• 한국진공학회지
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• 제22권4호
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• pp.175-180
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• 2013

본 연구에서는 반도체 소자 생산 공정 중 발생하는 오염입자에 의해 실시간 오염입자 측정장치인 In-Situ Particle Monitor(ISPM)의 광학창의 오염을 방지하기 위한 모듈 개발에 관한 연구이다. 개발한 광학창 오염방지 모듈은 실시간으로 측정하는 ISPM 내 광학창 표면에 오염입자가 흡착되는 것을 방지하기 위한 장치로 적합한 초음파 모듈 개발이 성공적 연구의 핵심내용이다. 또한 그 효과를 극대화하기 위한 구조적인 최적화도 필요하지만 초음파 힘의 표면 전달효율 향상 기술도 개발이 필요한 핵심 기술이다. 개발된 광학창 오염방지 모듈이 장착된 ISPM은 양산용 증착공정 장비(BPSG 증착장비) 배기구에 설치되었으며, 공정조건 별 오염방지 모듈의 성능과 더불어 ISPM 측정 효율도 함께 검증하였다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제34권11호
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• pp.1613-1622
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• 2010

본 연구는 고진공 환경중 초음파 리니어 스테이지의 나노미터 위치제어를 기술하고 있다. 고진공 환경 중 초정밀 위치 제어 시스템에 응용하기 위해 3 차 종진동 모드와 6 차 횡진동 모드를 가지는 BLT를 개발 했다. 안정적인 고출력을 위해 BLT 는 하나의 공진 주파수로 두 개의 모드 진동을 발생 시켜야 한다. 하나의 공진 주파수를 이용 하기 위해 어드미턴스를 변화시켜 각 모드의 공진 주파수를 일치시켜 조건이 다른 대기 환경에서 안정적인 고출력을 얻을 수 있었다. 기압 변화에 따라 구동 특성이 달라지는 시스템을 제어하기 위해 마찰력 변화에 따른 비선형 특성을 보상한 NCTF 제어를 사용했다. 설계된 제어기를 이용해 고진공 환경에서 시스템을 나노미터 정도로 제어하는 결과를 얻을 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제10권2호
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• pp.173-181
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• 2001

1,333 Pa 용량의 용량형진공계를 저진공 국가표준기인 초음파간섭 수은주압력계(ultrasonic interferometer manometer)를 이용하여 교정하였다. 이 결과의 불확도를 국제표준화기구의 권고안의 A형 불확도, B형 불확도, 합성표준불확도, 확장불확도 등으로 구분하여 평가하였다. 표준압력 1.76 Pa~1.31$\times$$10^3$Pa에서의 합성표준불확도는 $1.38 \times10^{-2}\; Pa\sim3.03 \times10^{-1} $Pa이었으며, 상대불확도(합성표준불확도/표준압력)는 $2.3 \times 10^{-4}\;Pa\sim7.9 X\times10^{-3} $Pa 이었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.571-571
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• 2012

We discovered the formation of C60 aggregates in solution by means of photoluminescence spectroscopic study on C60 in solutions. From the in-depth investigation of temperature dependence of the luminescence of C60 in toluene, benzene and CS2 solutions, we reported that the C60 aggregates are formed during cooling at the freezing temperature of these solvents. Furthermore, the C60 aggregates can be changed to stable structures by irradiating with UV pulse-laser (Nd:YAG laser, 355nm). As a consequence, we could obtain nano-scale photo-polymerized C60 clusters, which appear as round-shaped nano- scale particles in high resolution transmission electron-microscopy (HRTEM) images. However, the yield of the nano-scale C60 clusters obtained by this method is too small. So we designed and developed a system to obtain C60 cluster of macroscopic quantity by using ultrasonic nebulizer. In this system, C60 solution was vaporized to several micro-sized droplets in vacuum, resulting in the formation of C60 aggregates by evaporating solvent (toluene). The system was invented to produce nano-scale carbon clusters by the irradiation of UV light upon C60 aggregates in vacuum. We have characterized the products, C60 cluster, obtained from the system by using UV absorption spectra and HPLC spectra. Although the products have a possibility of inclusion various forms of C60 cluster, results support that the product formed from the system by using vaporizer method establishes a new method to obtain C60 cluster in macroscopic quantity. In the presentation, the details of the system and the results of characterization are reported.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제23권4호
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• pp.192-199
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• 2014

The electronic property of graphene was investigated by hydrazine treatment. Hydrazine ($N_2H_4$) highly increases electron concentrations and up-shifts Fermi level of graphene based on significant shift of Dirac point to the negative gate voltage. We have observed contact resistance and channel length dependent mobility of graphene in the back-gated device after hydrazine monohydrate treatment and continuously monitored electrical characteristics under Nitrogen or air exposure. The contact resistance increases with hydrazine-treated and subsequent Nitrogen-exposed devices and reduces down in successive Air-exposed device to the similar level of pristine one. The channel conductance curve as a function of gate voltage in hole conduction regime keeps analogous value and shape even after Nitrogen/Air exposure specially whereas, in electron conduction regime change rate of conductance along with the level of conductance with gate voltage are decreased. Hydrazine could be utilized as the highly effective donor without degradation of mobility but the stability issue to be solved for future application.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권10호
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• pp.828-834
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• 2001

Zinc oxide (ZnO) films deposited on indium (In) films were post-annealed in a rapid thermal anealing (RTA) system. The ZnO/In films were RTA-treated in air or a vacuum ambient. The crystallographic properties and surface morphologies of the films were studied before and after the RTA by X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscopy (SEM), respectively. The resistivity variation of the films with RTA temperature and time was measured by the 4-point probe method. Auger electron spectroscopy (AES) was carried out to figure out the redistribution of indium atoms in the ZnO films. The resistivity of the ZnO/In films decreased to 2$\times$10$\^$-3/ Ωcm by diffusion of the In. The In diffusion into the ZnO films roughened the surface of ZnO films. The results of depth profile by AES showed a hump of In atoms around ZnO/In interface after the RTA at 800 $\^{C}$. The effects of temperature time and ambient during the RTA on the structural and electrical properties of the ZnO/In films were discussed.

• 한국진공학회지
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• 제9권1호
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• pp.30-35
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• 2000

Indium-Tin Oxide (ITO) thin films were deposited on the commercial glass substrate by rf-magnetron sputtering. The ITO films with the thickness of 2,000~2,400 $\AA$ were prepared by changing the oxygen partial pressures of 2, 3, and 5%, as well as by changing the substrate temperature of $300^{\circ}C$ and $500^{\circ}C$. spectrophotometer, XRD, SEM, AFM, 4-point probe and Hall effect system were employed to characterize the ITO films. The optimum deposition conditions were the substrate temperature of $500^{\circ}C$ and oxygen partial pressure of 2-3%. At theses conditions, the ITO film showed the transmittance of 91%, the resistivity of $5.4\times10^{-3}\Omega$cm, the carrier concentration of $1.0\times10^{19}\textrm{cm}^{-3}$, and the carrier mobility of 150$\textrm{cm}^2$/Vsec. In XRD spectra, the (222) and (400) $In_2O_3$ planes were dominant under the optimum deposition conditions When the substrate was cleaned only by the method of ultrasonic cleaning without both pre-annealing and chemical treatment of the substrate, the ITO film exhibited the transmittance of 86%, the carrier concentration of $5.4\times10^{19}\textrm{cm}^{-3}$ and the mobility of 24$\textrm{cm}^2$/Vsec.

• 한국포장학회지
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• 제18권1_2호
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• pp.39-44
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• 2012

표면살균처리(초음파수, 염소수, 전해수) 후 PE 필름으로 진공포장 되어진 슬라이스 더덕의 저장 중 효과를 살펴보았다. 저장 초기에는 대조구에 비하여 표면살균처리된 신선편이 더덕은 총균수와 대장균군이 10배 이상 적게 측정되었다. 저장 20일 후 초음파수 처리구는 미생물뿐만 아니라 중량감모율, 부패율, 조직감과 표면색택이 대조구와 차이를 보이지 않을 정도로 품질이 저하되었다. Video microscope system을 이용하여 슬라이스더덕의 표면을 측정하였을 때 염소수와 전해수 처리구는 저장 10일까지는 초기와 큰 차이를 보이지 않았다. 그러나 저장 20일 후에는 슬라이스더덕 표면을 전해수 처리하여 PE필름으로 진공포장한 것이 조직감 뿐만 아니라 표면색의 갈변이 가장 적음에 따라, 저장 중 품질 유지에 가장 효과적인 것으로 나타났다.