Growth Mechanism and Electrical Properties of ALD-$HfO_2$ thin films deposited with $Hf[N(CH_3)_2]_4$ precursor
($Hf[N(CH_3)_2]_4$ precursor를 이용한 $HfO_2$ 박막의 성장 기구와 전기적 성질에 관한 고찰)
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- Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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- 2002.11a
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- pp.103-103
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- 2002