Analysis on the Noise Factors of Static Induction Photo-Transistor (SIPT) (1) - The SIPT's Equivalent Circuits for the Analysis on the Noise Factors -

정전유도(靜電誘導) 포토 트랜지스터의 잡음(雜音) 원인(原因) 분석(分析) (1) - 잡음(雜音) 원인(原因) 분석(分析)을 위한 SIPT 등가회로(等價回路) -

In this paper, the noise equivalent cicuits that is necessary to the formulation of D.C. and noise characteristics, residual component and input capacitance so as to analyze on the noise factors of the SIT is proposed. The simplest noise equivalent circuit is the model representing the mechanism of the SIT and the measured values in this model were found as small as the values of the shot-noise. In the source resistance inserted equivalent circuit is conformed that the shot-noise will be reduced by the negative-feedback effect of the source resistance. In oder to analyze the correct noise reduction factor, I proposed the equivalent circuit which the formulas of the source and drain resistance was induced. In the experiment which affirm the equivalent circuits, the influence of the signal source resistance and output load resistance on the residual component is small and the residual component can be expressed by the equivalent input noise resistance. Moreover, the input capacitance is 13.6 pF when the load resistance is $0{\Omega}$ and the capacitance which does not concern with the SIT operation directly, that is, gate wire etc, is 10pF or so.

본논문(本論文)에서는 정전유도(靜電誘導) 트랜지스터의 잡음원인분석(雜音原因分析)을 위하여 직류(直流) 및 잡음특성(雜音特性), 잔존성분(殘存成分), 입력용량등(入力容量等)의 정무화(定武化)에 필요(必要)한 잡음(雜音) 등가회로(等價回路)를 제안(提案)하였다. 가장 단순(單純)한 잡음(雜音) 등가회로(等價回路)는 정전유도(靜電誘導) 트랜지스터의 동작원리(動作原理)에 의한 모델이며, 이 모델에 의한 실측치(實測値)가 산탄(shot) 잡음(雜音)보다 작게 나타났다. 소스 저항(抵抗)이 삽입(揷入)된 등가회로(等價回路)에서는 소스 저항(抵抗)의 부귀환효과(負歸還效果)에 의하여 산탄 잡음(雜音)이 저감(低減)됨을 확인(確認)하였다. 정확(正確)한 잡음저감원인(雜音低減原因)을 분석(分析)하기 위하여 소스 저항(抵抗)과 드레인 저항(低抗)의 계산식(計算式)을 유도(誘導)하기 위한 등가회로(等價回路)를 제안(提案)하였다. 등가회로(等價回路) 확인(確認) 실험(實驗)에서는 잔존성분(殘存成分)에 대한 신호원저항(信號源抵抗)과 출력부하저항(出力負荷抵抗)의 영향(影響)은 작으며, 잔존성분(殘存成分)은 입력환산등가잡음저항(入力換算等價雜音抵抗)으로 나타낼 수 있다. 또한, 입력용량(入力容量)은 부하저항(負荷抵抗)이 $0{\Omega}$일 때 13.6pF이며, 게이트 배선등(配線等) 정전유도(靜電誘導) 트랜지스터 동작(動作)에 직접(直接) 관여(關與)하지 않는 용량(容量)은 10pF정도(程度)이다.