• KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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• 제12권5호
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• pp.2177-2193
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• 2018

This paper studies resource allocation schemes for the relay-aided cooperative system consisting of multiple source-destination pairs and decode-forward (DF) relays. Specially, relaying selection, multisubcarrier pairing and assignment, and power allocation are investigated jointly. We consider a combinatorial optimization problem on quality of experience (QoE) and energy consumption based on relay-aided cooperative system. For providing better QoE and lower energy consumption we formulate a multi-objective optimization problem to maximize the total mean opinion score (MOS) value and minimize the total power consumption. To this end, we employ the nondominated sorting genetic algorithm version II (NSGA-II) and obtain sets of Pareto optimal solutions. Specially, two formulas are devised for the optimal solutions of the multi-objective optimization problems with and without a service priority constraint. Moreover, simulation results show that the proposed schemes are superior to the existing ones.

• 소프트웨어공학소사이어티 논문지
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• 제24권3호
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• pp.111-115
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• 2011

스마트 그리드 시대가 도래됨에 따라서, 세계적으로 탄소량을 줄이는 그린 에너지와 기존의 전력망에 IT기술을 결합한 친환경 지능형 전력망에 대한 관심이 높아지고 있다. 지능형 전력망을 효율적으로 사용하기 위해서는 EMS, MOS, WIS와 같은 이기종 시스템들이 서로 연계되어야 한다. 그러나 IEC에서는 EMS에 대한 인터페이스만 정의하고 있어 MOS, WIS와 같은 이기종 시스템과 연계를 위해서는 별도의 인터페이스 개발이 필요하다. 특히, 별도의 인터페이스는 각 시스템에 의존적으로 개발될 수 있기 때문에 기존 시스템과 새로운 시스템을 연계하기 위해서 추가 소프트웨어의 설계 및 개발이 필요할 수 있다. 본 논문에서는 이기종 시스템간의 상호 연계를 위한 CIM 기반 통합 인터페이스를 제안한다. 제안된 인터페이스는 이기종 시스템마다 존재하는 메시지를 하나로 통합할 수 있으며 새로운 시스템의 추가 및 기존 시스템의 삭제에서 발생하는 비용을 줄 일 수 있다.

• 동굴
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• 제4호
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• pp.51-58
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• 1996

Caves abd the life they contain face constant pressure from a worldw demand for cement. hydro-electric power and land for building a agriculture. The 8th International Congress of Speleology held in Kentu two years ago passed a resolution on behalf of the IUCN "Cave Speci Group" which called for "...biological surveys of threatened caves. mos in the tropics, and ecological studies to solve specific managem provlems on the causes of endangerment and how these can be remov or mitigated". This final article in the "Cave Life" series explains the n for an ecological approach to cavelife conservation.

• 산업기술연구
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• 제27권B호
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• pp.15-20
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• 2007

This paper presents the new design method for the gate driver circuit of the floating MOSFET by using the pulse transformer. Each parameters of the proposed circuit are delivered by the numerical calculation method. By considering inner characteristics of MOSFET, the gate driver makes to increase the efficiency of the power conversion and decrease operating heat. Computer simulations and to experimental results for a Buck Converter are presented in order to validate the proposed method.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.359-359
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• 2010

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 란 MOS(Metal Oxide Silicon) 와 Bipolar 기술의 결정체로 낮은 순방향 손실(Low Saturation)과 빠른 Speed를 특징으로 기존의 Thyristor, BJT, MOSFET 등으로 실현 불가능한 분양의 응용처를 대상으로 적용이 확대 되고 있고, 300V 이상의 High Power Application 영역에서 널리 사용되고 있는 고효율, 고속의 전력 시스템에 있어서 필수적으로 이용되는 Power Device이다. IGBT는 출력 특성 면에서 Bipolar Transistor 이상의 전류 능력을 가지고 있고 입력 특성 면에서 MOSFET과 같이 Gate 구동 특성을 갖기 때문에 High Switching, High Power에 적용이 가능한 소자이다. 반면에, Conventional IGBT는 MOSFET과 달리 IGBT 내부에 Anti-Parallel Diode가 없기 때문에 Inductive Load Application 적용시에는 별도의 Free Wheeling Diode가 필요하다. 그래서, 본 논문에서 별도의 Anti-Parallel Diode의 추가 없이도 Inductive Load Application에 적용 가능한 RC IGBT를 적용하여 600V/15A급 Three Phase Inverter Module을 제안 하고자 한다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 ITC-CSCC -2
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• pp.1119-1122
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• 2000

This paper describes on RF circuit simulation technique, especially on a RF modeling and a model extraction of a LDMOS(Lateral Diffused MOS) that has gate-width (Wg) dependence. Small-signal model parameters of the LDMOSs with various gate-widths extracted from S-parameter data are applied to make the relation between the RF performances and gate-width. It is proved that a source inductance (Ls) was not applicable to scaling rules. These extracted small-signal model parameters are also utilized to remove extrinsic elements in an extraction of a large-signal model (using HP Root MOSFET Model). Therefore, we can omit an additional measurement to extract extrinsic elements. When the large-signal model with Ls having the above gate-width dependence is applied to a high-power LDMOS module, the simulated performances (Output power, etc.) are in a good agreement with experimental results. It is proved that our extracted model and RF circuit simulation have a good accuracy.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제46권12호
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• pp.6-13
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• 2009

X-대역의 위상 배열 시스템에 응용 가능한 전력 증폭기, 6-bit 위상 변위기, 6-bit 디지털 감쇠기 및 SPDT 송수신 스위치를 각각 설계 및 측정하였다. 모든 회로는 CMOS 0.18 um 공정을 사용하여 구현되었다. 전력 증폭기는 2-단 차동 및 cascode 구조를 가지며, 20 dBm 의 P1dB, 19%의 PAE 의 성능을 8-11 GHz 주파수 대역에서 보였다. 6-bit 위상 변위기는 Embedded switched filter 구조를 가지며, 스위치용 nMOS 트랜지스터 및 마이크로스트립 선로로 인덕턴스를 구현하였다. $360^{\circ}$ 위상 제어가 가능하며 위상 해상도는 $5.6^{\circ}$ 이다. 8-11 GHz 주파수 대역에서 RMS phase 및 amplitude 오차는 $5^{\circ}$ 및 0.8 dB 이하이며, 삽입손실은 약 $-15.7\;{\pm}\;1,1\;dB$ 이다. 6-bit 디지털 감쇠기는 저항 네트워크와 스위치가 결합된 Embedded switched Pi-및 T-구조이며, 위상 배열 시스템에서 요구하는 낮은 통과 위상 변동 특성을 가지는 구조가 적용되었다. 최대 감쇠는 31.5 dB 이며 진폭 해상도는 0.5 dB 이다. 8-11 GHz 주파수 대역에서 RMS amplitude 및 phase 오차는 0.4 dB 및 $2^{\circ}$ 이하이며, 삽입손실은 약 $-10.5\;{\pm}\;0.8\;dB$ 이다. SPDT 송수신 스위치는 series 및 shunt nMOS 트랜지스터의 쌍으로 구성되었으며 회로의 면적을 최소화하기 위해 1개의 수동 인덕터만으로 SPDT 기능을 구현하였다. 삽입손실은 약 -1.5 dB, 반사손실은 -15 dB 이하이며, 송수신 격리 특성은 -30 dB 이하이다. 각각의 칩 면적은 $1.28\;mm^2$, $1.9mm^2$, $0.34\;mm^2$, $0.02mm^2$ 이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제28권10호
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• pp.832-835
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• 2017

본 논문은 고속 무선 데이터 통신을 위한 V-band 차동 저잡음 증폭기를 65-nm CMOS 공정을 이용하여 설계한 결과를 제시한다. 설계한 저잡음 증폭기는 3단 공통소스 구조이며, MOS 커패시터를 이용한 커패시턴스 중화 기법을 적용하였고, 트랜스포머를 이용하여 각 단의 임피던스 정합을 구현하였다. 제작한 저잡음 증폭기는 63 GHz에서 최대 이득 23 dB을 보이며, 3 dB 대역폭은 6 GHz이다. 제작한 칩의 크기는 패드를 포함하여 $0.3mm^2$이며, 1.2 V 공급 전원에서 32 mW의 전력을 소비한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권10호
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• pp.17-22
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• 2007

이 논문에서는 PHS용 new automatic tuning 방법을 가지는 baseband complex bandpass filter를 제안하였다. DC offset 문제를 해결하기 위한 Low_IF 구조로 CMOS로만 집적된 PHS용 수신기를 설계하였다. ACS 특성을 만족시키기 위해 3차 Chebyshev complex filter를 이용하여 baseband를 선택할 수 있는 filter를 설계하였다. 새롭게 제시한 Comer frequency tuning 방법은 공정의 변화에 보상을 해주는 방식이고, MOS 스위치에 의한 노이즈 레벨을 감소시킨다. 이 filter는 CMOS 0.35um 공정이며, 전력소모는 12mW였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.15-18
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• 2003

Ta-Ti metal alloy is proposed for alternate gate electrode of ULSI MOS device. Ta-Ti alloy was deposited directly on $SiO_2$ by a co-sputtering method and good interface property was obtained. The sputtering power of each metal target was 100W. Thermal and chemical stability of the electrode was studied by annealing at $500^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$ in Ar ambient. X-ray diffraction was measured to study interface reaction and EDX(energy dispersive X-ray) measurement was performed to investigate composition of Ta and Ti element. Electrical properties were evaluated on MOS capacitor, which indicated that the work function of Ta-Ti metal alloy was ${\sim}4.1eV$ compatible with NMOS devices. The measured sheet resistance of alloy was lower than that of poly silicon.