• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.30 no.4
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• pp.282-285
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• 2019

A 100-nm gate-length metamorphic high electron mobility transistor(mHEMT) with a T-shaped gate was fabricated using a two-step gate recess and characterized for DC and microwave performance. The mHEMT device exhibited DC output characteristics having drain current($I_{dss}$), an extrinsic transconductance($g_m$) of 1,090 mS/mm and a threshold voltage($V_{th}$) of -0.65 V. The $f_T$ and $f_{max}$ obtained for the 100-nm mHEMT device were 190 and 260 GHz, respectively. The developed mHEMT will be applied in fabricating W-band monolithic microwave integrated circuits(MMICs).

• Satellite Communications and Space Industry
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• v.7 no.2 s.16
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• pp.78-88
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• 1999

우리나라가 주관하는 총 4개의 위성이 발사 될 1999년은 '위성의 해'로 볼 수 있다. 지난 10년 동안 국내에서는 무궁화위성 OJT 및 글로벌스타 위성 RF 부품 제작에 참여하여 위성 제작에 대한 경험이 축적되어 있다. 하지만, 이렇게 확보된 기술을 종합화 하여 우리 위성에 탑재하고자 하는 논의가 진행되던 '97년 말 한국을 강타한 IMF의 영향으로 많은 기업들이 그 동안 축적된 위성 RF 부품 기술 조차도 포기하는 방향으로 구조 조정을 하고 있다. 그러나, 국가적으로 위성사업을 포기하지 않는 한 이런 변화는 재고 되어야 할 것이며, 올해 4개 위성 발사를 계기로 위성기술 개발 필요성을 다시 한번 확인 하여야 한다. 본 원고에서는 이에 맞춰 국내 위성 RF 부품 개발 현황과 잠재적으로 위성용으로 발전시킬 수 있는 지구국 RF 부품 개발 현황을 기술하고, 부품 국산화를 전망해 본다. 이를 통하여 새로운 2000년대를 준비한다는 면에서 의미있는 일이라고 판단된다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.17 no.4 s.76
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• pp.101-112
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• 2002

RF 부품의 설계는 이용분야에 따라 그 설계법 및 제조공정이 달라지게 된다. 상업적인 이용분야에서는 대량생산 및 저가격화를 목적으로 하는데 반해, 통신위성 및 군사분야 등에서는 고신뢰도 및 고성능을 요구하게 된다. 그동안 국내의 RF 기술은 기본적으로 이동통신 및 위성방송수신기 등의 상업적인 분야에 치중되어 왔기 때문에 높은 신뢰도를 요구하는 위성중계기용 RF 설계기술의 기술수준은 선진국에 비해 매우 낮은 수준이다. 2005년도에는 국내에서 독자적으로 개발되고 있는 중계기를 탑재하는 통신위성이 발사될 예정이므로, 현 시점에서 높은 신뢰도를 갖는 위성중계기용 RF 부품의 설계법 및 제조공정 등을 살펴보는 것이 필요하리라 판단된다. 따라서 본 고에서는 높은 신뢰도를 갖는 위성중계기용 RF 부품의 설계 및 제조공정에 대하여 고찰한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.36 no.3
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• pp.53-64
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• 2021

As the 5G service market is expected to grow rapidly, the development of high-power, high-efficiency power amplifiers for the 5G communication infrastructure is indispensable. Gallium nitride (GaN) is attracting great interest as a key device in power devices and integrated circuits due to its wide bandgap, high carrier concentration, high electron mobility, and high-power saturation characteristics. In this study, we investigate the technology trends of Ka-band GaN radio frequency (RF) power devices and integrated circuits for operation in the millimeter-wave band of recent 5G mobile communication services. We review the characteristics of GaN RF high electron mobility transistor (HEMT) devices to implement power amplifiers operating at frequencies around 28 GHz and compare the technology of foreign companies with the device characteristics currently developed by the Electronics and Telecommunication Research Institute (ETRI). In addition, the characteristics of Ka-band GaN monolithic microwave integrated circuit (MMIC) power amplifiers manufactured using various GaN HEMT device technologies are reviewed by comparing characteristics such as frequency band, output power, and output power density of integrated circuits. In addition, by comparing the performance of the power amplifier developed by ETRI, the current status and future direction of domestic GaN power devices and integrated circuit technology will be discussed.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.5 no.2
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• pp.49-52
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• 1998

이동통신용 핵심 부품인 W-LAN용 RF-Switch를 설계 및 제작하였다. 본 연구에서 는 CAD를 이용한 전송선로 설계기술, 소형화, 다층화 설계기술, 이동통신용 MCM 부품의 패턴설계를 개발하였으며 RF-Switch 설계하는기법 소형화 및 다층화를 위한 MCM공법을 얻을수 있었다. Ant-Rx On시 삽입손실은 0.48dB로 나타났다.

• The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.12 no.3
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• pp.69-79
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• 2001

비동기 및 차세대 이동통신 시스템의 진화 과정 상에서 RF관련 규격들의 변화에 대해 알아보았고, 비동기 시스템의 RF부를 제작하는데 사용하게 될 RF 부품 기술 동향을 단말기와 기지국의 경우로 나 누어 분석하였다. 또한 차세대인 4세대 시스템 RF 부의 진화 전망에 대해 간단히 알아보았다. 시스템 이 진화할수록, 요구되는 데이터 처리 능력으로 인 해 채널 대역폭은 점점 넓어지고, 기존 시스템과의 상호 간섭 방지를 위해 일반적인 RF 관련 규격 중 방사 규격과 요구되는 선형성이 엄격해진다. 앞으로 의 RF 부품의 기술적 진화는 직접 변환 방식의 부 품 개발로 단말기의 소형화, 저가격화를 이를 것이 고, 동작 주파수 영역을 0.8~5 GHz대로 하기 위한 광대역화, 선형화가 요구될 것이다. 또한 4 세대 시스템에서는 기존의 주파수 이용 개념과 무선 전송 기술에 변화를 주게 될 SDR 기반의 다중모드/복합 다중 접속 기술을 적용하게 될 것으로 예상된다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.34 no.5
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• pp.71-80
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• 2019

Gallium nitride (GaN) can be used in high-voltage, high-power-density/-power, and high-speed devices owing to its characteristics of wide bandgap, high carrier concentration, and high electron mobility/saturation velocity. In this study, we investigate the technology trends for X-/Ku-band GaN RF power devices and MMIC power amplifiers, focusing on gate-length scaling, channel structure, and power density for GaN RF power devices and output power level and output power density for GaN MMIC power amplifiers. Additionally, we review the technology trends in gallium arsenide (GaAs) RF power devices and MMIC power amplifiers and analyze the technology trends in RF power devices and MMIC power amplifiers based on both GaAs and GaN. Furthermore, we discuss the current direction of national research by examining the national and international technology trends with respect to X-/Ku-band power devices and MMIC power amplifiers.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.37 no.5
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• pp.11-21
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• 2022

GaN (Gallium-Nitride) is a promising candidate material in various radio frequency applications due to its inherent properties including wide bandgap, high carrier concentration, and high electron mobility/saturation velocity. Notably, AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor exhibits high operating voltage and high power-density/power at high frequency. In next-generation radar systems, GaN power transistors and monolithic microwave integrated circuits (MMICs) are significant components of transmitting and receiving modules. In this paper, we introduce technological trends for C-/X-/Ku-band GaN MMICs including power amplifiers, low noise amplifiers and switch MMICs, focusing on the status of GaN MMIC fabrication technology and GaN foundry service. Additionally, we review the research for the localization of C-/X-/Ku-band GaN MMICs using in-house GaN transistor and MMIC fabrication technology. We also discuss the results of C-/X-/Ku-band GaN MMICs developed at Defense Materials and Components Convergence Research Department in ETRI.

• Information and Communications Magazine
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• v.19 no.11
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• pp.109-122
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• 2002

최근 Software Defined Radio(혹은 Software Radio) 관련 연구가 국내외에서 활발해지면서 RF부품 및 시스템에 적용하기 위한 연구가 새로운 주제로 부각되고 있다. 본 고에서는 이러한 추세에 맞추어 RF 대역에서 부품 및 시스템의 연구 내용 검토하며, 가장 문제가 된다고 판단되는 대역통과여파기의 설계를 중심으로 논의하고자 한다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.32 no.3
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• pp.201-206
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• 2019

This report constitutes the first demonstration in Korea of single-crystal lateral gallium oxide ($Ga_2O_3$) as a metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFET), with a breakdown voltage in excess of 480 V. A Si-doped channel layer was grown on a Fe-doped semi-insulating ${\beta}-Ga_2O_3$ (010) substrate by molecular beam epitaxy. The single-crystal substrate was grown by the edge-defined film-fed growth method and wafered to a size of $10{\times}15mm^2$. Although we fabricated several types of power devices using the same process, we only report the characterization of a finger-type MOSFET with a gate length ($L_g$) of $2{\mu}m$ and a gate-drain spacing ($L_{gd}$) of $5{\mu}m$. The MOSFET showed a favorable drain current modulation according to the gate voltage swing. A complete drain current pinch-off feature was also obtained for $V_{gs}<-6V$, and the three-terminal off-state breakdown voltage was over 482 V in a $L_{gd}=5{\mu}m$ device measured in Fluorinert ambient at $V_{gs}=-10V$. A low drain leakage current of 4.7 nA at the off-state led to a high on/off drain current ratio of approximately $5.3{\times}10^5$. These device characteristics indicate the promising potential of $Ga_2O_3$-based electrical devices for next-generation high-power device applications, such as electrical autonomous vehicles, railroads, photovoltaics, renewable energy, and industry.