Chemical mechanical polishing (CMP) process was required for the global planarization of inter-metal dielectric(IMD), inter-level dielectric (ILD) layers of multi-layer interconnections. In this paper, we studied the characteristics of polishing pad, which can apply shallow trench isolation (STI)-CMP process for global planarization of multi-level interconnection structure. Also, we investigated the effects of different sets of polishing pad, such as soft and hard pad. As an experimental result, hard pad showed center-fast type, and soft pad showed edge-fast type. Totally, the defect level has shown little difference, however, the counts of scratch was detected less than 2 on JR111 pad. Through the above results, we can select optimum polishing pad, so we can expect the improvements of throughput and device yield.
본 논문에서는 반도체 응용부문 중 그 활용도가 높은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)의 새로운 구조를 제안하였다. 제안한 소자를 가지고 전자회로의 구성할 때 인접 디바이스들과 연계되어 발생되는 래치 업(latch-up)을 근본적으로 제거하고, 개별소자의 완전한 절연을 실현하였으며 누설전류 또한 제거된다. 이는 SOI기판 위에 벌크실리콘 공정을 이용하여 구현된다. 즉, 소자 양옆의 트랜치 웰(Trench-well)과 SOI 기판의 절연층으로 소자의 독립성을 지켜준다. 또한 게이트 절연층을 트랜치 구조로 기존 MOS구조의 채널 부분에 위치시키고 드레인과 소스를 위치시켜 자연적으로 자기정렬이 되어진다. 이와 같은 과정으로 게이트-소스, 게이트-드레인 기생 커패시터의 효과를 현저히 줄일 수 있다.
Chemical mechanical polishing (CMP) allows the planarization of wafers with two or more materials. There are many elements such as slurry, polishing pad, process parameters and conditioning in CMP process. Especially, polishing pad is considered as one of the most important consumables because this affects its performances such as WIWNU(within wafer non-uniformity) and MRR(material removal rate). In polishing pad, grooves and pores on its surface affect distribution of slurry, flow and profile of MRR on wafer. A subject of this investigation is to apply CMP for planarization of shallow trench isolation structure using microstructure(MS) pad. MS pad is designed to have uniform structure on its surface and manufactured by micro-molding technology. And then STI CMP performances such as pattern selectivity, erosion and comer rounding are evaluated.
Chemical mechanical polishing (CMP) allows the planarization of wafers with two or more materials at their surfaces. Especially, polishing pad is considered as one of the most important consumables because of its properties. Subject of this investigation is to apply CMP for planarization of shallow trench isolation structure using microstructure pad. Microstructure pad is designed to have uniform structure on its surface and fabricated by micro-molding technology. And then STI CMP performances such as oxide dishing and nitride corner rounding are evaluated.
The spatial patterns of meiobenthic communities in deep-sea sediment were examined. Sediment samples for analyzing of meiobenthic community structure were collected using a remote operated vehicle (ROV), multiple corer TV grab at 20 stations at five sites. In all, 15 meiofauna groups were recorded. Nematodes were the most abundant taxon. Benthic foraminiferans, harpacticoid copepods, polychaetes, and crustacean naupii were also dominant groups at all sites. The total meiofauna density at the study sites varied from 49 to 419 ind./$10cm^2$. The maximum density was recorded at a site located in Challenger Deep in the Mariana trench where simple benthic foraminifera with organic walls flourish. These distinctive taxa seem to be characteristic of the deepest ocean depths. Active hydrothermal sediments contain up to 150 harpacticoid copepods per $10cm^2$ of sediment. In a inactive ridge sediments, devoid of macrofaunal organisms:, the abundance of harpacticoid copepods never exceeded 15 ind./$10cm^2$. Multivariate analysis (multidimensional scaling) revealed significant differences in community structure among the three regions; near an active hydrothermal vent, in the deepest ocean depths and at typical deep-sea bed sites.
$SnO_2$ nanowires are used at the nanoscale level for the electrical transduction of the gas interaction with these sensing materials. We report on a study of high sensitivity and fast NOx gas sensor. We focused on improving the response time and refresh time by growth nanowires on the trench structure of Si substrate as air path. To improve refresh time we applied the trench structure with depth of $10\;{\mu}m$ by the inductively coupled plasma reactive ion etching(ICP-RIE). The fabricated device was measured at temperature of $200{\sim}300^{\circ}C$. The sensor exhibit ultra-fast and reversible electrical response (t90% ~4 s for response and ~3 s for recovery).
This paper presents metal structure that is fabricated using UV-LIGA process with PMER N-CA3000. In order to fabricate metal structure with high aspect ratio, the systematic optimization method was adopted and then the structure of $36{\mu}m$ thick mold with aspect ratio 7:1 (trench) and $32{\mu}m$ thick nickel structure was obtained. This structure is applied to the fabrication of optical switch.
The feasibility of InSbTe (IST) chalcogenide materials prepared by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) for phase-change memory (PRAM) applications was demonstrated. Films grown below $225^{\circ}C$ exhibited an amorphous structure, and the films grown at $300^{\circ}C$ Cincluded various crystalline phases such as In-Sb-Te, In-Sb, In-Te, and Sb-Te. The composition of the amorphous films grown at $225^{\circ}C$ was dependent on the working pressure. Films grown at $225^{\circ}C$ exhibited a smooth morphology with a root mean square(rms) roughness of less than 1nm, and the step-coverage of the films grown on a trench structure with an aspect ratio of 5:1 was greater than 90%. An increase in deposition time increased the filling rate, while retaining the conformal step-coverage. Films grown at $225^{\circ}C$ for 3h in a working pressure of $13{\times}10^2$ Pa exhibited a reproducible and complete filling in a trench structure.
본 논문에서는 다채널 가변광감쇠기에서 발생하는 열간섭 효과를 차단하여 광효율을 높이기 위하여 펨토초 레이저를 이용하여 트렌치를 가공하였다. 채널간 열간섭으로 인한 광감쇠 제어효율 하락을 막기 위하여, 가변광감쇠기 채널 사이에 펨토초 레이저로 트렌치의 폭과 깊이를 다르게 하여 가공하였고, 적용된 각 칩을 모듈화하여 전류에 따른 광감쇠율 변화를 관찰하였다. 그 결과 광감쇠를 위해 가해진 열이 주변채널에 영향을 매우 작게 미치는 것을 확인하였고, 뿐만 아니라 작은 전류에 광감쇠율이 민감하게 변화하는 것을 확인할 수 있어 효율적인 소자로서 개발 가능함을 확인하였다.
역사지진과 계기지진 기록에 따르면 한반도 남동부는 우리나라에서 지진활성도가 가장 높게 평가되는 곳으로, 최근에 양산단층대와 울산단층대를 따라 제4기 단층이 다수 보고되어 고지진학적 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 특히 울산단층대의 중부지역에 해당하는 경북 경주시 외동읍 말방리 일원은 울산단층대 내에서 가장 많은 활성단층이 보고된 지역이다. 따라서 이 지역에 대한 고지진학적 특성을 이해하기 위하여 먼저 LiDAR 영상 및 항공사진을 이용한 지형 및 선형구조 분석을 실시하여 단층에 의한 기복으로 추정되는 지형인자를 확인하고, 야외답사와 물리탐사를 통해 단층을 추적하여 기 보고된 말방단층 지점에서 약 300 m 북서쪽에 위치한 곳에서 길이 20 m, 너비 5 m, 깊이 5 m의 굴착조사를 실시하였다. 굴착단면을 통해 분석된 제4기 퇴적층의 특징을 바탕으로 단층의 기하학적·운동학적 특성을 해석하여 고지진학적 특성을 규명하고자 하였다. 이번 굴착단면에서 확인된 역단층의 기하를 보이는 단층의 자세는 N26°W/33°NE로 울산단층대를 따라 분포하는 기 보고된 단층들과 유사하다. 약 40 cm의 단일 겉보기 변위가 인지되었으나 단층조선의 부재로 실변위는 산출할 수 없었다. 선행연구에서 제안된 극저온구조층의 연대결과 값을 토대로 단층의 최후기 운동시기는 후기 뷔름빙기 이전으로 추정하였다. 기 보고된 연구결과와 본 굴착단면에서 획득한 단층기하를 종합하여 이 지역에 발달하는 단층계를 인편상구조로 해석하였고, 단층특성을 반영한 모델을 제시하였다. 말방리 일원에서 수 회의 굴착조사를 비롯한 다수의 선행연구가 수행되었음에도 불구하고 구체적인 단층변수에 대한 정보가 미진하고 각 지점들 간의 상관성이 명확하게 규명되지 않은 것은 역단층의 복잡한 운동학적 특성에 기인한 것으로 판단된다. 추후 고지진학적 연구가 추가적으로 수행된다면 상기의 문제점들을 해결하여 종합적인 단층의 형태와 운동사가 규명될 수 있을 것으로 판단된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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