• 전자공학회논문지A
• /
• 제30A권10호
• /
• pp.20-26
• /
• 1993

The base-collector capacitance of an npn bipolar transistor in bipolar or BiCMOS technology has significant influence on the switching performances, and comprises pnjunction component and MOS component. Both components have complicated dependences on the isolation oxide structure, epitaxial doping density, and bias voltage. Analytical/empirical formulas for both components are derived in this paper for a generic isolation structure as a function of epitaxial doping density and bias voltage based on some theoretical understanding and two-dimensional device simulations. These formulas are useful in estimating the effect of device isoation schemes on the switching speed of bipolar transistors.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
• /
• pp.207-209
• /
• 2004

Currently, for satisfying the needs of scaled MOSFET's a high quality thin oxide dielectric is desired because the properties of conventional $SiO_2$ film are not acceptable for these very small sized transistors. As an alternative gate dielectric have drawn considerable alternation due to their superior performance and reliability properties over conventional $SiO_2$, to obtain the superior characteristics of ultra thin dielectric films, $N_2O$ grown thin oxynitride has been proposed as a dielectric growtuanneal ambient. In this study the authors observed process characteristics of $N_2O$ grown thin dielectric. In view points of the process characteristics of MOS capacitor, the sheet resistance of 4.07$[\Omega/sq.]$, the film stress of $1.009e^{10}[dyne/cm^2]$, the threshold voltage$(V_t)$ of 0.39[V], the breakdown voltage(BV[V]) of 11.45[V] was measured in PMOS. I could achieve improved electrical characteristics and reliability for deep submicron MOSFET devices with $N_2O$ thin oxide.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제43권11호
• /
• pp.98-104
• /
• 2006

기존의 버스트 모드 자동전력제어 회로는 저 전력과 단일 칩화에 적합한 효율적인 구조인 반면에 데이터 율(data rate)이 높아짐에 따라 영의 밀도(zero density) 영향을 심하게 받아 에러를 야기하였다. 본 논문에서는 더블 게이트 MOS와 MOS다이오드를 이용하여 주입전류의 불균형을 보상하는 할 수 있는 새로운 구조의 첨두 비교기를 고안하고 이를 자동전력제어 회로에 적용하여 높은 데이터 율에서도 영의 밀도 변화에 강한 버스트 모드 자동전력제어 회로를 제안하였다. 제안한 자동전력제어 회로 내의 첨두 비교기는 높은 데이터 율에서 영의 밀도 변화에도 불구하고 정확한 전류비교 기준점을 견지하며 에러 없이 정상동작 하였다. 또한 제안한 첨두 비교기는 저전력 구조이고 대용량의 커패시터가 사용되지 않아 단일 칩화에도 적합하였다.

• 한국해양바이오학회지
• /
• 제10권1호
• /
• pp.9-17
• /
• 2018

The aim of this study is to elucidate the biochemical properties of manno-oligosaccharides (MOS) hydrolyzed by extracellular enzyme of Bacillus N3. We strived to characterize the biochemical properties of MOS since N3 can effectively hydrolyzed natural polymannans such as galactomannan (GM) and konjac (glucomannan, KM), respectively. The hydrolysis of GM and KM was applied by the strain N3 in terms of reducing sugars and the highest production of reducing sugars was estimated to be about 750 mg/L and 370 mg/L respectively, which were quantified after 7 days of cultivation in the presence of both substrates. Hydrolysates derived from the hydrolysis of KM showed the significant antioxidant activity based on DPPH and ABTS radical scavenging activity with increasing of tyrosinase inhibitory activity. On the other hand, hydrolysates derived from the hydrolysis of GM showed only ABTS radical scavenging activity without showing significant changes on tyrosinase inhibitory activity. Our data suggest that those biological characteristics may be depend on the primary structure and the size of MOS, which may be useful as potent additives for diet foods.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제18권1호
• /
• pp.17-23
• /
• 2005

The switching characteristics of MOS-Controlled Thyristor(MCT) is studied with variation of the channel length and impurity concentration in ON and OFF FET channel. The proposed MCT power device has the lateral structure and P-epitaxial layer in substrate. Two dimensional MEDICI simulator and PSPICE simulator are used to study the latch-up current and forward voltage-drop from the characteristics of I-V and the switching characteristics with variation of channel length and impurity concentration in P and N channel. The channel length and N impurity concentration of the proposed MCT power device show the strong affect on the transient characteristics of current and power. The N channel length affects only on the OFF characteristics of power and anode current, while the N doping concentration in P channel affects on the ON and OFF characteristics.

• 전기학회논문지
• /
• 제64권12호
• /
• pp.1748-1755
• /
• 2015

A linear regression is widely used for prediction problem, but it is hard to manage an irregular nature of nonlinear system. Although nonlinear regression methods have been adopted, most of them are only fit to low and limited structure problem with small number of independent variables. However, real-world problem, such as weather prediction required complex nonlinear regression with large number of variables. GP(Genetic Programming) based evolutionary nonlinear regression method is an efficient approach to attach the challenging problem. This paper introduces the improvement of an GP based nonlinear regression method using ADF(Automatically Defined Function). It is believed ADFs allow the evolution of modular solutions and, consequently, improve the performance of the GP technique. The suggested ADF based GP nonlinear regression methods are compared with UM, MLR, and previous GP method for 3 days prediction of wind speed using MOS(Model Output Statistics) for partial South Korean regions. The UM and KLAPS data of 2007-2009, 2011-2013 years are used for experimentation.

• 한국전자통신학회논문지
• /
• 제9권7호
• /
• pp.767-772
• /
• 2014

임시망으로서 애드-혹 네트워크는 네트워크가 설치된 환경이나 구조에 의하여 많은 영향을 받는다. 본 논문에서는 센서 네트워크나 IoT(Internet of Things)와 같은 특수한 통신 환경에서 사용될 것으로 예상되는 격자구조 애드-혹 네트워크의 전송성능을 정보침해가 발생되는 측면에서 분석하고 대응 방안으로 모색하여 본다. 본 논문은 NS-2를 기반으로 한 컴퓨터 시뮬레이션을 사용하여 수행하였으며, 성능측정은 응용 서비스로 널리 사용되는 VoIP(Voice over Internet Protocol) 서비스를 대상으로 하였다. 성능 파라미터로는 MOS(Mean Opinion Score)와 호연결율을 사용하였다. 성능분석 결과 침해가 발생되는 애드-혹 네트워크에서 MOS의 경우 랜덤구조가 격자구조에 비하여 성능이 다소 높았고, 호연결율의 경우는 격자구조가 랜덤구조에 비하여 우수한 성능을 보였다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제33권5호
• /
• pp.572-582
• /
• 1996

전류밀도, 70mA/cm2와 전류인가시간, 5초, 10초 조건의 양극반응으로 다공성 실리콘을 제작하여 800~110$0^{\circ}C$에서 열산화시킨 후 AI 전극을 증착시켜 만든 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 구조의 C-V(Capacilance-Voltage) 특성을 조사하였다. 800, 90$0^{\circ}C$의 저온과 20~30분 이내의 단시간 산화에서는 산화막의 유전상수가 보통의 열산화막보다 크게 나타나고, 산화온도가 110$0^{\circ}C$의 고온과 60분 이상의 장시간 산화의 경우에는 3.9에 근접한 값을 갖는다. 이는 다공성 실리콘 산화막내에 존재하는 산화되지 않은 silicon들에 의한 효과와 표면적 증가에 의한 정전용량의 증가 효과가 복합적으로 작용하는 것이 그 원인이라 생각된다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제48권5호
• /
• pp.18-24
• /
• 2011

DEM(Dynamic Element Matching) 기법중의 하나인 DWA(Data Weighted Averaging)는 멀티비트 Sigma-Delta Modulator에서 피드백 DAC의 단위요소 커패시터 부정합으로 인한 비선형성을 제거하기 위하여 널리 이용된다. 본 논문에서는 기존 DWA 구조에서 적용된 클록 타이밍을 조정하여 양자화기 데이터 코드 출력을 Latch 하는 $2^n$ Register 블록을 $2^n$ S-R latch 블록으로 대체하여 MOS Tr.를 줄임과 더불어 여분의 클록을 제거하였고, n-bit 데이터 코드를 지연시키기 위해 사용되는 2개의 n-비트 Register 블록을 1개의 n-비트 Register 블록으로 감소시켰다. 개선된 DWA 구조를 이용하여 3차 3-비트 SC(Switched Capacitor) Sigma-Delta Modulator를 설계한 후, 입력 주파수 20kHz, 샘플링 주파수 2.56MHz에서 0.1% DAC 단위 요소 커패시터 부정합을 갖도록 하여 시뮬레이션 한 결과 기존의 구조와 동일한 해상도를 얻을 수 있었고, 222개의 MOS Tr. 수를 줄일 수 있었다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제17권4호
• /
• pp.428-433
• /
• 2013

본 논문에서는 전력반도체 소자의 재료로써 주목받고 있는 탄화규소 기반의 Trench MOS Barrier Schottky(TMBS)의 순방향 및 역방향 특성을 개선시키기 위한 구조를 제안한다. 순방향 전압강하와 역방향 항복전압을 개선시키기 위하여 사다리꼴 mesa 구조와 trench sidewall의 길이를 조절하는 기법을 사용하는 4H-SiC TMBS 정류기를 제안하고 있다. 제안된 구조는 사다리꼴 mesa 구조를 적용하여 trench sidewall에 경사를 줌으로써 1508V의 역방향 항복전압을 얻었다. 이것은 기존의 4H-SiC TMBS 정류기에 비하여 역방향 항복전압을 11% 개선시켰음을 나타낸다. 또한 trench sidewall 상단의 길이를 조절하여 순방향 전류 $200A/cm^2$에 대하여 12% 감소된 1.6V의 순방향 전압강하를 얻었다. 제안된 소자는 Silvaco사의 T-CAD를 사용하여 전기적 특성을 분석하였다.