• 제목/요약/키워드: minority carrier 수명

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기계적 후면 손상이 레이저/극초단파 광전도 기법에 의한 소수 반송자 재결합 수명 측정에 미치는 영향 (Effect of mechanical backside damage upon minority carrier recombination lifetime measurement by laser/microwave photoconductance technique)

  • 조상희;최치영;조기현
    • 한국결정성장학회지
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    • 제5권4호
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    • pp.408-413
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    • 1995
  • 초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명 측정에 미치는 영향을 고찰하였다. 기계적손상의 정도는 X-선 이중결정 회절법과 X-선 단면 측정법 및 습식산화/선택적 식각 방법으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 소수반송자 재결합 수명 측정에 영향을 미치는 반치전폭의 임계값은 약13초임을 알 수 있다.

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광전 주파수 변조방법에 의한 태양전지의 소수 반송자 수명 측정 (Determination of Minority Carrier Lifetime in Solar Cells by the Method of Photoelectric Frequency Modulation)

  • 박우상;정호선
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제20권4호
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    • pp.30-35
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    • 1983
  • 태양전지에 변조된 빛을 쏘일 경우 단락전류에 발생하는 위상차가 태양전지의 여러 가지 파라미터에 대하여 계산되었다. 위상차를 실험적으로 측정하여 계산 결과와 비교함으로써 소수 반송자수명이 추정되었다. 본 방법으로 측정된 결과와 비교하기 위하여 일반적으로 사용되어온 개방전압 감쇠방법으로 소수 반송자 수명을 측정하였다.

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기계적 손상에 의한 실리콘 웨이퍼의 반송자 수명과 표면 거칠기와의 관계 (Relationships between Carrier Lifetime and Surface Roughness in Silicon Wafer by Mechanical Damage)

  • 최치영;조상희
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제12권1호
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    • pp.27-34
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    • 1999
  • We investigated the effect of mechanical back side damage in viewpoint of electrical and surface morphological characteristics in Czochralski silicon wafer. The intensity of mechanical damage was evaluated by minority carrier recombination lifetime by laser excitation/microwave reflection photoconductance decay technique, atomic force microscope, optical microscope, wet oxidation/preferential etching methods. The data indicate that the higher the mechanical damage degree, the lower the minority carrier lifetime, and surface roughness, damage depth and density of oxidation induced stacking fault increased proportionally.

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수명시간에 따른 NPT-IGBT의 N-drift 영역에서의 과잉소수 캐리어와 전하량 분석 (Analysis of excess minority carrier and charge wish lifetimes in N-dirft region of NPT-IGBT)

  • 류세환;이용국;안형근;한득영
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.844-847
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    • 2001
  • In this work, transient characteristics of the Non-Punch Through(NPT) Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) has been studied. we has analyzed with lifetimes excess minority carrier injected into N-dirft, base region of IGBT's BJT part and accumulated charge of on-state which affected swiching characteristic. In this paper, excess minority carrier and charge distribution in active base region is expressed analytically. This analysis proposed optical trade-off between lifetimes and accumulated charge for decreasing switching losses because charge result in switching loss when device was tuned off.

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실리콘 웨이퍼에서 소수 반송자 재결합 수명과 표면 부위 미세 결함에 의한 기계적 손상 평가 (Estimation of mechanical damage by minority carrier recombination lifetime and near surface micro defect in silicon wafer)

  • 최치영;조상희
    • 한국결정성장학회지
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    • 제9권2호
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    • pp.157-161
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    • 1999
  • 초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 미치는 효과에 대하여 고찰하였다. 기계적 손상의 정도는 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명, 습식산화/선택적 식각 방법, 표면 부위 미소 결함 및 X-선 단면 측정 분석으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수 록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 표면 부위 미소 결함 밀도는 비례적으로 증가하였으며, 산화 유기 적충 결함 밀 도와도 상호 일치하였다. 그래서, 표면 부위 미소 결함 기술은 산화 유기 적층 결함을 측정하는데 있어서 통상적인 부식 방법과는 별도로 사용될 수 있다.

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실리콘 웨이퍼에서 광열 변위법과 소수 반송자 재결합 수명 측정에 의한 기계적 후면 손상 평가 (Evaluation of mechanical backside damage by minority carrier recombination lifetime and photo-acoustic displacement method in silicon wafer)

  • 최치영;조상희
    • 한국결정성장학회지
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    • 제8권1호
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    • pp.117-123
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    • 1998
  • 초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 미치는 효과에 대하여 고찰하였다. 기계적 손상의 정도는 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명, 광열범위, X-선 단면 측정 및 습식산화/선택적 식각 방법으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 광열 변위의 평균값은 비례적으로 증가하였으며, 손상된 웨이퍼에서 Grade 1의 과잉 광열 변위값을 1로 봤을 때 과잉 광열 변위의 정규화한 상대 정량 비는 Grade 1: Grade 2:Grade 3 = 1:19.6:41이다.

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원자층 증착법으로 형성된 Al2O3 박막의 질소 도핑에 따른 실리콘 표면의 부동화 특성 연구 (Study on the Passivation of Si Surface by Incorporation of Nitrogen in Al2O3 Thin Films Grown by Atomic Layer Deposition)

  • 홍희경;허재영
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제22권4호
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    • pp.111-115
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    • 2015
  • 실리콘 태양전지의 효율을 향상하기 위해서는 소수 캐리어의 높은 수명이 필수조건이다. 따라서, 이를 달성하기 위한 실리콘 표면결함을 없애줄 수 있는 부동화(passivation) 기술이 매우 중요하다. 일반적으로 PECVD 법이나 열산화 공정을 통해 얻어진 $SiO_2$ 박막이 부동화 층으로 많이 사용되나 1000도에 이르는 고온 공정과 낮은 열적 안정성이 문제로 여겨진다. 본 연구에서는 원자층 증착법을 이용하여 400도 미만의 저온 공정을 통해 $Al_2O_3$ 부동화 박막을 형성하였다. $Al_2O_3$ 박막은 고유의 음의 고정 전하밀도로 인해 낮은 표면 재결합속도를 보이는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 질소 도핑을 통해 높은 음의 고정 전하 밀도를 얻고 이를 통해 좀 더 향상된 실리콘 표면 부동화 특성을 얻고자 하였다.

전자 조사된 $p^+-n^-$ 접합 다이오드의 결함 특성과 전기적 성질 (The defect nature and electrical properties of the electron irradiated $p^+-n^-$ junction diode)

  • 엄태종;강승모;김현우;조중열;김계령;이종무
    • 한국진공학회지
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    • 제13권1호
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    • pp.14-21
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    • 2004
  • 오늘날 전력소자의 작동에 고주파를 사용하기 때문에 에너지 손실을 줄이기 위해 전력소자의 스위칭 속도를 증가시키는 것은 필수적이다. 본 연구에서는 $p^+- n^-$ 접합 다이오드의 스위칭 속도를 증가시킬 목적으로 minority carrier의 수명을 감소시킬 수 있는 전자조사를 실시하였다. 다이오드의 전기적 성질에 대한 전자조사의 효과를 나타냈다. 스위칭 속도는 효과적으로 증가하였다. 또한 증가될 것으로 예상되는 접합 누설 전류와 전자조사 후 정전압강하는 최적 조건의 에너지와 dose량으로 조사된 $p^+- n^-$접합 다이오드에서는 무시할 수 있는 정도로 나타났다. DLTS와 C-V 분석은 실리콘 기판에서 전자조사로 감소된 결함은 0.284eV와 0.483eV의 에너지 준위를 갖는 donor-like 결함인 것을 보여준다. 본 연구에서의 실험 결과를 고려해 보면, 전자조사는 $p^+- n^-$ 접합 다이오드 전력 소자의 스위칭 속도를 증가시켜 에너지 손실을 감소시킬 수 있는 가장 유용한 기술이라고 결론지을 수 있다.

열선 CVD법으로 증착된 비정질 실리콘 박막과 결정질 실리콘 기판 계면의 passivation 특성 분석 (Interface Passivation Properties of Crystalline Silicon Wafer Using Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film by Hot-Wire CVD)

  • 김찬석;정대영;송준용;박상현;조준식;윤경훈;송진수;김동환;이준신;이정철
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.172-175
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    • 2009
  • n-type crystalline silicon wafers were passivated with intrinsic a-Si:H thin films on both sides using HWCVD. Minority carrier lifetime measurement was used to verify interface passivation properties between a-Si:H thin film and crystalline Si wafer. Thin film interface characteristics were investigated depending on $H_2/SiH_4$ ratio and hot wire deposition temperature. Vacuum annealing were processed after deposition a-Si:H thin films on both sides to investigate thermal effects from post process steps. We noticed the effect of interface passivation properties according to $H_2/SiH_4$ ratio and hot wire deposition temperature, and we had maximum point of minority carrier lifetime at H2/SiH4 10 ratio and $1600^{\circ}C$ wire temperature.

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