Mesoporous anatase $TiO_2$ nanoparticles have been synthesized by a hydrothermal method using a tri-block copolymer as a soft template. The resulting $TiO_2$ materials have a high specific surface area of $230\;m^2/g$, a predominant pore size of 6.8 nm and a pore volume of 0.404 mL/g. The electrochemical properties of mesoporous anatase $TiO_2$ for lithium ion battery (LIB) anode materials have been investigated by typical coin cell tests. The initial discharge capacity of these materials is 240 mAh/g, significantly higher than the theoretical capacity (175 mAh/g) of LTO ($Li_4Ti_5O_{12}$). Although the discharge capacity decreases with the C-rate increase, the mesoporous $TiO_2$ is very promising for LIB anode because the surface for the Li insertion is presented significantly with mesopores. Nitrogen doping has a certain effect to control the capacity decrease by improving the electron transport in $TiO_2$ framework.
The energy density of lithium-ion batteries (LIBs) determines the mileage of electric vehicles. For increasing the energy density of LIBs, it is necessary to develop high-capacity active materials that can store more lithium ions within constrained weight. The rapid progress made in cathode technology has realized the utilization of the near-theoretical capacity of cathode materials. In contrast, commercial LIBs have still exploited graphite as active material in anodes since the 1990s. The most promising way to increase anodes' capacity is to mix high-capacity and long-cycle-life silicon oxides (SiOx) with graphite. However, the low initial Coulombic efficiency (ICE) of SiOx limits its content below 15 wt%, impeding the capacity increase in anodes. To address this issue, various prelithiation techniques have been proposed, which can improve the ICE of high-capacity anode materials. In this review paper, we introduce the principles and expected effects of prelithiation techniques reported so far. According to the reaction mechanisms, the strategies are categorized. Mainly, we focus on the recent progress of solution-based chemical prelithiation methods with commercial viability, of which lithiation reaction occurs homogeneously at liquid-solid interfaces. We believe that developing a cost-effective and mass-scalable prelithiation process holds the key to dominating the anode market for next-generation LIBs.
Cr:A12O3 and Ti:A12O3 single crystals were grown by Czochralski method, and the effects of crystal growth parameters such as pulling rate, rotation rate, dopant and growth atmosphere on crystal quality were investigated. And spectroscopic properties including lasing efficiency were also measured. Single crystals, sized of 20mm in diameter and 100-135mm in length, were successfully grown from the seed of <001> direction. With the doping level of 0.5w/o Cr2O3, pulling rate 2.0mm/hr, rotation rate of 30rpm and inert atmosphere by nitrogen gas, high quality crystals of Cr:A12O3 were grown. While in case of Ti:A12O3 crystals, high quality crystals were grown under the conditions of the doping level of 0.25w/o TiO2, pulling rate of 1.5mm/hr, rotation rate of 30rpm and reducing atmosphere by hydrogen - nitrogen mixed gas. It was confirmed that Cr3+ ion which maintains its ionoc valence during growth easily de-bubbled than Ti4+ ion which changes its valence, Fe3+ ion also has do-bubbling effect to Ti:A12O3 crystal and the reducing atmosphere by 90% N2 - 10% H2 mixed gas gave effective result on the changing of Ti4+ to Ti3+ and de-bubbling. As a result of spectroscopic measurements of Cr:A12O3 crystal, 4A2 →4F2 and 4F1 absorption transitions and E →4A2(R1) and 2A →4A2(R2) fluorenscence transitions were confirmed. And it was measured that wavelengths of laser R1 and R2 transitions were 696±5nm and 692±5nm respectively, line width of these transitions were 12A, and life-time of fluorenscence was 152μsec. In case of Ti:A12O3 crystals, it was confirmed that absortion transition of 4T2→4E and fluorescence transition of 4E→4T2 with wide range of 650-1050nm was occured. And 147μsec of life-time of fluorescence, 125.4 of figure of merit and 9% of laser efficience were also measured.
Boron trifluoride lithium methacrylate ($BF_3$LiMA)-based gel polymer electrolytes (GPEs) were synthesized with various $BF_3$LiMA concentration to elucidate the effect on ionic conductivity and electrochemical stability by a AC impedance and linear sweep voltammetry (LSV). As a result, the highest ionic conductivity reached $5.3{\times}10^{-4}Scm^{-1}$ at $25^{\circ}C$ was obtained for 4 wt% of $BF_3$LiMA. Furthermore, high electrochemical stability up to 4.3 V of the $BF_3$LiMA-based GPE was observed in LSV measurement since the counter anion was immobilized in this self-doped system. On the other hand, it was assumed that there was a rapid decomposition of electrolytes on a lithium metal electrode which results in a high solid electrolyte interface (SEI) resistance. However, a high stability toward graphite or lithium cobalt oxide (LCO) electrode thereby a low SEI resistance was observed from the AC impedance measurement as a function of storage time at $25^{\circ}C$. Consequently, the high ionic conductivity, good electrochemical stability and the good interfacial compatibility with graphite and LCO were achieved in $BF_3$LiMA-based GPE.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.16
no.4
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pp.36-46
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1979
Using N_ Ch silicon gate technology . the capacitors and transistors with various dimenssion were fabricated. Although the applied process was somewhat standard the conditions of ion implantation for the gate were varied by changing the implant energies from 30keV to 60keV for B and from 100 keV to 175keV for P . The doses of the implant also changed from 3 $\times$ 10 /$\textrm{cm}^2$ to 5 $\times$ 10 /$\textrm{cm}^2$ for B and from 4$\times$ 10 /$\textrm{cm}^2$ to 7 $\times$ 10 /$\textrm{cm}^2$ for P . The D. C. parameters such as threshold voltage. substrate doping level, the degree of inversion, capacitance. flat band voltage, depletion layer width, gate oxide thickless, surface states, motile charge density, electron mobility. leakage current were evaluated and also compared with the corresponing theoretical values and / or good numbers for application. The threshold voltages measured using curve tracer and C-V plot gave good agreements with the values calculated from SUPREM II which has been developed by Stanford University process group. The threshold vol tapes with back gate bias were used to calculate the change of the substrate doping level. The measured subthreshold slope enabled the prediction of the degree of inversion The D. C. testing results suggest the realized capacitors and transistors are suited for the memory applications.
Zn and Al added LiNi0.85Co0.15O2 cathode materials were synthesized to improve electrochemical properties and thermal stability using a solid-state route. Crystal structure, particle size and surface shape of the synthesized cathode materials was measured using XRD (X-ray diffraction) and SEM (scanning electron microscopy). CV (cyclic voltammetry), first charge-discharge profiles, rate capability, and cycle life were measured using battery cycler (Maccor, series 4000). Strong binding energy of Al-O bond enhanced structure stability of cathode material. Electrochemical properties were improved by preventing cation mixing between Li+ and Ni2+. Large ion radius of Zn+ increased lattice parameter of NC cathode material, which meant unit-cell volume was expanded. NCZA25 showed 80% of capacity retention at 0.5 C-rate during 100 cycles, which was 12% higher than that of NC cathode. The discharge capacity of NCZA25 showed 104 mAh/g at 5 C-rate. NCZA25 achieved 36 mAh/g more capacity than that of NC cathod. NCZA25 cathode material showed excellent rate capability and cycling performance.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.36
no.4
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pp.413-417
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2023
Gallium Oxide (Ga2O3) is preferred as a material for next generation power semiconductors. The Ga2O3 should solve the disadvantages of low thermal resistance characteristics and difficulty in forming an inversion layer through p-type ion implantation. However, Ga2O3 is difficult to inject p-type ions, so it is being studied in a heterojunction structure using p-type oxides, such as NiO, SnO, and Cu2O. Research the lateral-type FET structure of NiO/Ga2O3 heterojunction under the Gate contact using the Sentaurus TCAD simulation. At this time, the VG-ID and VD-ID curves were identified by the thickness of the Epi-region (channel) and the doping concentration of NiO of 1×1017 to 1×1019 cm-3. The increase in Epi region thickness has a lower threshold voltage from -4.4 V to -9.3 V at ID = 1×10-8 mA/mm, as current does not flow only when the depletion of the PN junction extends to the Epi/Sub interface. As an increase of NiO doping concentration, increases the depletion area in Ga2O3 region and a high electric field distribution on PN junction, and thus the breakdown voltage increases from 512 V to 636 V at ID =1×10-3 A/mm.
Solid polymer electrolytes using $BF_3LiMA$ as monomer were synthesized by usual one step radical polymerization in THF solvent. The effect of $BF_3LiMA$ concentration on ionic conductivity and electrochemical stability was investigated by AC impedance measurement and linear sweep voltammetry. As a result, the highest ionic conductivity reached $7.71{\times}10^{-6}S\;cm^{-1}$ at $25^{\circ}C$ was obtained in 12.9 wt% of $BF_3LiMA$ content. Further increase or decrease of $BF_3LiMA$ content result to decrease the ionic conductivity due to the brittle matrix properties in former case and the insufficient number of charge carrier in the latter case. Furthermore, since the counter-anion was immobilized in the self-doped solid polymer electrolytes, high electrochemical stability up to 6.0 V was observed even in $60^{\circ}C$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.402.1-402.1
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2016
The performance of solid oxide fuel cells (SOFCs) is directly related to the electrocatalytic activity of composite electrodes in which triple phase boundaries (TPBs) of metallic catalyst, oxygen ion conducting support, and gas should be three-dimensionally maximized. The distribution morphology of catalytic nanoparticle dispersed on external surfaces is of key importance for maximized TPBs. Herein in situ grown nickel nanoparticle onto the surface of fluorite oxide is demonstrated employing gadolium-nickel co-doped ceria ($Gd0.2-xNixCe0.8O2-{\delta}$, GNDC) by reductive annealing. GNDC powders were synthesized via a Pechini-type sol-gel process while maximum doping ratio of Ni into the cerium oxide was defined by X-ray diffraction. Subsequently, NiO-GNDC composite were screen printed on the both sides of yttrium-stabilized zirconia (YSZ) pellet to fabricate the symmetrical half cells. Electrochemical impedance spectroscopy (EIS) showed that the polarization resistance was decreased when it was compared to conventional Ni-GDC anode and this effect became greater at lower temperature. Ex situ microstructural analysis using scanning electron microscopy after the reductive annealing exhibited the exsolution of Ni nanoparticles on the fluorite phases. The influence of Ni contents in GNDC on polarization characteristics of anodes were examined by EIS under H2/H2O atmosphere. Finally, the addition of optimized GNDC into the anode functional layer (AFL) dramatically enhanced cell performance of anode-supported coin cells.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.237.1-237.1
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2016
Electrical properties of graphene-based field effect transistors (G-FETs) can be degraded in ambient conditions owing to physisorbed oxygen or water molecules on the graphene surface. Passivation technique is one of a fascinating strategy for fabrication of G-FETs, which allows to sustain electrical properties of graphene in the long term without disrupting its inherent properties: transparency, flexibility and thinness. Ironically, despite its importance in producing high performance graphene devices, this method has been much less studied compared to patterning or device fabrication processes. Here we report a novel surface passivation method by using atomically thin self-assembled alkane layers such as C18- NH2, C18-Br and C36 to prevent unintentional doping effects that can suppress the degradation of electrical properties. In each passivated device, we observe a shift in charge neutral point to near zero gate voltage and it maintains the device performance for 1 year. In addition, the fabricated PG-FETs on a plastic substrate with ion-gel gate dielectrics exhibit not only mechanical flexibility but also long-term stability in ambient conditions. Therefore, we believe that these highly transparent and ultra-thin passivation layers can become a promising candidate in a wide range of graphene based electronic applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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