• 전자공학회논문지A
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• 제31A권6호
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• pp.128-133
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• 1994

This paper proposes a new TTL-to-CMOS converter which has low power dissipation. This converter has no static power dissipation for typical TTL output voltage levels. The simulatio result shows that the power dissipation is reduced to about 1/20 of conventional level converter using CMOS inverters. It also has hysteresis due to the positive feedback which makes the converter noise immune. The logic threshold voltages in the hysteresis characteristic can be optimized by changing the size ratios of the transistors.

• 전기전자학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.52-58
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• 2001

본 논문에서는 입력이 TTL 전압 레벨일 때 저전력으로 동작하도록 설계된 TTL-to-CMOS 입력버퍼의 회로를 제안한다. 회로 구성은 내부 활성 클럭펄스로 제어되는 반전형 입력버퍼와 래치로 구성하고, 직류 단락전류를 제거하기 위해 클럭펄스가 로우상태일 때는 입력버퍼가 동작되지 않도록 하고 하이일 때만 정상적으로 동작되도록 하였다. 시뮬레이션을 수행한 결과 제안된 회로의 전력-지연 곱이 하나의 입력당 33.7% 줄어듬을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1512-1513
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• 2007

In this paper the influence of CMOS- and TTL-technology on the breakdown and destruction effects by artificial electromagnetic waves is determined. Different electronic devices(3 CMOS & 5 TTL) were exposed to high amplitude electromagnetic waves. CMOS ICs were occurred only destruction below the max electric field and TTL ICs were occurred breakdown and destruction below the max electric field. The SEM analysis of the destruction devices showed onchipwire and bondwire destruction like melting due to thermal effect. The test results are applied to the data which understand electromagnetic wave effects of electronic equipments.

• 한국통신학회논문지
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• 제28권1A호
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• pp.47-53
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• 2003

본 논문에서는 155 Mb/s급 멀티플렉서-디멀티플렉서를 단일소자로 설계하였다. 이 소자는 초고속 전송망의 전송노드 역할을 하는 2.5 Gb/s SDH 전송시스템에 적용되어 51 Mb/s의 병렬 데이터들을 155 Mb/s의 직렬 데이터로 다중화 하거나 155 Mb/s 직렬 데이터들을 51 Mb/s의 병렬 데이터로 역 다중화 하는 기능을 수행한다 소자의 저속부는 TTL로 접속되고 고속부는 100K ECL로 접속되며 0.7${\mu}m$BiCMOS gate array로 제작되었다 설계 제작된 소자는 180˚의 155 Mb/s 데이터 입력 phase margin을 가지며 출력 데이터 skew는 470ps, 소비전력은 2.0W 이하의 특성을 보인다.

• 전자공학회논문지SC
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• 제48권2호
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• pp.56-63
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• 2011

본 논문에서는 마이크로프로세서의 디지털 입력포트에 히스테리시스 특성을 부여하는 방법 및 설계 순서를 제시하고 이를 실험해 그 효과를 확인하였다. 프로세서의 잉여포트가 있을 때 제시한 방법을 이용하면 저항 2개의 추가만으로 히스테리시스 특성을 얻을 수 있으며, 더구나 기존의 TTL과 CMOS의 슈미트 트리거 게이트에 비해 큰 히스테리시스 폭을 얻을 수 있다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.345-348
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• 2000

In this paper, We described the procedures to generate an input-output buffer information specification (IBIS) model in digital IC circuits. We gives the method to describe IBIS standard I/O for the characteristics of I/O buffer and to represent its electrical characteristics. The parameters of I/O structure for I/O buffer modelling are also referred, and an IBIS model for CMOS, TTL IC, ROM and RAM constructed amounts about 216. This IBIS model can be used to the simulation of signal integrity of high speed circuits in a PCB level.

• 전자공학회논문지C
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• 제34C권4호
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• pp.16-25
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• 1997

This paper shows a SDRAM opeating in 200MHz clock cycle which it use data interleave and pipelining for high speed operation. We proposed NdC (Negative DEaly circuit) to improve clock to access time(tAC) characteristics, also we proposed low power WL(wordline)driver circit and high efficiency VPP charge-pump circit. Our all circuits has been fabricated using 0.4um CMOS process, and the measured maximum speed is 200Mbytes/s in LvTTL interface.

• IT SoC Magazine
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• 통권3호
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• pp.35-37
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• 2004

본 연구팀이 Hynix 0.35um CMOS 4M 2P 공정을 사용하여 제작한 민수용 DDFS (DAC를 포함한 single chip)는 DC부터 100MHz 까지 사용할 수 있으며(BW=100MHz) frequency 변환속도 약 30nS, 주파수해상도 0.0745Hz, 그리고 소비 전력은 120MHz 클럭에서 약 200mW이다. 본고에서는 언급하지 않았지만, 본 연구팀이 별도의 설계로 진행된 군수용 DDFS의 경우, 출력주파수는 DC부터 320MHz 까지 가능하고 소비 전력은 800MHz 클럭에서 약 400mW이다. 이처럼 DDFS는 특성 자체의 우수성 뿐 아니라, 각종 멀티미디어 기기 및 통신시스템의 급격한 디지털화 추세로 인해 주파수합성기도 디지털화 함으로써 VLSI화가 용이하고, 이에 따라 S/W에 의한 다기능화 (programmability), 응용성의 극대화, 및 저가격화를 추구할 수 있다는 점에서 주목해야 할 분야이다. 특히 반도체기술의 발전으로 지금까지 DDFS 구현의 가장 큰 장애로 대두되던 DAC의 고속화가 부분적으로 가능해지면서 (TTL-to-ECL interface 부가회로가 별도로 필요없이 직접적인 연결), DDFS의 시장 전망을 더욱 밝게 하고 있다.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권10호
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• pp.61-70
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• 1996

In this paper, we find the values of near-end crosstalk coefficient in striplines of a FR-4 multilayer PCB by an analytic method and a HSPICE simulation method, and define calcualtion errors in an analytic method and define the application range, and simualte near-end crosstalk coefficients of the FCT (fast CMOS TTL) in complicated striplines by HSPICE and analyze near-en crosstalk coefficients in relation to dielectric thickness and trace spaces of striplines. As a result, we analyze coupling structure of the near-end crosstalk in the coplicated sstriplines that are impedance matched and define a coupling formula of near-end crosstalk coefficients in general complicated striplines. Especially, it is approximated in the layout grade rule.

• 대한전기학회논문지:시스템및제어부문D
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• 제54권4호
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• pp.243-250
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• 2005

Test methodology is diversity by devices and the number of test pattern is tremendous because the digital circuit includes TTL and CMOS family ICs as well as high density devices such as ROM and RAM. Accordingly, the quick and effective test strategy is required to enhance the test productivity. This paper proposes the test strategy which is able to be applied efficiently to the diversity devices on the digital circuit board by analyzing the structure and characteristic of the digital device. Especially, this test strategy detects the faulted digital device or the faulted digital circuit on the digital board using SSA(Serial Signature Analysis) technique based on the polynomial division theory The SSA technique identifies the faults by comparing the reminder from good device with reminder from the tested device. At this time, the reminder is obtained by enforcing the data stream obtained from output pins of the tested device on the LFSR(Linear Feedback Shift Register) representing the characteristic equation. Also, the method to obtain the optimal signature analysis circuit is explained by furnishing the short bit input streams to the long bit input streams to the LFSR having 8, 12, 16, 20bit input/output pins and by analyzing the occurring probability of error which is impossible to detect. Finally, the effectiveness of the proposed test strategy is verified by simulating the stuck at 1 errors or stuck at 0 errors for several devices on typical 8051 digital board.