• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2004년도 춘계종합학술대회
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• pp.682-684
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• 2004

Random Telegraph Signal(RTS)에 의한 1/f 잡음이 CMOS Ring Oscillator의 Phase Noise와 Jitter에 미치는 영향을 조사한다. 7단 Ring Oscillator의 각 노드에 병렬 연결된 10개의 Piece-Wise-Linear 전류원이 RTS 신호를 모델링 한다. RTS 전류원의 진폭과 Time Constant를 변화시키면서 Ring Oscillator 출력의 FFT 및 전력 스팩트럼 밀도, Jitter를 관찰한다. RTS 전류원의 진폭은 Phase Noise의 폭을 증가시키고 결과적으로 Jitter의 크기도 증가 시키는 것이 확인 되었다. 그리고 RTS Time Constant가 짧아질수록 출력 신호의 FFT peak의 폭이 커지고 Cycle to Cycle Jitter 값이 증가하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권3호
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• pp.1-8
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• 2004

본 연구에서는 소오스와 드레인 근처에 포켓형상으로 이온이 주입되어 halo구조를 갖고 있는 MOSFET 소자의 1/f 잡음 특성에 대하여 고찰하였다. 채널 방향으로 전도도가 균일하지 않은 MOSFET 소자가 선형영역에서 동작할 때, 영역구분 근사기법(regional approach)을 근간으로 논의된 기존의 1/f 잡음모델을 영역별로 서로 다른 전기적 성질이 정의될 수 있는 halo MOSFET 소자에 적용하여 그 타당성을 조사하였다. 잡음모델의 검증을 위하여 기존의 모델에서와 같이 영역구분 근사를 사용하여 보다 넓은 동작범위에서 적용될 수 있도록 기존의 모델식을 개선하였다. 개선된 잡음식은 선형영역에서 기존에 보고된 잡음식에 수렴한다. 실험적으로 측정된 1/f 잡음 특성과의 비교에서 영역구분 근사기법으로 정리된 잡음식은 게이트 전압이 비교적 큰 경우에 한해서 적용될 수 있음을 보였다.

• 한국진공학회지
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• 제5권1호
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• pp.48-53
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• 1996

We present a microscopic description for generation of 1/f noise in interfaces between cobalt thin film and silicon substrate. Along with surface resistance measurements and transmission electron diffraction observations. 1/f noise power spectral density has been measured for the interfacial structures at the liquid nitrogen temperature . The cobalt films have been deposited by the electron-beam evaporation technique onto p-type (100) silicon in the high vacuum condition. The measured noise power spectral density shows highest magnitude near the structural transition and metallization transition region. The noise magnitude rapidly decreased after the cobalt silicide nucleation. The noise parameter is concluded to be originated form the structural fluctuations.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.5-6
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• 2005

High performance SiGe heterostructure metal-oxide-semiconductor field effect transistors(MOSFETs) were fabricated using well-controlled delta-doping of boron and SiGe/Si heterostructure epitaxal layers grown by reduced pressure chemical vapor deposition. In this paper, we report 1/f noise characteristics of the SiGe MOSFETs measured under various bias conditions of the gate and drain voltages changing in linear operation regions. From the noise spectral density, we found that the gate and drain voltage dependence of the noise represented same features, as usually scaled with $f^1$. However, 1/f noise was found to be much lower in the device with boron delta-doped layer, by a factor of $10^{-1}\sim10^{-2}$ in comparion with the device fabricated without delta-doped layer. 1/f noise property of delta-doped device looks important because the device may replace bipolar transistors most commonly embedded in high-frequency oscillator circuits.

• 전기전자학회논문지
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• 제3권2호
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• pp.226-235
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• 1999

SPICE잡음모델식 및 그 모델변수들의 특성을 조사하기 위하여, BiCMOS공정으로 제조된 NMOS소자에서 1/f 잡음을 측정하여 기존에 발표된 1/f 잡음의 실험결과 및 모델들과 비교해 보았다. 일반적으로 알려진 드레인 잡음전류의 전력밀도 스펙트럼 $S_{Id}$의 게이트 바이어스 의존도 및 드레인 전압에 따른 그 특성이 본 연구의 n-MOSFET소자에서도 측정되었다. 등가게이트 전압잡음전력밀도 $S_{Vg}$의 바이어스 의존도도 채널의 길이가 비교적 길 때에는 이론 및 실험적으로 알려진 결과와 대체적으로 일치하나, 짧은 채널에서는 $S_{Id}$ 및 $S_{Vg}$에 관한 기존 모델들의 적용이 타당하지 않았다 그러므로 본 논문에서는 서로 상이한 잡음모델들을 비교해서 본 연구의 시료소자인 BiCMOS공정에 적용 가능한 1/f 잡음모델을 모색하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제16권7호
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• pp.615-627
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• 1991

In this paper the relative magnitudes of the 1/f noise constants were experimentally investigated in the plana type's resistors fabricated with the different type's semicondector materials, and a new measurement technique for the 1/f noise in the semiconductor plana type's resistors may be located at the semiconductor and silicon dioxde.

• 한국정보과학회논문지:정보통신
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• 제37권1호
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• pp.27-34
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• 2010

본 논문에서는 네트워크 트래픽의 수동적 측정치 분석을 통해 잘 알려진 장거리 상관관계가 광역 네트워크의 능동적 측정치에도 존재하는지 여부를 관련 분석법을 통하여 검정하고자 한다. 이를 위하여 PingER 프로젝트를 통하여 측정된 광역 네트워크 트래픽의 대표적인 능동적 측정치인 RTT(Round Trip Time)와 RTT의 변동성 시계열 데이터에 대하여 분석을 수행하였다. RTT 시계열 데이터는 장거리 상관관계 혹은 1/f 노이즈의 특성을 보였으며, RTT의 고차원 변화량으로 정의된 변동성은 로그정규분포를 따르며 변동성에 대한 장거리 상관관계는 고려하는 시간 간격이 짧은 경우 장거리 상관관계를 보이고, 시간 간격이 긴 경우에는 장거리 상관관계 혹은 1/f 노이즈를 따름을 밝혔다. 본 연구를 통해 볼 때 장거리 상관관계는 비단 패킷 도착의 시간 간격 등과 같은 수동적 측정뿐만 아니라 RTT와 같은 능동적 측정에서도 나타나는 특징이며, 특히 능동적 측정에는 수동적 측정에는 잘 나타나지 않는 1/f 노이즈 특성이 존재함을 밝혔다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제5권3호
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• pp.187-194
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• 2005

An analysis of the 1/f or flicker noise in FD n-channel Double Gate SOI MOSFET is proposed. In this paper, the variation of power spectral density (PSD) of the equivalent noise voltage and noise current with respect to frequency, channel length and gate-to-source voltage at various temperatures and exponent $C(i.e\;1/f^c$ is reported. The temperature is varied 125 K from to room temperature. The variation of PSD with respect to channel length down to $0.1{\mu}m$ technology is considered. It is analyzed that l/f noise in FD n-channel Double Gate SOI MOSFET is due to both carrierdensity fluctuations and mobility-fluctuations. But controversy still exits to its origin.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제4권3호
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• pp.137-142
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• 2004

In this paper, we present a new current-current negative feedback(CCNF) differential voltage-controlled oscillator (VCO) with 1/f induced low-frequency noise suppressed. By means of the CCNF, the 1/f induced low-frequency noise is removed from the proposed CCNF VCO. Also, high-frequency noise is stopped from being down-converted into phase noise by means of the increased output impedance through the CCNF and the feedback capacitor $C_f. The proposed CCNF VCO represents 11-dB reduction in phase noise at 10 kHz offset, compared with the conventional differential VCO. The phase noise of the proposed CCNF VCO is measured as - 87 dBc/Hz at 10 kHz offset frequency from 5.5-GHz carrier. The proposed CCNF VCO consumes 14.0 mA at 2.0 V supply voltage, and shows single-ended output power of - 12 dBm.

• 한국연소학회:학술대회논문집
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• 한국연소학회 2004년도 제28회 KOSCO SYMPOSIUM 논문집
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• pp.27-33
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• 2004

The Noise generation mechanisms of propane laminar premixed flames on a slot burner have been studied experimentally. The sound levels and frequencies were measured for various mixture flow rates (velocities) and equivalence ratios. The primary frequency of self-induced noise increases with the mean velocity of mixture as $f{\;}{\propto}{\;}U_f^{1.144}$ and the measured noise level increases with the mixture flow rate and equivalence ratio as $p{\;}{\propto}{\;}U_f^{1.7}$$F^{8.2}$. The nature of flame oscillation and the noise generation mechanisms are also investigated using a high speed CCD camera and a DSRL camera. The repetition of sudden extinction at the tip of flame is evident and the repetition rates are identical to the primary frequencies obtained from the FFT analysis of sound pressure signals. CH chemiluminescence intensities of the oscillating flames were also measured by PMT with a 431 nm(10 FWHM) band pass filter and compared to the pressure signals.