Suppression of Macrosteps Formation on SiC Wafer Using an Oxide Layer (산화막을 이용한 SiC 기판의 macrostep 형성 억제)
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- Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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- 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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- pp.539-542
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- 2001