• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07a
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• pp.553-554
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화 된 등가 모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션 하였으며, 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/Off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07b
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• pp.1219-1220
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가 모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/Off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• 전기의세계
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• v.25 no.2
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• pp.72-74
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• 1976

유도전동기의 원선도의 작도 및 특성산정에 있어서 여자임피던스를 입력단자간에 이동하여 간이화한 등가L회로 그리고 1차와 2차의 누설리액턴스가 동일하다고 가정하여 여자임피던스를 1차와 2차의 임피던스의 중간에 접속한 등가T회로를 사용하고 있으며 후자에 의한 원선도작도법 및 특성산정법은 전자에 의한 것보다 정확하다고 인정되어 있다 그러나 1차와 2차의 누설리액턴스가 동일하다는 가정은 실제의 기계에서는 만족되지 않을 뿐 아니라 구속시험에 있어서 구속의 경우 생기는 동손이외의 손실 및 여자리액턴스이 영향을 고려하지 않고 회로정수를 결정하고 이것을 사용하여야 하므로 그 원선도작도법 및 특성산정법으로서는 상당한 오차가 생길 것이다. 본문에서는 이러한 것들을 고려하여 1차와 2차의 누설리액턴스를 분리하지 않는 등가T회로에 의하여 1차누설리액턴스를 사용하지 않고 작도할 수 있는 원선도 그리고 구속의 경우 생기는 동손이외의 손실 및 여자리액턴스의 영향을 고려하여 결정한 그 등가T회로정수를 사용하는 특성산정법을 소개하고자 한다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.10 no.2
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• pp.169-176
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• 2005

In this paper, a DC and small-signal AC modeling for the active-clamp, ful1-bridge boost converter is described. Based on the operation principle, the ac part of the converter can be replaced by a dc counterpart. Then, a conceptual equivalent circuit is derived by rearranging the switches. The equivalent circuit for this converter consists of CCM(Continuous conduction mode) boost and DCM(Discontinuous conduction mode) buck converter. The analyses for the equivalent CCM boost and DCM buck converter are done using the model of PWM switch. The theoretical modeling results are confirmed through experiment or SIMPLIS simulation.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07c
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• pp.1679-1680
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가 모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• Journal of the Institute of Convergence Signal Processing
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• v.4 no.1
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• pp.41-48
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• 2003

In this paper, a new equivalent circuit for a defected ground structure(DGS) is proposed and adapted to design of a power amplifier for performance improvement. The DGS equivalent circuit presented in this paper consists of parallel LC resonator and parallel capacitance to describe the fringing fields due to the etched defects on the metallic ground plane, and also is used to optimize the matching circuit of a power amplifier. A previous research has also used a DGS for harmonic rejection and efficiency improvement of a power amplifier(1), however, there was no exact equivalent circuit analysis. In this paper, we suggest a novel design method and show the performance improvement of a class AB power amplifier by using the equivalent circuit of a DGS applied to output matching circuit. The design method presented in this paper can provide very accurate design results to satisfy the optimum load condition and the desirable harmonic rejection, simultaneously. As a design example, we have designed a 20W power amplifier with and without circuit simulation of DGS, and compared the measurement results.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.4 no.4
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• pp.29-40
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• 1995

In this paper, the noise equivalent cicuits that is necessary to the formulation of D.C. and noise characteristics, residual component and input capacitance so as to analyze on the noise factors of the SIT is proposed. The simplest noise equivalent circuit is the model representing the mechanism of the SIT and the measured values in this model were found as small as the values of the shot-noise. In the source resistance inserted equivalent circuit is conformed that the shot-noise will be reduced by the negative-feedback effect of the source resistance. In oder to analyze the correct noise reduction factor, I proposed the equivalent circuit which the formulas of the source and drain resistance was induced. In the experiment which affirm the equivalent circuits, the influence of the signal source resistance and output load resistance on the residual component is small and the residual component can be expressed by the equivalent input noise resistance. Moreover, the input capacitance is 13.6 pF when the load resistance is $0{\Omega}$ and the capacitance which does not concern with the SIT operation directly, that is, gate wire etc, is 10pF or so.

• Journal of IKEEE
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• v.8 no.1 s.14
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• pp.136-144
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• 2004

From the AC analysis results utilizing a two dimensional device simulator, the ac equivalent-circuit modeling of the ESD protection devices is executed. It is explained that the ac equivalent circuit of the NMOS protection transistor is modeled by a rather complicated form and that, depending on the frequency range, the error can be large if it is modeled by a simple RC serial circuit. It is also shown that the ac equivalent circuit of the thyristor-type pnpn protection device can be modeled by a simple RC serial circuit. Based on the circuit simulations utilizing the extracted equivalent circuits, the effects of the parasitics in the protection device on the characteristics of LNA are examined when the LNA, which is one of the important RF circuits, is equipped with the protection device. It is explained that a large error can result in estimating the circuit characteristics if the NMOS protection transistor is modeled by a simple capacitor. It is also confirmed that the degradation of the LNA characteristics by incorporating the ESD protection device can be reduced a lot by adopting the suggested pnpn device.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.1952-1953
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• 2007

회로 구성 방법에 따라 등가 회로의 파형이 다르게 나타나는 경우가 있는데 본 논문에서 분석한 500kV 시스템에서 J.R. Marti가 제안한 주파수 의존 모델과 II-등가회로를 각각 이용했을 경우를 예로 들 수 있다. 본 논문에서는 각각의 파형을 비교 분석하고 500kV 시스템에서 스위치 개폐에 따른 전압, 전류 파형을 분석하므로서 JMarti line의 특성을 제시하였다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.16 no.1 s.92
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• pp.78-83
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• 2005

LTCC filters have been widely used to wireless terminals. They generally adopt the multilayer structure. Some of multilayer LTCC filters are made of symmetrical parallel-coupled lines and anti-symmetrical parallel-coupled lines to reduce the length of resonators. The equivalent circuit of parallel-coupled lines was analyzed and applied to bandpass filters using multilayer parallel-coupled line resonators. The three-pole bandpass filter with the center frequency of 2.45 GHz is designed by using the proposed equivalent circuit and the measured results have good agreement with the design results.