employed as the turbulence model. The electric field and the magnetic field were calculated with the same grid structure used for the simulation of the flow field. The post-arc current was calculated to evaluate the thermal recovery characteristics after current zero. Compared with the results obtained by GE Co., it has been found that the critical RRRV(ratio of rise of recovery voltage) will be determined previously by this study.his study.
The purpose of this study is to analyze the actual status of costume exhibitions displayed in architectural structures heritage today to examine if they play proper roles as visual materials and suggest the necessity of post-management for comfortable viewing. This is significant in that it makes costume exhibitions function as educational culture contents to let Korean and also foreign viewers know of our costume culture properly. As a research method, the database of the Office of Cultural Properties homepage was used to extract anything related to the lives of figures during the Chosun Dynasty among the architectural structures heritages in Seoul, Incheon, and Gyeonggido. By doing so, the costume exhibitions were able to be examined among them. With field investigation and interviews of related institutions, this study examined the current status of costume exhibitions, planning of exhibitions, and post-management. Also, they found costume exhibitions that were not right for the era, and suggested ways that were more appropriate for them. The results of this study were as follows : First, according to the third selection results, there were only six among 71 places where three districts of the architectural structures heritage were present. This is a very small quantity of places when compared with the total number of architectural structures heritage. Second, as a result of the current condition investigation, the costume exhibition in the Architectural Structures Heritage is not nearly enough for a historical investigation, and almost all polluted costumes were not displayed in suitable environments for an exhibition. Therefore, qualified managers who have expertise in exhibition planning were needed to be trained to do a post-management follow up. Furthermore, it is important to systematically reorganize post-management methods. Third, the two selected places(Haepung-buwongun-yuntaegyeong-jaesi and Sunaedong-gaok) were thought not to be right for the era among the six places with costume exhibitions, and suggestions such as flat-drawing and illustration were made.
In this research, we explored the influence of post-annealing atmospheres on the electrical properties of Ga2O3/SiC heterojunction diodes. We fabricated Ga2O3/SiC heterojunction diodes by RF sputtering and after the fabrication the post-annealing in various gas atmospheres was performed. We measured the changes in deep-level defects using Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) and we conducted an electrical characteristic of J-V measurement and Hall measurement to analyzed the effects of annealing atmosphere on Ga2O3/SiC heterojunction diode. In the N2 annealed devices, the highest on-state current was measured as 3.06 × 10-2 A/cm^2, and an increase in carrier concentration of 3.8 × 1014 cm-3 was observed. This confirms that the variations in deep level defects due to the post-annealing atmosphere can influence the electrical properties.
In the current study, we present a new model for the prediction of the strip profile and the residual stresses. This new approach is an analytical model that predicts the residual stresses from the effect of post-deformation. Since the residual stress cannot exceed the yield strength of the material, post-yielding may possibly occur in the post-deformation zone prior to the strip reaching the steady-state zone. The prediction accuracy of the proposed model is examined through comparison with the predictions from 3-D finite element (FE) simulations.
We studied the MOSFET characteristics and the hot-carrier reliability with the sidewall spacer composition and the post gate oxidation thickness in 0.20${\mu}{\textrm}{m}$ gate length transistor. The MOSFET with NO(Nitride+Oxide) sidewall spacer exhibits the large degradation of hot-carrier lifetime because there is no buffering oxide against nitride stress. When the post gate oxidation is skipped, the hot-carrier lifetime is improved, but GIDL (Gate Induced Drain Leakage) current is also increased.
Intensity modulated photovoltage spectroscopy (IMVS) analysis of organic solar cells (OSCs) with a bulk-heterojunction (BHJ) film composed of P3HT and $PC_{61}BM$ was performed. The dynamic response of charge recombination by the post-annealing approach in $P3HT/PC_{61}BM$ BHJ solar cells characterized by IMVS demonstrated that post-annealing reduced the recombination of electron carriers in the device. The recombination times of $P3HT/PC_{61}BM$ BHJ solar cells post-annealed at room temperature, 80, 120, and $140^{\circ}C$ were 0.009, 0.020, 0.024, and 0.030 ms, respectively, at a short-circuit current of 0.18 mA. The results indicated that the IMVS analysis can be effectively used as powerful.
Recently, despite the presence of a large number of people with disabilities, facilities and services for the disabled are insufficient in comparison with the advanced countries. Especially, unmanned facilities and devices are not available for disabled people without help. As interest in disabled people increased, the convenient facilities for the disabled person should be legally installed in the public places. Moreover, social consensus formation and technical approaches are being actively pursued. In this paper, we propose a five-step scenario to use an unmanned post office. Based on the proposed scenario, we present the method to improve the accessibility of the user interface of the unmanned facilities. And we present a plan for establishing the short- and medium-term service models. This plan is expected to be highly practicable because it reflects the current situations of Korea Post and analysis result of the domestic and oversea cases.
Journal of Korean Society of Industrial and Systems Engineering
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v.37
no.4
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pp.98-105
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2014
According to a simple survey on the current status of the assembly line design, it was found that trial and error methods on the basis of experiences have been used mainly in domestic manufacturing industries, even though there exist a lot of excellent line balancing studies. It seems that more practical researches should be carried out to develop user-oriented line balancing tools especially for small and medium-sized enterprises. This study presents a design of the line balancing tool which can support the line balancing tasks of nonspecialists. The proposed design tool is composed of three major modules: pre-process, line balancing, and post-process. In particular, pre-process and post-process are newly proposed to increase its ease of use. We applied the proposed design to a test problem and test result showed that our practical method may contribute to enhance the efficiency of production operations management.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.668-671
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2001
The Sr$\_$0.8/Si$\_$2.4/Ta$_2$O$\_$9/(SBT) thin films are deposited on Pt-coated electrode(Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si) using RF magnetron sputtering method. With increasing post-annealing temperature from 600[$^{\circ}C$] to 850[$^{\circ}C$], Bi-layered perovskite phase was crystallized above 650[$^{\circ}C$]. The maximum remanent polarization and the coercive electric field is 11.60[${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$], 48[kV/cm] respectively. The leakage current density of SBT capacitor at post-annealing temperature of 750[$^{\circ}C$] is 1.01${\times}$10$\^$-8/ A/$\textrm{cm}^2$ at 100[kV/cm]. The fatigue characteristics of SBT thin films did not change up to 10$\^$10/ switching cycles.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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