The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.56
no.5
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pp.990-992
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2007
The purpose of this study is to develop a practical gait-event detection system which is necessary for the FES (functional electrical stimulation) control of locomotion in paralyzed patients. The system is comprised of a sensor board and an event recognition algorithm. We focused on the practicality improvement of the system through 1) using accelerometer to get the angle of shank and dispensing with the foot-switches having limitation in indoor or barefoot usage and 2) using a rule-base instead of threshold to determine the heel-off/heel-strike events corresponding the stimulation on/off timing. The sensor signals are transmitted through RF communication and gait-events was detected using the peaks in shank angle. The system could detect two critical gait-events in all five paralyzed patients. The standard deviation of the gait events time from the peaks were smaller when 1.5Hz cutoff frequency was used in the derivation of the shank angle from the acceleration signals.
The Navigational System is the Fundamental System of Port Transportation System and comprises 3 Subsystems, say, the Waterway System, the Shiphandling System and the Support System. The Waterway System of Navigational System is the important and fundamental System for Traffic Safety inside the Port like a Car Road System on Land. This study aims to make a Guideline for the Optimal Waterway System of Port Development and Safety. The Conclusion of this Paper are drawn : 1) The complicated Shiphandling Operations should be avoided for the period of Physical night Time for eliminating the Human Errors. 2) For the Maneuverability and all-weather Combined Piloting the Inside Turn Point Buoy and Begin the-turn Buoy should be mounted with Racon(T) and Radar Reflector for foggy and bad weathers. 3) The Seabuoy located in the Approaching Area for Pilot Station and making Landfall should be mounted with Racon(G) and Morese A Light for giving a Hint of Pilot Station to the Captain on the Bridge, and these Equipments of Racon and Light should be operated normally and effectively even in a Heavy and stormy weathers. 4) A Basic Practical Expression, 1/2 L sin D, for calculating the Extra Width of Cutoff Turn Regions was derived Originally from the Viewpoint of Turn Maneuvers and Maneuverability of the Ship.
Kim, Dae-Hyun;Kim, Suk-Jin;Kim, Young-Ho;Kim, Sung-Wong;Seo, Kwang-Seok
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.3
no.1
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pp.27-32
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2003
Highly reproducible side-wall process for the fabrication of the fine gate length as small as 40nm was developed. This process was utilized to fabricate 40nm InGaAs HEMTs with the 65% strained channel. With the usage of the dual $SiO_2$ and $SiN_x$ dielectric layers and the proper selection of the etching gas, the final gate length (Lg) was insensitive to the process conditions such as the dielectric over-etching time. From the microwave measurement up to 40GHz, extrapolated fT and fmax as high as 371 and 345 GHz were obtained, respectively. We believe that the developed side-wall process would be directly applicable to finer gate fabrication, if the initial line length is lessened below the l00nm range.
In this research, the electric power consumptions of the electrical machinery and appliances selected in the Seoul division of Korea Electrical Safety Corporation were measured. The power-saving efficiency was investigated by comparing the amounts of the reserved electric power when the Saver was on or off through measuring that of the reserved electric power before and after equipping the selected appliances with the Saver, a cutoff of the reserved electric power. As a result, the power-saving efficiency was around 18% when the Saver was installed. It can be ascribed to the removal of the source wasting electrical energy. Furthermore, by blocking the reserved electric power, the electric fire can be originally prevented and also the life time of the electrical machinery and appliances can be postponed.
Purpose: This study was conducted to identify sexual functioning in women with gynecologic cancer. Method: Sexually active women with gynecologic cancer without evidence of distant metastasis were recruited in Seoul, Korea from a university medical center. Subjects were asked to complete an anonymous mail-back survey on their sexual functioning. Result: One hundred eighty four women completed questionnaires. Their mean age was 51.0 years and 96.2% lived with their husbands. Subjects were diagnosed with cervical cancer(53.8%), ovarian cancer (27.7%), or endometrial cancer(18.5%). Sexual functioning for women with gynecologic cancer was relatively low, 15.4, in comparison to Rosen's cutoff scores of 26.6. Univariate analyses indicated that age, employment status, and their monthly income were significantly associated with sexual functioning. Tumor staging, treatment modality, and hormone replacement therapy were also significantly associated factors with women's sexual functioning. Sexual arousal, orgasm, and pain were affected by time since last treatment. Conclusion: Sexual counselling or education for women with gynecologic cancer should be considered by medical professionals in order to improve their quality of life including sexual functioning.
CMOS analog lowpass filters using speech signal bandwidth for a Asymmetrical Digital Subscriver Line(ADSL) modem are presented. Designed active lowpass filters are composed of the CMOS complementary high-swing cascode stage which can increase transconductance of an active element. As a result, their cutoff frequency are 138kHz and 1,100kHz respectively. A low-voltage high-swing cascode integrator which improved on a gain and unit gain frequency used to design the filters. The designed filters are verified by HSPICE simulation with the $0.251{\mu}m\;CMOS\;n-well$ Parameter and a single 2.5V power supply.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.18
no.6
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pp.576-581
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2005
We fabricated red organic light emitting diodes(OLEDs) utilizing tis(8-hydroxyquinoline) aluminum $(Alq_3)$ doped with $5\%$ of (4-(dicyanomethylene)-2-i-propyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran) (DCJTI) and investigated the driving and modulation characteristics for applying to the electro-optical conversion device. To improve the driving characteristics of red OLEDs, 3 V of offset voltage, which is equal to the turn on voltage, Is applied to the device. Offset voltage enhanced the optical EL output and reduced the rise time of EL waveforms of red OLEDs, and hence the cutoff frequency is increased with increasing applied voltage. The optical pulse of 100 MHz has been obtained from red OLEDs. Therefore, we confirmed that the red OLEDs can be applied to the fields of optical communication as an electro-optical conversion device.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.27
no.4
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pp.534-540
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1990
In this paper the characteristics of submicron gate GaAs MESFET's have been studied using a particle model which takes into account the hot-electron transport phenomena, i.e., the velocity overshoot. \ulcornervalley(<000> direction), L valley (<111>direction), X valley (<100>direction) as the GaAs conduction energy band and optical phonon, acoustic phonon, equivalent intervalley, nonequivalent intervalley scattering as the scattering models, have been considered in this simulation. And the GaAs material and the device simulation have been done by determination of the free flight time, scattering mechanism and scattering angle according to Monte-Carlo algorithm which makes use of a particle model. As a result of the particle simulation, firstly the electron distribution, the potential energy distribution and the situation of electron displacement in 0.6 \ulcorner gate length device have been obtained. Secondly, the cutoff frequency, obtained by this method, is k47GHz which is in good agreement with the calculated result of theory. And the current-voltage characteristics curve which takes account of the buffer layer effect has been obtained. Lastly it has been verified that parasitic current at the buffer layer can be analyzed using channel depth modulation.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.8
no.7
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pp.1424-1428
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2004
In this paper, CMOS analog filters for use in the Analog front End of digital subscriber loop(DSL) chip set are proposed. Designed filters contain receiver continuous-time filters which are composed of lowpass and highpass functions. And their cutoff frequency are 138H1z and 1.1MHz respectively. A low-voltage gm-c integrator is improved and used to design filters. Desisned filters are verified by HSPICE simulation with the 0.25${\mu}m$ CMOS n-well parameter.
Park, Sung-Ho;Lee, Tae-Woo;Kim, Yeong-Seuk;Kim, Il-Ho;Park, Moon-Pyung
Journal of Electrical Engineering and information Science
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v.2
no.6
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pp.197-201
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1997
To realize 10-Gbit/s optical transmission systems, we designed and fabricated a limiting amplifier with extremely high operation frequencies over 10-GHz using AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs), and investigated their performances. Circuit design and simulation were performed using SPICE and LABRA. A discrete AlGaAs/GaAs HBT with the emitter area of 1.5${\times}$10$\mu\textrm{m}$$^2$, used for the circuit fabrication, exhibited the cutoff frequency of 63GHz and maximum oscillation frequency of 50GHz. After fabrication of MMICs, we observed the very wide bandwidth of DC∼15GHz for a limiting amplifier from the on-wafer measurement. Ceramic-packaged limiting amplifier showed the excellent eye opening, the output voltage swing of 750mV\ulcorner, and the rise/fall time of 40ps, measured at the data rates of 10-Gbit/s.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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