16Mb DRAM을 개발하는데 필요한 주요한 기술적인 문제점으로 설계면에서는 전력소모, Noise, Vcc내부 전압강하회로를 들 수 있다. 기술적인 면은 CELL을 어떻게 형상화느냐에 따라 문제가 다르게 나타나나 단차에 따른 photo/etching, 박막의 leakage전류와 reliability, short channel에 따른 transistor특성의 안정화등이 있다. 특히 16Mb에서는 stack형, stack과 trench의 병합형이 cell의 주요형태가 될 전망이다.