본 논문에서는 CSP(Chip Size Package)를 이용하여 정합소자 및 모든 바이어스소자, ESD(Electrostatic Dis-charge) 보호소자를 MMIC상에 완전집적한 K/Ka밴드 광대역 MMIC chip set에 관하여 보고한다. CSP에 대해서는 이방성 도전필름인 ACF(Anisotropic Conductive Film)를 이용하였으며, 그 결과 MMIC 패키지 프로세스가 간략화 되었고, CSP MMIC의 저 가격화가 실현되었다. MMIC상에 집적하기 위한 DC 바이어스 용량소자로서는 고유전율의 $STO(SrTi_{3})$ 필름 커패시터가 이용되었으며, DC 피드소자와 ESD 보호소자로서는 LC 병렬회로가 사용되었다. 그리고, K/KA 밴드 광대역에 걸친 MMIC의 정합과 안정도를 위해서는 프리매칭회로와 RC 병렬회로가 이용되었으며, 제작된 CSP MMIC는 광대역(K/Ka) 밴드에서 양호한 RF 특성을 보였다. 본 논문은 K/Ka 밴드의 주파수 대역에 있어서의 완전집적화 CSP MMIC 칩셋에 관한 최초의 보고이다.
본 논문에서는 새로운 형태의 CSP (chip site package)를 이용하여 정합소자 린 바이어스소자를 MMIC상에 완전집적한 Ku/K밴드 광대역 증폭기 MMIC에 관하여 보고한다. 새로운 형태의 CSP에 대해서는 이방성 도전필름인 ACF (anisotropic conductive film)을 이용하였으며, 그 결과 MMIC 패키지 프로세스가 간략화 되었고, CSP MMIC의 저 가격화가 실현되었다. MMIC상에 집적하기 위한 DC 바이어스 용량소자로서는 고유전율의 STO (SrTiO3) 필름 커패시터가 이용되었다. 제작된 CSP MMIC는 광대역 RF동작특성 (12-24 GHz에서 12.5$\pm$1.5 dB의 이득치, -6 dB이하의 반사계수, 18.5$\pm$1.5 dBm의 PldB) 을 보였다. 본 논문은 K 또는 Ku 밴드의 주파수대역에 있어서의 완전집적화 CSP MMIC에 관한 최초의 보고이다.
Recently, the miniature of electric products such as notebook, cellular-phone etc. is apparently appeared, due to the smaller size of the semiconductor chips. As the size of chip gets smaller, the circuit could be easily damaged by the slightest influence, therefore it is important to investigate the machining quality of $\mu$ BGA. This paper deals with machining characteristics of the $\mu$ BGA singulation. The relationships between the singulation face and machining quality of the $\mu$ BGA singulation are investigated. It is confirmed that machining quality improves as the singulation force decreases.
Chip Size Packages (CSP) are now widely used in high speed DRAM. The major driving farce of CSP development is its superior electrical performance than that of conventional package. However, the power dissipation of high speed DRAM like DDR or RAMBUS DRAM chip reaches up to near 2W. This fact makes the thermal management methods in DRAM package be more carefully considered. In this study, the thermal performances of 3 type CSPs named $\mu-BGA$^{TM}$$$UltraCSP^{TM}$ and OmegaCSP$^{TM}$ were measured under the JEDEC specifications and their thermal characteristics were of a simulation model utilizing CFD and FEM code. The results show that there is a good agreement between the simulation and measurement within Max. 10% of $\circledM_{ja}$. And they show the wafer level CSPs have a superior thermal performance than that of $\mu-BGA.$ Especially the analysis results show that the thermal performance of wafer level CSPs are excellent fur modulo level in real operational mode without any heat sink.
CSP(Chip Size Packaging) SAW Filter Package에 대해서, 유한요소해석(Finite Element Analysis) 컴퓨터 Simulation 프로그램인 ANSYS를 이용하여 Package의 온도 분포를 해석하였다. 신뢰성(reliability) Test 조건에서 Transient Thermal Simulation을 한 후, 조건을 변화시켜 가면서 Chip 내부 온도가 어떻게 변화하는지 알아보았다. Chip에 1.8 hour 동안 4W의 열원을 주고, 주위는 2$0^{\circ}C$ 자연대류로 놓고 Transient Thermal Simulation한 결과는 약 99$^{\circ}C$로, 허용 가능한 온도인 11$0^{\circ}C$보다 약 11$^{\circ}C$ 낮음을 알 수 있었다. 또한 이는 실험값인 약 95$^{\circ}C$와 유사한 값을 나타내었다.
Interconnect - Wire bonding-> Flip chip interconnect ; At research step, Au stud bump bonding seems to be more proper .Package -Plastic package-> $Z_{0}$ controlled land grid package -Flip Chip will be used for RF ICs and CSP for digital ICs -RF MCM comprised of bare active devices and integrated passive components -Electrical design skills are much more required in RF packaging .Passive Component -discrete-> integrated -Both of size and numbers of passive components must be reduced
반도체의 경박단소화, 고밀도화에 따라 향후 반도체 패키지의 주 형태는 CSP(Chip Scale Package)가 될 것이다. 이러한 CSP에 사용되는 에폭시 수지 시스템의 흡습특성을 조사하기 위하여 에폭시 수지 및 충전재 변화에 따른 확산계수와 흡습율 변화를 조사하였다. 본 연구에 사용된 에폭시 수지로는 RE-304S, RE-310S, 및 HP-4032D를, 경화제로는 Kayahard MCD를, 경화촉매로는 2-methyl imidazole을 사용하였다. 충전재 크기 변화에 따른 에폭시 수지 성형물의 흡습특성을 조사하기 위하여 충전재로는 마이크로 크기 수준 및 나노 크기 수준의 구형 용융 실리카를 사용하였다. 이러한 에폭시 수지 성형물의 유리전이온도는 시차주사열량계를 이용하여 측정하였으며, 시간에 따른 흡습특성은 $85^{\circ}C$ and 85% 상대습도 조건하에서 항온항습기를 사용하여 측정하였다. 에폭시 수지 성형물의 확산계수는 Ficks의 법칙에 기초한 변형된 Crank 방정식을 사용하여 계산 하였다. 충전재를 사용하지 않은 에폭시 수지 시스템의 경우, 유리전이온도가 증가함에 따라 확산계수와 포화흡습율이 증가 하였으며 이는 유리전이온도 증가에 따른 에폭시 수지 성형물의 자유부피 증가로 설명하였다. 충전재를 사용한 경우, 충전재의 함량 증가에 따라 유리전이온도와 포화흡습율은 거의 변화가 없었으나, 확산계수는 충전재의 입자 크기에 따라 많은 변화를 보여주었다. 마이크로 크기 수준의 충전재를 사용한 경우 확산은 자유부피를 통하여 주로 이루어지나, 나노 크기 수준의 충전재를 사용한 에폭시 수지 성형물에서는 충전재의 표면적 증가에 따른, 수분 흡착의 상호작용을 통한 확산이 지배적으로 이루어진다고 판단된다.
The great development of semiconductor industry demands the high efficiency and performance of related device, but the pick and place system of semiconductor packaging device can load a few units until nowdays. Although the system can load a lot of units, it can work multiple sort operation. The defect like that causes a low efficiency. Therefore, this paper represents the development of pick and place system which can work multiple sort operation.
There are continuous efforts in the electronics industry to a reduced electronic package size. Reducing the size of electronic packages can be achieved by a variety of means, and for ball grid array(BGA) packages an effective method is to decrease the pitch between the individual balls. Chip scale package(CSP) and BGA are now one of the major package types. However, a reduced package size has the negative effect of reducing board-level reliability. The reliability concern is for the different thermal expansion rates of the two-substrate materials and how that coefficient CTE mismatch creates added stress to the BGA solder joint when thermal cycled. The point of thermal fatigue in a solder joint is an important factor of BGA packages and knowing at how many thermal cycles can be ran before failure in the solder BGA joint is a must for designing a reliable BGA package. Reliability of the package was one of main issues and underfill was required to improve board-level reliability. By filling between die and substrate, the underfill could enhance the reliability of the device. The effect of underfill on various thermomechanical reliability issues in $\mu$BGA packages is studied in this paper.
WLCSP(wafer level chip size package)는 웨이퍼 레벨에서 패키지 공정이 이루어지는 차세대 패키지 중 하나이다. WLCSP는 웨이퍼 레벨에서 패키지 공정이 이루어진다는 특징으로 인하여 웨이퍼당 생산되는 반도체 칩의 수에 따라 그 패키징 비용을 크게 줄일 수 있다는 장점이 있다. 그러나 응력 버퍼 역할을 하는 기판을 없애는 혁신적인 구조로 인하여 솔더 조인트의 신뢰성이 기존의 BGA 패키지에 비하여 취약하게 되는데, 이러한 솔더 조인트 신뢰성에 대하여 반도체 칩과 솔더볼을 연결하는 폴리머 절연층은 열팽창계수 차이에 의해 발생하는 응력을 흡수하는 중요한 역할을 하게 된다. 본 연구에서는 하이닉스에서 개발한 Omega-CSP를 사용하여 솔더볼 배열 변화와 제 1 절연층의 특성에 따른 솔더 조인트의 열피로 특성을 평가하였다. 그 결과 절연층의 특성 변화가 솔더 조인트의 열피로 특성에 주는 영향은 솔더볼 배열 구조에 따라 변화되는 것을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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