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eRF1aMC and $Mg^{2+}$ Dependent Structure Switch of GTP Binding to eRF3 in Euplotes octocarinatus

  • Song, Li;Jia, Yu-Xin;Zhu, Wen-Si;Chai, Bao-Feng;Liang, Ai-Hua
    • Journal of Microbiology and Biotechnology
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    • 제22권2호
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    • pp.176-183
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    • 2012
  • Eukaryotic translation termination is governed by eRF1 and eRF3. eRF1 recognizes the stop codons and then hydrolyzes peptidyl-tRNA. eRF3, which facilitates the termination process, belongs to the GTPase superfamily. In this study, the effect of the MC domain of eRF1a (eRF1aMC) on the GTPase activity of eRF3 was analyzed using fluorescence spectra and high-performance liquid chromatography. The results indicated eRF1aMC promotes the GTPase activity of eRF3, which is similar to the role of eRF1a. Furthermore, the increased affinity of eRF3 for GTP induced by eRF1aMC was dependent on the concentration of $Mg^{2+}$. Changes in the secondary structure of eRF3C after binding GTP/GDP were detected by CD spectroscopy. The results revealed changes of conformation during formation of the eRF3C GTP complex that were detected in the presence of eRF1a or eRF1aMC. The conformations of the eRF3C eRF1a GTP and eRF3C eRF1aMC GTP complexes were further altered upon the addition of $Mg^{2+}$. By contrast, there was no change in the conformation of GTP bound to free eRF3C or the eRF3C eRF1aN complex. These results suggest that alterations in the conformation of GTP bound to eRF3 is dependent on eRF1a and $Mg^{2+}$, whereas the MC domain of eRF1a is responsible for the change in the conformation of GTP bound to eRF3 in Euplotes octocarinatus.

GTPase Activity Analysis of eRF3 in Euplotes octocarinatus

  • Song, Li;Dong, Jun-Li;Zhao, Ya-Qin;Chai, Bao-Feng;Liang, Ai-Hua
    • Journal of Microbiology and Biotechnology
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    • 제20권9호
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    • pp.1283-1287
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    • 2010
  • In eukaryotes, eRF3 participates in translation termination and belongs to the superfamily of GTPases. In this work, the dissociation constants for nucleosides bound to Euplotes octocarinatus eRF3 in the presence and absence of eRF1a were determined using fluorescence spectra methods. Furthermore, a GTP hydrolyzing assay of eRF3 was carried out using an HPLC method, and the kinetic parameters for GTP hydrolysis by eRF3 were determined. Consistent with data from humans, the results showed that eRF1a promoted the binding of GTP to eRF3 and the GTP hydrolyzing activity of eRF3. However, in contrast to the lack of GTP binding in the absence of eRF1 in human eRF3, the E. octocarinatus eRF3 was able to bind GTP by itself. The nucleotide binding affinity of the E. octocarinatus eRF3 also differed from the human data. A structure model and amino acid sequence alignment of potential G domains indicated that these differences may be due to valine 317 and glutamate 452 displacing the conserved glycine and lysine involved in GTP binding.

RF 스퍼터링으로 증착된 a-Si$_{1-x}$C$_{x}$: H 박막의 결합구조와 광학적 성질에 미치는 증착변수의 영향 (Effects of Deposition Parameters on the Bonding Structure and Optical Properties of rf Sputtered a-Si$_{1-x}$C$_{x}$: H films)

  • 한승전;권혁상;이혁모
    • 한국표면공학회지
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    • 제25권5호
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    • pp.271-281
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    • 1992
  • Amorphous hydrogenated silicon carbide(a-Si1-xCx : H) films have been prepared by the rf sputtering using a silicon target in a gas mixture of Argon and methane with varying methane gas flow rate(fCH) in the range of 1.5 to 3.5 sccm at constant Argon flow rate of 30sccm and rf power in the range of 3 to 6 W/$\textrm{cm}^2$. The effects of methane flow rate and rf power on the structure and optical properties of a-Si1-xCx : H films have been analysed by measuring both the IR absorption spectrum and the UV transmittance for the films. With increasing the methane flow rate, the optical band gap(Eg) of a-Si1-xCx : H films increases gradually from 1.6eV to the maximum value of 2.42eV at rf power of 4 W/$\textrm{cm}^2$, which is due to an increases in C/Si ratio in the films by an significant increase in the number of C-Hn bonds. As the rf power increases, the number of Si-C and Si-Hn bonds increases rapidly with simultaneous reduction in the number of C-Hn bonds, which is associated with an increase in both degree of methane decomposition and sputtering of silicon. The effects of rf power on the Eg of films are considerably influenced by the methane flow rate. At low methane flow rate, the Eg of films decreased from 2.3eV to 1.8eV with the rf power. On the other hand, at high methane flow rate, that of films increased slowly to 2.4eV.

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소프트웨어 기반의 GPS L1 및 갈릴레오 E1/E5a 신호 처리 구현 및 성능에 관한 연구 (A Study on the Implementation and Performance Analysis of Software Based GPS L1 and Galileo E1/E5a Signal Processing)

  • 신천식;이상욱;윤동원;김재훈
    • 한국항행학회논문지
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    • 제13권3호
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    • pp.319-326
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    • 2009
  • 본 논문에서는 위성항법신호감시국용 GPS/갈릴레오 복합 수신기에서의 소프트웨어 기반의 GPS L1 및 갈릴레오 E1/E5a 신호처리 결과를 기술한다. 성능 검증을 위해 GNSS RF 신호 시뮬레이터 또는 GPS 위성의 실제 신호를 사용하였고, 세부적으로는 광대역 안테나, 112MHz 샘플링 주파수 및 8비트 양자화 레벨을 제공하는 RF/IF 유니트를 이용하여 갈릴레오 시험위성인 지오베-A(GIOVE-A) E1 신호처리를 통해, 갈릴레오 신호처리를 검증하고, FPGA 기반의 신호처리 보드상에서의 시험결과를 제시한다.

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갈릴레오 GIOVE-A E1 신호 분석 및 RF 프론트엔드 대역폭 영향 분석 (Analysis of Galileo GIOVE-A E1 Signal and RF Front-End Bandwidth Effects)

  • 이병현;임성혁;지규인;고선준
    • 한국항공우주학회지
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    • 제36권8호
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    • pp.767-773
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    • 2008
  • 갈릴레오는 유럽에서 개발하고 있는 민간 주도의 새로운 위성항법시스템이다. 갈릴레오 시스템의 성능을 테스트하기 위한 테스트 위성인 GIOVE-A 위성이 현재 지구 상 궤도에서 항법신호를 송출하고 있다. 갈릴레오 시스템의 성능을 평가하고 향후 갈릴레오 수신기를 개발하기 위해서는 GIOVE-A 위성 신호를 분석할 필요가 있다. 본 논문에서는 GIOVE-A 위성신호를 수신 한 후 이를 GIOVE-A 신호 규격문서에 정의된 정보를 이용하여 신호 처리하였다. 신호 획득, 추적 및 항법 메시지 디코딩의 과정을 수행하여 현재 GIOVE-A 위성의 항법정보 제공 상황을 파악하였다. BOC 신호 사용에 따른 항법신호 대역폭의 증가가 갈릴레오 신호가 GPS와 다른 점 중의 하나이며 RF 프론트엔드의 대역폭에 따른 항법 신호 수신 성능을 평가하여 현재 사용되고 있는 GPS L1 RF 프론트엔드를 사용할 수 있는지를 검토하였다.

RF Magnetron Co-sputtering법으로 형성된 GZO & IGZO 박막의 불순물 농도에 따른 광학적 전기적 특성 연구

  • 황창수;박인철;김홍배
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.85-85
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    • 2011
  • RF magnetron co-sputtering을 이용하여 RF power 및 공정 압력에 따라 GZO 및 IGZO 박막을 유리기판 위에 제작하고 투명전극으로 구조적, 광학적, 전기적 특성을 조사하였다. 박막 증착 조건의 초기 압력은 $1.0{\times}10^{-6}Torr$, 증착온도는 상온으로 고정하였으며 기판은 Corning 1737 유리기판을 사용하였다. 소결된 타겟으로 ZnO, $In_2O_3$$Ga_2O_3$을 이용하였으며, 각각의 타겟은 독립 된 RF파워를 변화시키며 투명전극의 성분비를 조절하였으며, 증착 압력은 10 m에서 100 mTorr까지, 기판과의 거리는 25 mm에서 65 mm까지 변화시키며 박막을 제작하였다. 유리기판 위에 불순물이 첨가된 모든 ZnO 박막에서 (002) 면의 우선배향성이 관찰되었고, 3.4eV에서 3.5eV 정도의 광학적 밴드갭을 가지며 80% 이상의 투과율을 나타내었다. GZO 박막의 경우 증착 조건에 따라 투명전극에 요구되는 $5*10^{-3}{\Omega}-cm$ 이하의 전기적특성을 가짐을 보였으며, gallium 성분이 0%에서 6%로 증가함에 따라 3.3eV에서 3.5eV로 blue-shift하였으며, 비저항은 0.02에서 $0.005{\Omega}cm$로 낮아졌으며 이동도는 $4.7cm^2V^{-1}s^{-1}$에서 $2.7cm^2V^{-1}s^{-1}$로 보이며 GZO 물질이 투명전극으로서 기존의 ITO 물질 대체 가능성을 확인하였다. IGZO 박막은 In과 Ga의 함량에 따라 저항률의 변화가 크게 나타났으며, In의 함량이 많을수록 이동도, 캐리어 농도의 증가로 저항률은 감소하였다.

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Ar 가스 압력과 RF 전력변화에 따른 유도결합형ㆍ플라즈마 E-H모드 변환의 광학적 특성 (Optical E-H Transition Properties of Inductively Coupled Plasma with Ar Gas Pressure and RF Pourer)

  • 허인성;조주웅;이영환;김광수;최용성;박대희
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제53권1호
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    • pp.20-23
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    • 2004
  • In this paper, the emission properties of electrodeless fluorescent lamp were discussed using the inductively coupled plasma. To transmit the electromagnetic energy into the chamber, a RF power of 13.56 [MHz] was applied to the antenna and considering the Ar gas pressure and the RF electric power change, the emission spectrum, Ar I line, luminance were investigated. At this time, the input parameter for ICP RF plasma, Ar gas pressure and RF power were applied in the range of 10∼60 [mTorr], 10∼300 [W], respectively. From emission intensity and lumnance intensity results, the mode transition from E-mode to H-mode was observed. This implies that this method can be used to find an optimal RF power for efficient light illumination in an electrodeless fluorescent lamp.

MOSFET의 특성변화에 따른RF 전력증폭기의 신뢰성 특성 분석 (Reliability Characteristics of RF Power Amplifier with MOSFET Degradation)

  • 최진호
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제11권1호
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    • pp.83-88
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    • 2007
  • MOSFET 트랜지스터의 전기적인 특성 변화에 따른 Class-E RF 전력 증폭기의 신뢰성 특성을 분석하였다. Class-E 전력 증폭기에서 MOSFET는 높은 효율을 얻기 위해 스위치로 동작하며, 이로 인해 MOSFET가 off 되었을 때 드레인 단자에 높은 전압 신호가 발생한다. 회로가 동작함에 따라 높은 전압의 스트레스로 인하여 MOSFET의 문턱 전압은 증가하고 전자의 이동도는 감소하여 MOSFET의 드레인 전류는 감소하게 된다. Class-E 전력 증폭기에서 MOSFET의 전류가 감소하면 전력 효율 및 출력 전력은 감소하게 된다. 그러나 class-E 전력증폭기에서 작은 부하 인덕터를 사용할 경우 큰 인덕터를 사용하는 경우에 비 해 신뢰성 특성을 향상시킬 수 있다. 1mH의 부하 인덕터를 사용한 경우 $10^{7}$초 후에 드레인 전류는 46.3%가 감소하였으며, 전력 효율은 58%에서 36%로 감소하였다. 그러나 1nH의 부하 인덕터를 사용한 경우 드레인 전류는 8.89%, 전력 효율 59%에서 55%로 감소하여 우수한 신뢰성 특성을 보여주었다.

RF 반응성 스퍼터링에 의한 비정질 carbon nitride 박막의 제조에 관한 연구 (A Study on carbon nitride thin films prepared by RF reactively sputtering)

  • 이철화;김병수;이상희;진윤영;이덕출;박구범
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.406-408
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    • 1999
  • Amorphous carbon nitride thin films were prepared on pretreated silicon(100) substrate in sputtering graphite target by activated gas phase using RF reactively sputtering. We measured the FT-IR spectrum to identify C=N(nitrile)stretching mode(2200cm$\^$-1/), C-H stretching mode(2800cm$\^$-1/), C-H bending mode, C=C stretching mode C=N(imino) mode(1680cm$\^$-1/ ), and the XPS to investigate chemical structure of surface. By the results of FT-H and XPS spectrum, We confirmed that amorphous carbon nitride films with typel (C(1s): 285.9[eV], N(1s): 398.5[ev]) and type 2(C1s): 287.5[eV, N(1s): 400.2[eV]) successfully were synthesized by RF reactively sputtering

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Class-F 구동회로를 사용하는 Class-E 전력 증폭기의 신뢰성 (Reliability Characteristics of Class-E Power Amplifier using Class-F Driving Circuit)

  • 최진호
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제55권6호
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    • pp.287-290
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    • 2006
  • A class-E CMOS RF(Radio frequency) power amplifier with a 1.8 Volt power supply is designed using $0.25{\mu}m$ standard CMOS technology. To drive the class-E power amplifier, a Class-F RF power amplifier is used and the reliability characteristics are studied with a class-E load network. After one year of operating the power amplifier with an RF choke, the PAE(Power Added Efficiency) decreases from 60% to 47% and the output power decreases 29%. However, when a finite DC-feed inductor is used with the load, the PAE decreases from 60% to 53% and the output power decreases only 19%. The simulated results demonstrate that the class-E power amplifier with a finite DC-feed inductor exhibits superior reliability characteristics.