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공기절연 전력설비를 위한 교류전로파괴전압-온도특성에 관한 연구 (A Study on the A.C.Breakdown Voltage-Temperature Characteristics for Air Insulated Power Installation)

  • 김상구;송현직;김영훈;이광식;이동인
    • 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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    • 제9권1호
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    • pp.47-53
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    • 1995
  • 본 연구는 공기절연 전력설비를 위한 교류전로파괴전압($\textrm{V}_{Brms}$)-온도 (T)특성을 연구할 목적으로 교류 고전압 인가시 온도변화(30[$^{\circ}C$]-[$180^{\circ}C$])에 따른 유동공기의 전로파괴특성을 기체방전이론과 유체역학 이론을 적용하여 연구하였다. 그리고 본 실험에서의 전극계는 내부직경이 5[cm]인 직원통간에 침대침전극을 배치하였다. 본 연구에서 얻은 중요한 결론은 다음과 같다. $\textrm{V}_{Brms}$)은 유속(U)이 증가함에 따라 상승하였다. $\textrm{V}_{Brms}$는 高溫에서 포화하였다. 高溫(T : [$180^{\circ}C$])에서는 低溫(T : 30[$^{\circ}C$])보다 $\textrm{V}_{Brms}$가 4.7[kV]가 낮게 나타났다. $\textrm{V}_{Brms}$$\textrm{V}_{Brms}=A\times{Log[Re]}+B}$의 식으로 나타낼 수 있었다. 여기서 A, B는 상수이다.

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Genetic Polymorphisms of Cytochrome P450 2C19 in Functional Dyspeptic Patients Treated with Cimetidine

  • Kim, Min-Hee;Kong, Eun-Hee
    • The Korean Journal of Physiology and Pharmacology
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    • 제16권5호
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    • pp.339-342
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    • 2012
  • Inter-individual pharmacokinetic variation of H2-receptor antagonist is related to genetic polymorphism of CYP2C19. We investigated the frequency of CYP2C19 genetic polymorphism and the treatment duration of cimetidine by CYP2C19 genotypes in functional dyspeptic patients without definite causes who were treated with cimetidine in Korea. One hundred subjects with functional dyspepsia participated in this study from March 1, 2010 to June 30, 2011. They were tested by upper gastrointestinal endoscopy and treated for their dyspepsia with cimetidine. The single nucleotide polymorphisms (SNPs) of CYP2C19 were genotyped using the Seeplex CYP2C19 ACE Genotyping system. There were no significant differences in the demographic, clinical, or laboratory findings among the CYP2C19 subgroups which are wild type homozygote (W/W), heterozygote (W/V), and variant homozygote (V/V). The frequencies of CYP2C19 subgroups were 33 (33%) in W/W, 49 (49%) in W/V, and 18 (18%) in V/V, respectively. The mean duration of cimetidine treatment (in weeks) was the shortest in the V/V among the CYP2C19 genotypes (W/W: $5.1{\pm}1.5$, W/V: $4.0{\pm}1.7$, V/V: $2.1{\pm}0.7$; p<0.001). This study can also act as a basis for further investigation to identify the underlying genetic, epigenetic, or environmental factors in CYP2C19 enzyme activity.

SIA-LVC: 데이터 중심 미들웨어 기반 확장성 있는 국방 L-V-C 훈련체계 연동 아키텍쳐 (SIA-LVC : Scalable Interworking Architecture for Military L-V-C Training Systems Based on Data Centric Middleware)

  • 김원태;박승민
    • 정보처리학회논문지:컴퓨터 및 통신 시스템
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    • 제5권11호
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    • pp.393-402
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    • 2016
  • 국방 L-V-C 시스템은 물리적 시간축에 따라 이벤트가 진행되는 Live 시스템, 컴퓨터 상에서 실제시간에 근접한 시간 사건에 의해 지배되는 Virtual 시스템 및 진행 시간에 관계없이 사건간 인과관계에만 의존적인 Constructive 시스템 등이 혼재된 분산형 복잡 시스템이다. 최근 이들 훈련 시스템들을 연동하여 최적의 훈련효과를 얻고자하는 LVC 연동 훈련체계에 대한 요구가 전세계적으로 증가하고 있다. 그러나, 기존에는 이론적이고 논리적인 접근 방식 혹은 부분적인 연동만이 제한적으로 제안되어 온 반면, 전 시스템적으로 LVC 훈련체계들을 연동시킬 수 있는 실제적인 기술은 국내외적으로 드문 상황이다. 이에 본 논문에서는 각 훈련시스템의 고유한 특성을 지원하는 분산시스템 연동 프로토콜들을 상위 개념에서 통합하고, 데이터와 이벤트에 대해 동일한 글로벌 시간과 상태를 유지하기 위한 데이터 중심 미들웨어 기반의 새로운 연동 아키텍쳐를 설계하고 구현한다. 또한, 구현된 연동 아키텍쳐를 기반으로 실제 L-V-C 시스템들을 모사한 시연 시스템들을 활용하여 그 성능을 검증하고 유효성을 증명한다.

고강도 인바계 합금의 열팽창 및 인장 특성에 미치는 바나듐과 탄소 원소 첨가 영향 (Effects of V and C additions on the Thermal Expansion and Tensile Properties of a High Strength Invar Base Alloy)

  • 윤애천;윤신천;하태권;송진화;이기안
    • 소성∙가공
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    • 제24권1호
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    • pp.44-51
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    • 2015
  • The current study seeks to examine the effects of V and C additions on the mechanical and low thermal expansion properties of a high strength invar base alloy. The base alloy (Fe-36%Ni-0.9%Co-2.75%Mo-0.7Cr-0.23Mn-0.17Si-0.3%C, wt.%) contains $Mo_2C$ carbides, which form as the main precipitate. In contrast, alloys with additions of 0.4%V+0.3%C (alloy A) or 0.4%V+0.45%C (alloy B) contain $Mo_2C$+[V, Mo]C carbides. The average thermal expansion coefficients of these high strength invar based alloys were measured in the range of $5.16{\sim}5.43{\mu}m/m{\cdot}^{\circ}C$ for temperatures of $15{\sim}230^{\circ}C$. Moreover, alloy B showed lower thermal expansion coefficient than the other alloys in this temperature range. For the mechanical properties, the [V, Mo]C improved hardness and strengths(Y.S. and T.S.) of the high strength invar base alloy. T.S.(tensile strength) and Y.S.(yield strength) of hot forged alloy B specimen were measured at 844.6MPa and 518.0MPa, respectively. The tensile fractography of alloy B exhibited a ductile transgranular fracture mode and voids were initiated between the [V, Mo]C particles and the matrix. Superior properties of high strength and low thermal expansion coefficient can be obtained by [V, Mo]C precipitation in alloy B with the addition of 0.4%V and 0.45%C.

2024A1/$SiC_p$복합재료의 기계적특성에 미치는 SiC클러스터의 영향 (Effects of SiC Cluster on Mechanical Properties of the 2024A1/$SiC_p$ Composites)

  • 김홍물;천병선
    • 한국분말재료학회지
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    • 제8권2호
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    • pp.124-130
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    • 2001
  • A centrifugally atomized 2024A1/SiC/sub p/ composites were extruded to study effect of clusters on mechanical properties, and a model was proposed that the strength of MMCs would be estimated from the load transfer model approach that taken into consideration of the clusters. This model has been successfully utilized to predict the strength and fracture toughness of MMCs. The experimental and calculated results show coincidence and that the fracture toughness decreases with increasing the volume fraction of particles. On the basis of experimental observations, we suggest that the strength and fracture toughness of particle reinforced MMCs may be calculated from; σ/sub y/=σ/sub m/V/sub m/+σ/sub r/(V/sub r/-V/sub c)-σ/sub r/V/sub c/, K/sub IQ/=σ/sub Y/((3πt)((r/sub r//V/sub r/)(r/sub c//V/sub c/))/sup 1/2/)/sup 1/2/, respectively.

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반절연성 GaAs에서 열자극 전류에 관한 연구 (A study on thermally stimulatede current in semi-insulating GaAs)

  • 배인호;김기홍;김인수;최현태;이철욱;이정열
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제7권5호
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    • pp.383-388
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    • 1994
  • Deep levels in semi-insulating GaAs were observed by thermally stimulated current(TSC) measurement In the temperature ranges of 100-300K Tl(E$\_$c/-0.18eV), T2(E$\_$c/-0.20eV), T3(E$\_$c/-0.31eV), T4(E$\_$c/-0.40eV), and T5(E$\_$c/-O.43eV) traps have been observed. The TI, T2, and T5 traps seem to be related to the V$\_$As/, V$\_$Ga/-complex, and As$\_$Ga/$\^$++/ respectively. T4 trap is considered with respect to V$\_$Ga/-V$\_$As/ complex.

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Metagonimus yokogawai 세르카리아의 감각유두에 관한 연구 (Study on Sensory Papillae of Metagonimus yokogawai Cercaria)

  • 김재진;민득영소진탁
    • Parasites, Hosts and Diseases
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    • 제22권1호
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    • pp.11-20
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    • 1984
  • A number of studies on the papillae of cercariae of trematodes reported that the papillar patterns (or chaetotaxy) of cercariae might be an excellent method to attain better understanding of the digenetic trematodes (Richard, 1971 ; Short and Cartrett, 1973; Bayssade-Dufour, 1979) . The present study was aimed to determine the number, distribution pattern and structure of the sensory papillae of Metagonimus yokogawai cercariae, and to elucidate the chaetotaxy of this digenetic trematode. M. yokogawai cercariae were pipetted from a vial in which infected snails (Semisulcospira libertina) had been kept for 3 hours. The snails were collected from an endemic area of M. yokogawai, Boseong river in west-southern part of Korea. Observations of papillae were based on light microscopy of those stained with silver nitrate, and on scanning electron microscopy The results are summarized as follows: 1, All papillae observed were uniciliated. 2. Cilia in anterior tip were shorter than the others in other portions. 3. The body papillae were arranged in essentially symmetrical patterns, Total number of the papillae was 126(63 pairs) in average; anterior tip 40(20 pairs), ventral 20(10 pairs), lateral 42(21 pairs), and caudal 8(4 pairs). 4. The chaetotany of M. yokogawai cercaria was: Ci cycle ($3+3C_{I}V,{\;}2+2C_{I}L,{\;}2+3C_{I}D),{\;}C_{II}{\;}cycle(2C_{II}V,{\;}1C_{II}L,{\;}2C_{II}D),{\;}C_{lll}{\;}cycle{\;}(1+lC_{III}V,{\;}1C_{IlI}L),{\;}C_{IV}{\;}cycle{\;}(1C_{IV}V,{\;}IC_{lV}L){\;}in{\;}cephalic{\;}region:{\;}A_I(1A_{IV}V,{\;}1+2A_{I}L,{\;}1A_{I}D),{\;}A_{II}(1A_{II}V,{\;}1+3A_{II}L,{\;}1A_{II}D),{\;}A_{III}(1A_{III}V,{\;}1+1A_{III}L,{\;}1A_{III}D){\;}and{\;}A_{IV}(1A_{IV}V,{\;}2A_{IV}L)$ in antacetabular region: $1M_{I}V{\;}and{\;}2M_{I}L$ in median: $1+1P_{I}L,{\;}1P_{II}L,{\;}1P_{II}D,{\;}1P_{III}L,{\;}1P_{IV}L{\;}and{\;}1P_{IV}D$ in postacetabular region: 2-2-2-2 in caudal region.

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반투명 전극으로 된 다공질 실리콘 알코올 가스 센서의 C-V 특성 (C-V Characteristics of Porous Silicon Alcohol Sensors with the Semi-transparent Electrode)

  • 김성진;이상훈
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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    • pp.1085-1088
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    • 2003
  • In this work, we fabricated a gas-sensing device based on porous silicon(PS), and its I-V and C-V properties were investigated for sensing alcohol vapor. The structure of the sensor consists of thin Au/Oxidized porous silicon/porous silicon/Silicon/Al, where the silicon substrate is etched anisotropically to be prepared into a membrane shape. As the result, I-V curves showed typical tunneling property, and C-V curves were shaped like those of a MIS (metal-insulator- semiconductor) capacitor, where the capacitance in accumulation was increased with alcohol vapor concentration.

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Schottdy Barrier Height의 온도의존성에 관한 연구 (Study on the Temperature Dependence of Schottky Barrier Height)

  • 심성엽;이동건;김동렬;김인수;김말문;배인호;한병국;이상윤
    • 한국재료학회지
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    • 제5권8호
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    • pp.1020-1025
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    • 1995
  • Au/Si(100) Schotty diode를 l00k~300k 온도범위에서 current voltage(I-V), capacitance-voltage(C-V)측정을 하였다. 얻어진 Schottky barrier height(SBH)갑은 실온에서 두측정값 모두 (0.79$\pm$0.02)eV 이다. 그러나 온도가 감소할수록 I-V측정에서 SBH는 선형적으로 감소하고 C-V측정에서 SBH는 온도에 따른 변화가 관찰되지 않았다. 이것은 낮은 온도에서 열이온 방출 이론을 따르지 않는다는 것을 나타낸다. 이것으로 재결합 전류를 고려하여 계산해 본 결과 I-V에서도 SBH의 변화가 관찰되지 않으므로 C-V측정과 일치됨을 보았다. 이런 상반된 결과를 가져오는 이유는 전류수송현상이 온도에 따라 변화하므로 생긴 것임을 알 수 있었다.

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Modified Materka Model를 이용한 4H-SiC MESFET 대신호 모델링 (4H-SiC MESFET Large Signal Modeling using Modified Materka Model)

  • 이수웅;송남진;범진욱
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제12권6호
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    • pp.890-898
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    • 2001
  • Modified Materka-Kacprzak 대신호 MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor) model을 사용하여 4H-SiC MESFET의 대신호 모델링을 수행하였다. Silvaco사의 소자 시뮬레이터인 ATLAS를 사용하여 4H-SiC MESFET 소자 시뮬레이션을 수행하고, 이 결과를 modified Materka 대신호 모델을 사용하여 모델링 하였다. 시뮬레이션 및 모델링 결과는 -8 V의 pinch off 전압과 $V_{GS}$ =0 V, $V_{DS}$ =25 V에서 $I_{DSS}$270 mA/mm, $G_{m}$ =52.8 ms/mm를 얻을 수 있었고, 전력 특성 시뮬레이션을 통해 2GHz, $V_{GS}$ =-4V, $V_{DS}$ =25 V에서 10dB의 Gain과 34dBm(1 dB compression point)의 출력전력, 7.6W/mm의 전력밀도, 37%의 PAE(power added efficiency)를 얻을 수 있었다.다.

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