• 제목/요약/키워드: high power amplifier

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IMT-2000 중계기용 전력증폭기의 설계 및 제작 (Design and Implementation of High Power Amplifier for IMT-2000 Repeater)

  • 최성열;방성일
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(1)
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    • pp.329-332
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    • 2000
  • In this paper, we made 5W 2stage power amplifier for IMT-2000 repeater. We designed this amplifier by harmonic balanced simulation using nonlinear model to minimize distortion. After simulation, we acquired 47㏈m 1㏈ compression point at 2110 ~ 2170MHz single tone input. In addition, the ACPR of this amplifier was good. The test result was 47㏈m 1㏈ compression point, 42.6㏈ gain, -36.16㏈c ACPR at 2.5MHz, -44.34㏈c ACPR at 5MHz and -51.67㏈c ACPR at 7.5MHz.

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A Multi-Point Sense Amplifier and High-Speed Bit-Line Scheme for Embedded SRAM

  • Chang, Il-Kwon;Kwack, Kae-Dal
    • Journal of Electrical Engineering and information Science
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    • 제3권3호
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    • pp.300-305
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    • 1998
  • This paper describes new sense amplifier with fast sensing delay time of 0.54ns and 32kb CMOS embedded SRAM with 4.67 ns access time for a 3-V power supply. It was achieved using the sense amplifier with multiple point sensing scheme and highs peed bit-line scheme. The sense amplifier saves 25% of the power dissipation compared with the conventional one while maintaining a very short sensing delay. The SRAM uses 0.5m double-polysilicon and triple-metal CMOS process technology. A die size is 1.78${\times}$mm2.13mm.

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AlGaN/GaN Based Ultra-wideband 15-W High-Power Amplifier with Improved Return Loss

  • Jeong, Jin-Cheol;Jang, Dong-Pil;Shin, Dong-Hwan;Yom, In-Bok;Kim, Jae-Duk;Lee, Wang-Youg;Lee, Chang-Hoon
    • ETRI Journal
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    • 제38권5호
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    • pp.972-980
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    • 2016
  • An ultra-wideband microwave monolithic integrated circuit high-power amplifier with excellent input and output return losses for phased array jammer applications was designed and fabricated using commercial $0.25-{\mu}m$ AlGaN/GaN technology. To improve the wideband performance, resistive matching and a shunt feedback circuit are employed. The input and output return losses were improved through a balanced design using Lange-couplers. This three-stage amplifier can achieve an average saturated output power of 15 W, and power added efficiency of 10% to 28%, in a continuous wave operation over a frequency range of 6 GHz to 18 GHz. The input and output return losses were demonstrated to be lower than -15 dB over a wide frequency range.

Drain 바이어스 제어를 이용한 Hybrid Doherty 증폭기의 성능개선 (Performance Enhancement of Hybrid Doherty Amplifier using Drain bias control)

  • 이석희;이상호;방성일
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제43권5호
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    • pp.128-136
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    • 2006
  • 본 논문에서는 3GPP 중계기 및 기지국용 50W급 Doherty 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 이상적인 Doherty 전력증폭기는 효율개선과 고출력 특성이 뛰어나지만 이를 구현하기 위해서는 바이어스 조절이 어렵다. 이를 해결하고자 기존의 Gate 바이어스 조절회로를 가진 Doherty(GDCHD) 전력증폭기에 Drain 바이어스 조절회로를 첨가한 GDCHD(Gate and Drain Control Hybrid Doherty) 전력증폭기를 구현하였다. 실험결과 3GPP 동작주파수 대역인 $2.11{\sim}2.17\;GHz$에서 이득이 57.03 dB이고, PEP 출력이 50.30 dBm, W-CDMA 평균전력 47.01 dBm, 5MHz offset 주파수대역에서 -40.45 dBc의 ACLR 특성을 가졌으며, 각각의 파라미터는 설계하고자 하는 증폭기의 사양을 만족하였다. 특히 GDCHD 전력증폭기는 일반적인 Doherty 전력증폭기에 비해 ACLR에 따른 효율 개선성능이 우수하였다.

효율개선을 위한 Gate 제어 Hybrid Doherty 증폭기 구현 (The implementation of Gate Control Hybrid Doherty Amplifier)

  • 손길영;이석희;방성일
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제42권3호
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    • pp.1-8
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    • 2005
  • 본 논문에서는 3GPP 중계기 및 기지국용 60W급 Doherty 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. Doherty 전력증폭기는 효율개선과 고출력 특성이 뛰어나지만 보조증폭기의 구현이 어렵다. 이를 해결하고자 일반적인 Doherty 전력증폭기에 보조증폭기의 Gate 바이어스 조절회로를 첨가한 GCHD(Gate Control Hybrid Doherty) 전력증폭기를 구현하였다. 실험결과 3GPP 동작주파수 대역인 $2.11\~2.17GHz$에서 이득이 62.55 dB이고, PEP 출력이 50.76 dBm, W-CDMA 평균전력 47.81 dBm, 5MHz offset 주파수대역에서 -40.05 dBc의 ACLR 특성을 가졌으며, 각각의 파라미터는 설계하고자 하는 증폭기의 사양을 만족하였다. 특히 GCHD 전력증폭기는 일반전력증폭기에 비해 ACLR에 따른 효율 개선성능이 우수하였다.

고효율의 재구성된 도허티 증폭기 (A High Efficiency Reconfigurable Doherty Amplifier)

  • 김일규;김영;윤영철
    • 한국항행학회논문지
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    • 제12권3호
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    • pp.220-226
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    • 2008
  • 본 논문에서는 ${\lambda}/4$ 임피던스 변환기를 피킹 증폭기 뒷단에 배치하고, 주 증폭기와 피킹 증폭기가 서로 다른 비대칭 구조의 도허티 증폭기 만들어 효율을 개선시키는 방법을 제시하였다. 이러한 구조는 다단 도허티 증폭기 구현 시 작은 크기로 구현이 가능하며, 기존의 전기적 특성과 동일함을 시뮬레이션을 통해서 확인하였다. 이러한 구조를 갖는 전력 증폭기를 제작하였으며, W-CDMA 기지국 송신 대역에서 IFA 신호를 인가하였을 때, 45W 출력 기준으로 8dB 백-오프 지점에서 26.3%의 전력부가효율을 얻었고, 중심 주파수에서 ${\pm}5MHz$이격 지점 에서 -40.4dBc의 인접채널 누설비 (Adjacent Channel Leakage Power : ACLR)를 확인하였다.

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L-band 위성통신 시스템을 위한 극소형 25 Watt 고출력증폭기에 관한 연구 (A Study on the Ultra Small Size 25 Watt High Power Amplifier for Satellite Mobile Communications System at L-Band)

  • 전중성;예병덕;김동일
    • 한국항해항만학회지
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    • 제26권1호
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    • pp.22-27
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    • 2002
  • 본 논문에서는 hybrid 기법을 이용하여 INMARSAT 위성의 상향 주파수인 L-HAND(1.6265∼1.6465 GHz)에서 동작하는 위성단말기용 25 Watt C급 고출력증폭기를 설계 ·제작하였다. 제작의 간편성을 위해서 전력증폭기를 크게 구동증폭단과 전력증폭단으로 나누어 구현하였으며, 전력증폭단을 구동하기 위한 구동단은 Motorola사의 MRF-640을 사용하여 2단으로 구성하였고, 전력증폭단은 MRF-16006과 MRF-16730을 사용하였다. 또 각 부에 직류 전원을 공급하기 위해 바이어스 회로부를 같은 하우징 내에 장착하여 무게 및 부피를 최소화하였다. 제작된 고출력증폭기는 20 MHz 대역폭 내에서 이득이 30 dB 이상, 입 ·출력 정재파비는 1.7 이하의 특성을 가졌다. 1.635 GHz 주파수에 대해 1 dB 압축점의 출력전력은 44 dBm 으로서 설계시 목표로 했던 출력전력 25 Watt를 상회하였다. 본 논문에서 제시한 SSPA(Solid State Power Amplifier) 제작 기법은 각종 Radar 및 SCPC(Signal Channel Per Carrier)용 전력증폭기 설계 및 제작에도 적용할 수 있다.

2.6 GHz GaN-HEMT Power Amplifier MMIC for LTE Small-Cell Applications

  • Lim, Wonseob;Lee, Hwiseob;Kang, Hyunuk;Lee, Wooseok;Lee, Kang-Yoon;Hwang, Keum Cheol;Yang, Youngoo;Park, Cheon-Seok
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제16권3호
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    • pp.339-345
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    • 2016
  • This paper presents a two-stage power amplifier MMIC using a $0.4{\mu}m$ GaN-HEMT process. The two-stage structure provides high gain and compact circuit size using an integrated inter-stage matching network. The size and loss of the inter-stage matching network can be reduced by including bond wires as part of the matching network. The two-stage power amplifier MMIC was fabricated with a chip size of $2.0{\times}1.9mm^2$ and was mounted on a $4{\times}4$ QFN carrier for evaluation. Using a downlink LTE signal with a PAPR of 6.5 dB and a channel bandwidth of 10 MHz for the 2.6 GHz band, the power amplifier MMIC exhibited a gain of 30 dB, a drain efficiency of 32%, and an ACLR of -31.4 dBc at an average output power of 36 dBm. Using two power amplifier MMICs for the carrier and peaking amplifiers, a Doherty power amplifier was designed and implemented. At a 6 dB back-off output power level of 39 dBm, a gain of 24.7 dB and a drain efficiency of 43.5% were achieved.

Integrated Rail-to-Rail Low-Voltage Low-Power Enhanced DC-Gain Fully Differential Operational Transconductance Amplifier

  • Ferri, Giuseppe;Stornelli, Vincenzo;Celeste, Angelo
    • ETRI Journal
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    • 제29권6호
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    • pp.785-793
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    • 2007
  • In this paper, we present an integrated rail-to-rail fully differential operational transconductance amplifier (OTA) working at low-supply voltages (1.5 V) with reduced power consumption and showing high DC gain. An embedded adaptive biasing circuit makes it possible to obtain low stand-by power dissipation (lower than 0.17 mW in the rail-to-rail version), while the high DC gain (over 78 dB) is ensured by positive feedback. The circuit, fabricated in a standard CMOS integrated technology (AMS 0.35 ${\mu}m$), presents a 37 V/${\mu}s$ slew-rate for a capacitive load of 15 pF. Experimental results and high values of two quality factors, or figures of merit, show the validity of the proposed OTA, when compared with other OTA configurations.

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Design of an Nd:YAG Slab Structure for a High-power Zigzag Slab Laser Amplifier Based on a Wavefront Simulation

  • Shin, Jae Sung;Cha, Yong-Ho;Cha, Byung Heon
    • Current Optics and Photonics
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    • 제3권3호
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    • pp.236-242
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    • 2019
  • An Nd:YAG slab structure was designed for a high-power zigzag slab laser amplifier based on computational simulation of the wavefront distortion. For the simulation, the temperature distribution in the slab was calculated at first by thermal analysis. Then, the optical path length (OPL) was obtained by a ray tracing method for the corresponding refractive index variation inside the slab. After that, the OPL distribution of the double-pass amplified beam was calculated by summing the results obtained for the first and second passes. The amount of wavefront distortion was finally obtained as the peak-to-valley value of the OPL distribution. As a result of this study, the length and position of the gain medium were optimized by minimizing the transverse wavefront distortion. Under the optimized conditions, the transverse wavefront distortion of the double-pass amplified beam was less than $0.2{\mu}m$ for pump power of 14 kW.