본 논문은 X-대역에서 높은 Q값을 이용하여 위상 잡음을 줄이기 위하여 metamaterial 공진기를 이용한 Push-Push 발진기를 제안하였다. Metamaterial 공진기는 큰 결합 계수 값을 갖는데, 이는 Q값을 크게 만들고, 발진기의 위상 잡음을 줄일 수 있었다. 1.8 V의 공급 전압을 사용한 Push-Push 발진기는 12 GHz의 주파수 범위에서 -117 dBc/HB @ 100 kHz의 위상 잡음 특성을 가지며 metamaterial 공진기와 일반적인 나선형 공진기를 비교 했을 때, 개선된 Q값 특성은 -29.7 dB와 -47.5 dB이다. 제작된 metamaterial 공진기를 이용한 Push-Push 발진기는 X-대역에서 발진기로 이용될 수 있음을 확인 하였다.
Poly-Si TFTs(polycrystalline silicon thin film transistors) fabricated on a low cost glass substrate have attracted a considerable amount of attention for pixel elements and peripheral driving circuits in AMLCS(active matrix liquid crystal display). In order to apply poly-Si TFTs for high resolution AMLCD, a high operating frequency and reliable circuit performances are desired. A new poly-Si TFT with CLBT(counter doped lateral body terminal) is proposed and fabricated to suppress kink effects and to improve the device stability. And this proposed device with BC(buried channel) is fabricated to increase ON-current and operating frequency. Although the troublesome LDD structure is not used in the proposed device, a low OFF-current is successfully obtained by removing the minority carrier through the CLBT. We have measured the dynamic properties of the poly-Si TFT device and its circuit. The reliability of the TFTs and their circuits after AC stress are also discussed in our paper. Our experimental results show that the BC enables the device to have high mobility and switching frequency (33MHz at $V_{DD}$ = 15 V). The minority carrier elimination of the CLBT suppresses kink effects and makes for superb dynamic reliability of the CMOS circuit. We have analyzed the mechanism in order to see why the ring oscillators do not operate by analyzing AC stressed device characteristics.
Nepal에서 도입된 수도 'Gamadi' 품종은 Gamadiness 특성(구내성숙성)의 유전분석을 시도하였다. 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 본연구에 공시된 표식인자들 즉 제 I 연관군의Cl, nx, Pla, 제III연관군의 Pn, Rd, Pub, 제II, IV, V, VI, VII, VIII, IX, X, XI, XII 연관군의 각각 lg, g, Ps, gh, Hla, la, nl, bl, bc, 및 gl은 과거의 보고와 일치되는 분리비를 나타내어 이 실험에서의 유전분리가 정상적인 것이었음을 입증한다. 2. 'Gamadiness'는 2개의 우성유전자에 의하여 보족적인 작용으로 표현되어 Gamadi 9: 정상7의 분리비를 보였다. 이 2개유전자를 G-a와 G-b로 명명하였다. 3. G-a 유전자는 제Ⅸ연관군의 nl 유전자와 0.37$\pm$0.027의 조환가로 연관되어 있음을 확인하였다. 4. G-b 유전자는 제XI연관군의 bc 유전자와 0.27$\pm$0.061의 절환가로 연관되어 있음을 확인하였다.절환가로 연관되어 있음을 확인하였다.
1981년부터 최 등이 재래종 옥수수의 수집종 가운데서 병발한 한계통(MET)을 분얼이 많이되고 또한 개체당 이삭(수)수도 많아서 사료용 옥수수의 육종재료로 가치가 있다고 생각되었으나 이 옥수수에 대한 유전적 분석이 확실히 되어 있지를 않았다. 따라서 본연구에서는 MET와 비분얼성이며 이삭도 하나 밖에 달리지 않는 수원 19호 (Mo17$\times$B68) 교잡종을 이용하여 F$_1$, F$_2$, BC$_1$, 세대를 양성하고 Mather의 세대평균분석법에 의하여 분석한 결과 MET 계통의 다수.다얼성은 염색체상의 유전인자에 의한 다기 보다 세포질적 유전인자에 의한다는 것을 확인하였다. 이같은 결론은 MET계통을 모계로 하여 교잡한 려잡종 세대에서 확실히 얻을 수가 있었다. 즉 MET 계통을 모계로 이용했을 때의 평균분얼과 이삭수는 MET를 부계로 이용했을 때의 분얼수와 이삭수 보다 많았는데 이는 이같은 특성들이 모계유전을 하기 때문이다. 그러나 이같은 특성들이 F$_1$이나 F$_2$에서 나타나지 않은 것은 F$_1$에서 특히 보여주는 잡종강세현상 때문에 옥수수의 정부우세성이 매우커서 상반적으로 분얼이나 이삭의 발달이 억제되었기 때문이라고 생각된다. 그리고 분얼이나 이삭의 절대수가 모계로 이용했던 MET에서 보다 잡종세대가 진전될수록 적어지는 것은 잡종강세외에도 MET계통의 세포질약 내지 유전인자적 축적량(Dose)이 적어지기 때문이라고 생각되어진다. 이같은 MET계통의 특성은 려교잡에 의한 MET계통의 세포질을 유지하거나 축적하므로써 사료용 옥수수의 육종에 이용될 수 있을 것으로 보여졌다.
본 연구는 가자 추출물(TCE), 차전초 추출물(PAE), 생강나무잎 추출물(LOE) 그리고 매생이 추출물(CFE)을 첨가하여 식빵을 제조하고, 매일 30 g의 식빵 식이를 6주령 SD 랫드에게 제공한 뒤 혈당과 지질과 관련된 지표들의 변화를 관찰하였다. 추출물이 첨가된 식빵을 섭취한 모든 그룹에서 체중, 음수량, 간과 신장의 무게, AST, ALP, ALT의 변화는 나타나지 않았다. 식이 섭취 후 혈당의 변화를 확인하기 위해 매주 1회 절식 후 공복혈당을 측정하였을 때 1주차 측정 결과에서 Con 그룹의 혈당 수치가 $134.63{\pm}27.12mg/dL$로 BT 그룹, BP 그룹, BL 그룹 그리고 BC 그룹과 비교하여 유의적인 차이를 보이며 혈당이 상승하였고, 4주차 측정 결과에서는 Con 그룹($123.63{\pm}9.62mg/dL$), BT(그룹 $119.13{\pm}9.60mg/dL$), BP 그룹($117.37{\pm}12.77mg/dL$), BL 그룹($116.50{\pm}14.43mg/dL$)과 비교해 BC 그룹에서 $108.13{\pm}4.64$의 혈당치로 유의적인 차이를 보이며 혈당이 감소하는 것을 보아 CFE가 첨가된 식빵은 혈당강하에 도움을 줄 수 있을 것으로 판단하였다(p<0.05). 이어진 경구당부하검사 120분대 혈당치에서 BT 그룹($124.63{\pm}17.15mg/dL$), BL 그룹($121.50{\pm}13.28mg/dL$)은 Con 그룹($138.50{\pm}6.09mg/dL$)의 혈당치와 비교하여 유의적인 차이를 보이며 감소하는 것을 보여주었으며(p<0.05), AUC에서 유의적인 차이는 나타내지 않았지만 BT 그룹, BP 그룹, 그리고 BL 그룹의 area value가 적어졌다. AUC와 경구당부하검사 결과를 종합해 볼 때 TCE, PAE 그리고 LOE가 첨가된 식빵은 기존식빵에 비해 내당능에 도움을 줄 수 있을 것으로 기대된다. 또한, 혈당과 관련된 중요 지표 중 하나인 당화혈색소 측정 결과에서 Con 그룹(4.06%)과 비교해 유의적인 차이를 보이며 BL 그룹(1.53%)와 BC 그룹(2.28%)은 당화혈색소 함량이 감소하는 것을 보였다(p<0.05). 지질 측정 지표인 TC, TG, LDL-cholesterol, HDL-cholesterol 측정결과에서 BL 그룹은 TC, LDL-cholesterol을 유의적으로 낮췄으 며 BC 그룹은 TC, LDL-cholesterol을 유의적으로 낮추고 HDL-cholesterol의 함량을 유의적으로 증가시켰다. LOE와 CFE가 첨가된 식빵 식이는 제공은 지질대사의 불균형을 조절할 수 있을 것으로 사료되며 나아가 동맥경화 예방에도 도움이 될 것으로 생각된다. 지질과 관련된 유전인자인 PPAR-${\alpha}$과 PPAR-${\gamma}$에 대한 mRNA 발현을 측정한 결과 BL 그룹, BC그룹에서 Con 그룹과 유의적인 차이를 나타내며 PPAR-${\alpha}$ mRNA 발현이 증가하였고, PPAR-${\gamma}$ mRNA 발현의 경우, BP 그룹, BL 그룹, BC 그룹에서 가장 적은 발현을 나타내었다. 실험 결과를 통해 추출물 중 여러 측정 항목에서 LOE와 CFE가 첨가된 식빵식이에서 가장 좋은 활성을 보였으므로 LOE와 CFE는 공복혈당 강하와 내당능에 효과가 있으며 HDL의 합성을 촉진하여 혈중 TC의 함량을 낮춘 것으로 생각된다. 또한 PPAR-${\alpha}$의 전사를 활발하게 하고 PPAR-${\gamma}$와 관련된 유전인자의 활성을 낮춰 지질대사의 균형을 유지시키는 것으로 사료된다.
There is an increasing interest in high-performance A/D(Analog-to-Digital) converters for use in integrated analog and digital mixed processing systems. Pipeline A/D converter architectures coupled with BiCMOS process technology have the potential for realizing monolithic high-speed and high-accuracy A/D converters. In this paper, the design of 12bit pipeline BiCMOS A/D converter presented. A BiCMOS operational amplifier and comparator suitable for use in the pipeline A/D converter. Test/simulation results of the circuit blocks and the converter system are presented. The main features is low distortion track-and-hold with 0-300MHz input bandwidth, and a proprietary 12bit multi-stage quantizer. Measured value is DNL=${\pm}$0.30LSB, INL=${\pm}$0.52LSB, SNR=66dBFS and SFDR=74dBc at Fin=24.5MHz. Also Fabricated on 0.8um BiCMOS process.
In this paper, we propose two LC voltage-controlled oscillators (VCOs) that improve both phase noise and tuning range. With both 1/f induced low-frequency noise and low-frequency thermal noise around DC or around harmonics suppressed significantly by the employment of a current-current negative feedback (CCNF) loop, the phase noise in the CCNF LC VCO has been improved by about 10 dB at 6 MHz offset compared to the conventional LC VCO. The phase noise of the CCNF VCO was measured as -112 dBc/Hz at 6 MHz offset from 5.5 GHz carrier frequency. Also, we present a bandwidth-enhanced LC VCO whose tuning range has been increased about 250 % by connecting the varactor to the bases of the cross-coupled pair. The phase noise of the bandwidth-enhanced LC-tank VCO has been improved by about 6 dB at 6 MHz offset compared to the conventional LC VCO. The phase noise reduction has been achieved because the DC-decoupling capacitor Cc prevents the output common-mode level from modulating the varactor bias point, and the signal power increases in the LC-tank resonator. The bandwidth-enhanced LC VCO represents a 12 % bandwidth and phase noise of -108 dBc/Hz at 6 MHz offset.
This paper describes design and implementation of the 5.5 GHz VCO with parallel-branch inductors using 0.8${\mu}m$ SiGe HBT process technology. The proposed parallel-branch inductor shows $12 \%$ improvement in quality factor in comparison with the conventional inductor. A phase noise of -93 dBc/Hz is measured at 100 kHz offset frequency, and the harmonics in the VCO are suppressed less than -23 dBc. The single-sided output power of the VCO is -6.5$\pm$1.5 dBm. The manufactured VCO consumes 15.0 mA with 2.5 V supply voltage. Its chip areas are 1.8mm ${\times}$ 1.2mm.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제9권4호
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pp.192-197
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2009
This paper presents the design and measurement of a 2.4/5.2-GHz dual band VCO with a balanced frequency doubler in $0.18\;{\mu}m$ CMOS process. The topology of a 2.4 GHz VCO is a cross-coupled VCO with a LC tank and the frequency of the VCO is doubled by a frequency balanced doubler for a 5.2 GHz VCO. The gate bias matching network for class B operation in the balanced doubler is adopted to obtain as much power at 2nd harmonic output as possible. The average output powers of the 2.4 GHz and 5.2 GHz VCOs are -12 dBm and -13 dBm, respectively, the doubled VCO has fundamental harmonic suppression of -25 dB. The measured phase noises at 5 MHz frequency offset are -123 dBc /Hz from 2.6 GHz and -118 dBc /Hz from 5.1 GHz. The total size of the dual band VCO is $1.0\;mm{\times}0.9\;mm$ including pads.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제4권3호
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pp.137-142
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2004
In this paper, we present a new current-current negative feedback(CCNF) differential voltage-controlled oscillator (VCO) with 1/f induced low-frequency noise suppressed. By means of the CCNF, the 1/f induced low-frequency noise is removed from the proposed CCNF VCO. Also, high-frequency noise is stopped from being down-converted into phase noise by means of the increased output impedance through the CCNF and the feedback capacitor $C_f. The proposed CCNF VCO represents 11-dB reduction in phase noise at 10 kHz offset, compared with the conventional differential VCO. The phase noise of the proposed CCNF VCO is measured as - 87 dBc/Hz at 10 kHz offset frequency from 5.5-GHz carrier. The proposed CCNF VCO consumes 14.0 mA at 2.0 V supply voltage, and shows single-ended output power of - 12 dBm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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