Fe/Co and FeN/CoN multilayer films were prepared by using RF and DC magnetron sputter^ ing technique with Ar or a mixture of Ar and $N_{2}$ gas. Annealing treatment was carried out in a vacuum at temperatures between $100^{\circ}C$ and $500^{\circ}C$ for lhour. Saturation magnetization (MS) and coercivity (Hc) of Fe/Co mutilayer films were investigated as a function of Fe layer thickness and annealing temperature. Permeability ($\mu$) was also examined. Saturation magnetization of 1.8T and coercivity of 1.80e were obtained for the as-deposited Fe/Co($70 \AA /15 \AA$) multilayer film. The Coercivity(Hc) did not change from 1.8 Oe till the annealing temperature $250^{\circ}C$ and then increased rapidly at higher annealing temperatures above $300^{\circ}C$. Coercivity(Hc) measured for the as-deposited FeN/CoN multilayer film was 5 Oe. It decreased gradually with annealing up to $250^{\circ}C$, and then increased rapidly at higher tempera tures.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.10
no.1
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pp.65-69
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2003
Microstructural and electromagnetic properties of YIG ferrites, (Y, Ca)-(Fe, V, In, Al)-O for Isolator/Circulator were investigated with the sintering temperature. YIG ferrites of $Y_{2.1}Ca_{0.9}Fe_{4.4}V_{0.5}In_{0.05}Al_{0.05}O_{12}$ were fabricated by sintering at $1300^{\circ}C$, $1330^{\circ}C$, $1350^{\circ}C$, $1370^{\circ}C$. Crystallographic and microstructural properties were measured using XRD and SEM. Saturation magnetization$(4{\pi}M_s)$ were measured using VSM, and FMR(Ferromagnetic Resonance) experiment was conducted to measure ferromagnetic resonance line width$({\Delta}H)$. Microwave characteristics of YIG ferrites were measured using a Network Analyzer. The YIG ferrite of $Y_{2.1}Ca_{0.9}Fe_{4.4}V_{0.5}In_{0.05}Al_{0.05}O_{12}$, sintered at $1350^{\circ}C$, showed higher density, saturation magnetization and lower ferromagnetic resonance line width than those sintered at any other temperature.
We investigated the microstructure, electrical property, and magnetic property of Co/Al multilayer after annealing treatment. CoAl was formed during depositing Co/Al multilayer due to the interfacial reaction. After annealing treatment, $Co_2Si$ was formed at the Co/Si interface. The sheet resistance of Co 2 nm/Al 2 nm multilayer have the lowest value and the Rs of multilayer decreased with the increase of annealing temperature due to the formation of $Co_2Si$ phase. The Ms of 2 nm Co/2 nm Al multilayer have the lowest value and the Ms of multilayer increased with the increase of film thickness.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.15
no.4
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pp.795-802
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2011
In this paper, the detailed design procedure of the Y-junction stripline isolator self-contained the filter circuit in the center conductor in order to maximize attenuations below value of 30 dB at 3rd order harmonics is presented. The HFSS is used to simulate 1.8GHz band isolator and the results are compared with the measurement data. These results confirms that the designed stripline isolator is effective in achieving high attenuation above -30 dB at 3rd order harmonics. And it is obtained that the harmonic band of isolator using the ferrite of 0.16T is moved far from operating frequency more 1.2 GHz than one using the ferrite of 0.12T.
The effect of thermal-nitrification on L1o transfomation in nano-sized FePt particles was studied. As-synthesized FePt nanoparticles by thermal decomposition method have fcc structured phase and their Hc and Ms were 247.34 Oe and 27.308 emu/g, respectively. According to the XRD analysis, phase transformation from fcc (face centered cubic) to fct (face centered tetragonal) structure was revealed by heating under $NH_3+H_2$ mixed-gas atmosphere. Also a slight shift of each (111) peak indicated phase transformation from fcc to fct structure. Hc and Ms of fct FePtN were 1058.2 Oe and 32.718 emu/g, respectively. The nano-sized FePtN magnetic particles synthesized by thermal decomposition method and mixed-gas nitrification are expected for advanced applications such as high density magnetic recording media and biomedical materials.
Iron nitride (Fe-N) magnetic thin films were deposited using a DC magnetron sputtering system. Microstructures and magnetic properties were examined as a function of deposition power and nitrogen gas input ratio. The nitrogen content in the film was found to be the major factor determining the microstructure and the magnetic properties. The films deposited at low nitrogen input ratios have an $\alpha$-Fe structure of which the lattice is expanded due to the nitrogen atoms incorporated at the interstitial sites. As the nitrogen content in the film increases, the degree of lat-tice expansion increases and the value of saturation magnetization decreases linearly. The films with a high degree of lattice expansion give very low values of coercivity, which is attributed to the disturbance of colunmar growth and the decrease of surface roughness. Further increase in the nitrogen input ratio causes the phase transfonnation from $\alpha$-Fe to $Fe_{2-3}N$, resulting in the marked reduction in the saturation magnetization. The phase transformation occurs when, regardless of deposition conditions, the nitrogen content reaches at 15 at.% and the lattice is expanded by 5%.
CoFeNi alloys are some of the most studied soft magnetic materials because of their applications as write-head core materials in HDD and MEMS. Ternary CoFeNi films with high saturation magnetic flux density, Bs and low coercivity, He were successfully grown by electrodeposition. The optimal composition was $Co_{30}\;Fe_{34}\;Ni_{36}(at\%)$, and Bs and Hc were 1.9 T and 0.16 A/m, respectively. The XRD and TEM results show that the low Hc of the CoFeNi films was due to very fine crystal particles and mixed fcc and bcc phases.
Effects of Co addition and heat treatment on the magnetic properties of Fe-Si-B thin films were investigated. The compositions of metalloids, i.e, B and Si, in the alloys were kept 10 at.% each. Heat treatments were carried out in the temperature range from 100 to $300^{\circ}C$ for up to 60 min. Amorphous thin films of FeCoSiB were deposited on the water-cooled substrates by dc magnetron sputtering. The composition of thin films was controlled by placing proper number of pellets of alloying elements and analyzed by ICP, resulting in $Fe_{80-X}Co_ XB_{10}Si_{10}$ (X=8~18 at.%). Saturation magnetization of the alloys increased as Co concentration increased up to 10 at.% and then decreased with further increase of Co concentration. However, coercive force of the films decreased with the increase of Co concentration. Furthermore, the coercive force was also reduced by the annealing due to the residual stress relief.
The soft magnetic property for the Corning glass/Ta(5 nm)/[Conetic, Permalloy)/Ta(3 nm) prepared by the ion beam deposition sputtering was investigated. The coercivity and saturation magnetic field of conetic (NiFeCuMo) and permalloy (NiFe) layer with easy and hard direction along to the applying magnetic field during deposition was compared with each other. The surface resistance of conetic film with a thickness of 10 nm was 2 times lower than one of permalloy film. The coercivity and the magnetic susceptibility of conetic film decreased and increased 3 times to one of permalloy film, respectively. These results suggest that a highly sensitive GMR-SV or MTJ using conetic film can be possible to develop the bio-device.
YIG $(Y_3Fe_5O_{12})$ films with 4~80 ${\mu}{\textrm}{m}$ thickness were epitaxially grown on GGG $(Gd_3Ga_5O_{12})$ substrates by LPE (liquid phase epitaxy) techniques. Using various melts having different chemical composition the growth temperature was varied as a parameter. Growth rate, surface morphology, chemical composition, lattice constant, saturation magnetization, and magnetic resonance of the films were investigated. Lattice mismatch between the substrate and film Δa, saturation magnetization, and magnetic resonance line width ΔH increased, decreased, and increased, respectively, as undercooling temperature ΔT increased. The films grown by using the melt with larger R$_1$and smaller R$_3$had smaller ΔH. The major origin of the increase of ΔH was the increase of Δa. It is considered that the magnetic field in the film became locally inhomogeneous with the increase of Δa due to the increase of inhomogenity in stress distribution to the film depth direction. Therefore, in order to grow YIG films with small microwave loss it is necessary to grow films at small ΔT using the melt with large R$_1$and small R$_3$resulting in a small Δa.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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