• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제16권6호
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• pp.465-471
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• 2023

본 논문은 CMOS Image Sensor(CIS)에 사용되는 single-slope ADC(SS-ADC)의 노이즈와 출력의 지연을 개선한 비교기 구조를 제안한다. 노이즈와 출력의 지연 특성을 개선하기 위해 비교기의 첫 번째 단의 출력 노드와 두 번째 단의 출력 노드 사이에 커패시터를 삽입하여 miller effect를 이용한 비교기 구조를 설계하였다. 제안하는 비교기 구조는 작은 capacitor를 이용하여 노이즈와 출력의 지연 및 layout 면적을 개선하였다. Single slop ADC에서 사용되는 CDS 카운터는 T-filp flop과 bitwise inversion 회로를 사용하여 설계하였고 전력 소모와 속도가 개선되었다. 또한 single slop ADC는 analog correlated double sampling(CDS)와 digital CDS를 함께 동작하는 dual CDS를 수행한다. Dual CDS를 수행함으로써 fixed pattern noise(FPN), reset noise, ADC error를 줄여 이미지 품질이 향상된다. 제안하는 comparator 구조가 사용된 single-slope ADC는 0.18㎛ CMOS 공정으로 설계되었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.45-48
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• 2001

An programmable current-mode folding and interpolation analog to digital converter (ADC) with programmable interpolator is proposed in this paper. A programmable interpolator is employed not only to vary the resolution of data converter, but also to decrease a power dissipation within the ADC. Because of varying the number of interpolation circuits, resolution is vary from 6 to 10bit. The designed ADC fabricated by a 0.6${\mu}{\textrm}{m}$ n-well CMOS double metal/single poly process. The experimental result shows the power dissipation from 26 to 87mW with a power supply of 3.3V.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.153-156
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• 2001

This paper describes a 12-bit high speed pipeline CMOS A/D converter. The A/D converter simulated the 0.35${\mu}{\textrm}{m}$ n-well CMOS technology. The results show DNL and INL of $\pm$0.5LSB and $\pm$1.0LSB, conversion rate of 100Msamples/s, and power dissipation of 500㎽ with a power supply of 3.3V

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.986-989
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• 1999

An 12bit current-mode folding and interpolation analog to digital converter (ADC) with multiplied folding amplifiers is proposed in this paper. A current - mode multiplied folding amplifier is employed not only to reduced the number of reference current source, but also to decrease a power dissipation within the ADC. The designed ADC fabricated by a 0.6${\mu}{\textrm}{m}$ n-well CMOS double metal/single poly process. The simulation result shows the power dissipation of 280㎽ with a power supply of 5V.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제15권4호
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• pp.232-236
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• 2017

A digital vacuum pressure sensor is designed, fabricated, and characterized using a packaged MEMS analog Pirani gauge. The packaged MEMS analog Pirani gauge requires a current source to heat up a heater in the Pirani gauge. To investigate the feasibility of digitization for the analog Pirani gauge, its implementation is performed with a zero-temperature coefficient current source and microcontroller that are commercially available. The measurement results using the digital vacuum pressure sensor showed that its operating range is 0.05-760 Torr, which is the same as the measurement results of the packaged MEMS analog pressure sensor. The results confirm that it is feasible to integrate the analog Pirani gauge with a commercially available current source and microcontroller. The successful hybrid integration of the analog Pirani gauge and digital circuits is an encouraging result for monolithic integration with a precision current source and ADCs in the state of CMOS dies.

• ETRI Journal
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• 제26권6호
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• pp.560-564
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• 2004

An analog front-end circuit for ISO/IEC 14443-compatible radio frequency identification (RFID) interrogators was designed and fabricated by using a $0.25{\mu}m$ double-poly CMOS process. The fabricated chip was operated using a 3.3 Volt single-voltage supply. The results of this work could be provided as reusable IPs in the form of hard or firm IPs for designing single-chip ISO/IEC 14443-compatible RFID interrogators.

• 한국통신학회논문지
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• 제28권11A호
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• pp.929-935
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• 2003

ATM 교환기 망동기용 아날로그/디지털 혼합형 ASIC을 설계 제작하였다. 이 ASIC은 상대 시스템으로부터 전송되어온 46.94 MHz의 클럭을 이용하여 234.7/46.94 MHz의 시스템용 클럭 및 77.76/19.44 MHz의 가입자용 클럭을 발생시키는 역할을 하며, 전송된 클럭의 체크 및 선택 기능도 동시에 포함한다. 효율적인 ASIC 구성을 위하여 고속 클럭 발생을 위한 2개의 아날로그 PLL 회로는 전주문 방식으로, 외부 입력 클럭 체크 및 선택을 위한 디지털 회로는 표준 셀 방식으로 설계하였다. 또한, 아날로그 부분에는 일반 CMOS 공정으로 제작 가능한 저항 및 커패시터를 사용함으로서 0.8$\mu\textrm{m}$ 디지털 CMOS 공정으로 칩을 제작 가능케 하여 제작비용도 줄였다. 제작된 칩을 측정한 결과 234.7 MHz 및 19.44 MHz의 안정된 클럭을 발생하였으며, 클럭의 실효 지터도 각각 4 ㎰ 및 17 ㎰정도로 낮게 나타났다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권6호
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• pp.119-124
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• 2008

트랜스임피던스 증폭기는 전체 광 수신기의 성능을 결정하는 가장 핵심적인 블록으로써 높은 트랜스임피던스 이득과 기가 비트급의 넓은 대역폭을 요구한다. 본 논문에서는 아날로그 어댑티브 이퀄라이저를 이용하여 트랜스임피던스 증폭기의 대역폭을 보상하고, 리미팅 증폭기를 이용하여 전체 트랜스임피던스 이득을 증가 시키는 단일 칩 광 수신기의 아날로그 회로를 제안한다. $0.13{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 설계한 광 수신기는 포스트 레이아웃 시뮬레이션 결과, $120dB{\Omgea}$의 트랜스임피던스 이득과 5.88GHz의 대역폭을 갖는다. 수동 인덕터 소자를 사용하는 대신 네거티브 임피던스 컨버터 회로를 적용함으로써 $0.088mm^2$의 매우 작은 칩 사이즈를 갖는다.

• 한국통신학회논문지
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• 제33권11C호
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• pp.963-969
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• 2008

본 논문에서는 무선통신시스템의 수신단에 적용될 수 있는 6비트 100MHz 플래쉬 A/D 변환기를 설계하였다. 제안하는 플래쉬 A/D 변환기는 해상도가 1비트씩 증가함에 따라 2배수로 증가하는 S-R 래치 회로를 단순화하여 집적화 하였다. 기존 NAND 기반의 S-R 래치 회로에 사용되던 8개의 MOS 트랜지스터 숫자를 6개로 줄였으며, 비교단의 동적 소비전력을 최대 12.5%까지 감소되도록 설계하였다. 설계된 A/D 변환기는 $0.18{\mu}m$ CMOS n-well 1-poly 6-metal 공정을 사용하여 제작되었고, 전원 전압 1.8V, 샘플링 주파수 100MHz에서의 전력소모는 282mW이다. 입력 주파수 1.6MHz, 30MHz에서의 SFDR은 각각 35.027dBc, 31.253dBc이며, 4.8비트, 4.2비트의 ENOB를 나타내었다.

• 전자공학회논문지SC
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• 제37권3호
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• pp.44-54
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• 2000

본 논문에서는 표준 메모리 공정에 구현 가능한 주파수 적응성을 갖는 부지연 회로의 설계기법에 대해 제안한다. 제안하는 설계기법은 기본적으로 아날로그 SMD (synchronous mirror delay) 형태의 부지연 회로로서 입력클록의 주기와 구현하고자 하는 부의 지연 시간의 차이에 해당하는 시간을 아날로그 회로의 개념으로 측정하고 다음 번 주기에서 반복한다. 출력클록의 발생과 관련되는 부수적인 지연을 측정단의 앞 단인 지연모델 단에서 상쇄하는 기존의 SMB 기법과는 달리, 반복단에서 상쇄하는 새로운 기법을 통하여 넓은 부지연 범위를 구현하여 특히 고속동작에서의 부지연 특성을 원할하게 한다. 또한 넓은 범위의 주파수 동작범위를 구현하기 위해 해당하는 주파수 범위에서 아날로그 회로가 최적의 동작 조건을 갖추도록 하기 위한 새로운 주파수 감지기 및 최적조건 설정기법을 제안한다. 제안된 회로의 응용으로서 초고속 DRAM인 DDR SDRAM에 적용하는 예를 보였으며, 0.6㎛ n-well double-poly double-metal CMOS 공정을 사용하여 모의실험 함으로써 그 유용성을 입증한다.