• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.357-360
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• 2000

Ferroelectric 0.05PZN-xPZT(90/10)-(0.95-x)PZT(10/90) (x=0.65, 0.85) specimens were fabricated by the mixed-oxide method and cold-pressing method using sol-gel derived PZT(90/10) and PZT(10/90) powders. All specimens show a uniform ferroelectric grain without the presence of the pyrocholre phase. Average grain size increased with an increase in sintering temperature, the value for the x=0.65 specimen sintered at 125$0^{\circ}C$ was 14.4${\mu}{\textrm}{m}$. The dielectric constant and dielectric loss of the x=0.65 specimen sintered at 125$0^{\circ}C$ were 1247, 2.05%, respectively. All specimens showed fairly good temperature and frequency stability of dielectric constant with the range from -2$0^{\circ}C$ to 6$0^{\circ}C$ and 100Hz to 10MHz. The coercive electric field and the remanent polarization of x = 0.65 specimen sintered at 125$0^{\circ}C$ were 8.5 kV/cm and 13 $\mu$C/cm$^2$, respectively.

• 한국세라믹학회지
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• 제13권4호
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• pp.5-8
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• 1976

Both oriented and non-oriented ferroxplana $Co_{1-x}Zn_xZ(Ba_3Co_{2(1-x)}Zn_{2x} Fe_{24}O_{41})$ with x=0.00, 0.45 were prepared by conventional ceramic method. The magnetostrictions of thus prepared specimens were measured by use of the three terminal capacitor device at room temperature. The magnitude of measured values was approximately five times greater than that of ZnY ferroxplana. The easy-magnetization plane at room temperature of both CoZ and Co0.55 $Zn_{0.45}$Z was their basal plane. The magentostrictions in the basal plane and the other planes showed saturated values at magnetic field intensity of about 2Koe and 4Koe, respectively. The magnetostriction constants $K_1, \; K_2, \;K_3\; and\; K_4$ for CoZ were -2.4, -10.5, -5.9 and -45.2$\times10^{-6}$ , while those for $Co_{0.55}Zn_{0.45}Z$ were +0.1, -1.2, -6.3 and -39.0$\times$10^{-6}, , respectively.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.33.2-33.2
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• 2009

Dielectric and piezoelectric properties of Lead-free $(1-x)(Bi_{0.5}K_{0.5})TiO_3-xBiFeO_3$ceramics prepared by a conventional solid state reaction method were investigated in the range of x = 0~10 mol%. Piezoelectric coefficient was increased from 31 pC/N at x = 0 mol% to 64 pC/N at x = 6 mol% then decreased with increasing x. Electromechanical coupling factor ($K_p$) was increased up to 0.18 at x = 10 mol%. On the other hand, mechanical quality factor ($Q_m$) was decreased. Grain size was not much changed with various x and a single perovskite with tetragonal symmetry was maintained at all compositions forming a solid solution between $(Bi_{0.5}K_{0.5})TiO_3$ and $BiFeO_3$. Depolarization temperature ($T_d$) was gradually decreased with increasing x from $302^{\circ}C$ at x = 0 to $245^{\circ}C$ at x = 10 mol%.

• 한국재료학회지
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• 제12권9호
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• pp.718-723
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• 2002

$Ti_{1-x}$ $Al_{ x}$N thin films as barrier layer for memory devices application were deposited by reactive magnetron sputtering. The crystallinity, micro-structure, oxidation resistance and oxidation mechanism of films were investigated as a function of Al content. Lattice parameter and grain size of thin films were decreased with increasing the Al content Oxidation of the film with higher Al content is slow and then, total oxide thickness is thinner than that of lower Al content film. Oxide layer formed on the surface is AlTiNO layer. Oxidation of $Ti_{1-x}$ /$Al_{x}$ N barrier layer is diffusion limited process and thickness of oxide layer with oxidation time increased with a parabolic law. The activation energy of oxygen diffusion, Ea and diffusion coefficient, D of $Ti_{0.74}$ /X$0.74_{0.26}$N film is 2.1eV and $10^{-16}$ ~$10^{-15}$ $\textrm{cm}^2$/s, respectively. $_Ti{1-x}$ /$Al_{x}$ XN barrier layer showed good oxidation resistance.

• 한국재료학회지
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• 제9권8호
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• pp.831-836
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• 1999

RF 스퍼터링법으로 제작한 비정질 (Fe(sub)1-xCo(sub)x)(sub)89Zr11 자성박막의 자기특성을 Co농도에 따라 조사하였다. 130 Oe의 인가자기장중 190~20$0^{\circ}C$ 에서 10분간 2단 열처리를 행하였을때, 시편중 x=0.4의 박막은 높은 자왜를 나타냄에도 불구하고 0.25 Oe의 낮은 보자력 H(sub)c과, 8.7 MHz, 10 mOe의 여기자기장에서 측정된 미분투자율 $\mu$(sub)d는 280 정도로 가장 양호한 값을 나타내었다. 이와 같은 거동은 박막내 최적의 압축응력상태에서 야기된 자기이방성의 변화에 기인한다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제9권1호
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• pp.10-12
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• 1988

The intrinsic barrier in the methyl transfer reaction $X^- + CH_3X \rightleftharpoons XCH_3 + X^-$ has been shown to vary quadratically with the C-X distance d; linear dependence of the intrinsic barrier on the deformation energies or methyl cation affinities of the substrate, $CH_3X$, should therefore hold only approximately in a narrow range of structural variations in X.

• 대한환경공학회지
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• 제28권4호
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• pp.368-375
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• 2006

순수한 아나타제 구조로 이루어진 DT51D $TiO_2$에 $CrO_x,\;FeO_x,\;MnO_x,\;LaO_x,\;CoO_x,\;NiO_x,\;CeO_x,\;CuO_x$와 같은 단일 산화물 촉매를 각각 5 wt.% 담지하여 모델반응으로 선택한 기상 TCE 제거반응을 수행하였으며, 이로부터 얻어진 결과를 바탕으로 $CrO_x/TiO_2$-based 복합 산화물 촉매상에서 TCE 산화반응을 연구함으로써 유해 중금속의 사용량을 최소화하기 위한 최적의 촉매 디자인 방법을 도출하고자 하였다. DT51D $TiO_2$에 담지된 여러 단일 금속 산화물들 중에서 기상 TCE 제거반응에 대하여 $CrO_x$가 가장 우수한 촉매활성을 보이는 것으로 나타났으며, 반응온도의 함수로 얻어진 TCE 제거반응의 활성은 $CrO_x$의 담지량에 의존하였다. 5 wt.% $CrO_x$-based 복합 산화물 촉매는 10 wt.% $CrO_x$만으로 이루어진 단일 산화물 촉매와 거의 동일한 수준의 TCE 제거반응 활성을 보였을 뿐만 아니라 이 복합 산화물 촉매들은 10 wt.% $CoO_x,\;MnO_x,\;FeO_x,\;NiO_x$ 등과 같은 단일 산화물 촉매들보다 높은 반응활성을 갖는 것으로 나타났다. 단일 산화물 촉매의 반응활성과 비교하였을 때 5 wt.% $CrO_x$-based 복합 산화물 촉매상에서 TCE 제거반응 동안에 얻어지는 반응활성의 증가 정도는 $420^{\circ}C$ 이하의 반응온도 기준으로 약 $10{\sim}80%$ 이상이었다. 따라서, CVOCs 제거반응을 위하여 널리 사용되고 있는 단일 $CrO_x/Al_2O_3$ 촉매보다는 $CrO_x$의 사용량을 최소화하면서도 우수한 반응활성을 얻을 수 있는 $CrO_x/TiO_2$-based복합 산화물 촉매가 보다 바람직하며 하나의 대안적인 촉매 디자인 방법으로 응용될 수 있을 것으로 생각된다.

• 자연과학논문집
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• 제16권1호
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• pp.143-154
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• 2005

대청호에서 세균군집의 생태학적 역할을 조사하기 위하여 대청호 본 댐과 대전 취수탑의 중간 지점인 대청호의 만입부 지점에서 1998년 9월~1999년 8월까지 DAPI 염색법으로 수심에 따른 총 세균수를 조사하였다. 조사지점의 수표면, 수심 5m, 10m, 15m, 및 25m에서 각각 채수하여 총 세균수를 측정하고 이화학적 수질요인과 총 엽록소 $\alpha$의 농도를 측정하였다. 총 세균수는 표층수에서 $1.6-1.7.0x10^6$ cells/ml, 수심 5m에서는 $2.3-11.0x10^6$ cells/ml, 수심 10m에서는 $1.2-1.4.0x10^6$ cells/ml, 수심 15m에서는$1.4-15.0x10^6$ cells/ml, 그리고 수심 25m에서는 $1.4-1.3.0x10^6$ cells/ml이었으며, 본 조사에서는 4월경부터 수온 증가에 따라 표층수의 총세균수는 증가하기 시작하여 7월경에 최대에 도달하였고, 이때 수심이 깊어질수록 총세균수는 감소하는 경향을 보였다. 각 수심에서 총세균수와 총엽록소 $\alpha$ 량 및 이화학적 수질요인과의 관계를 논의하였다.

• 대한수학회논문집
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• 제26권2호
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• pp.163-168
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• 2011

In this paper we introduce the notion of the center ZBin(X) in the semigroup Bin(X) of all binary systems on a set X, and show that if (X,${\bullet}$) ${\in}$ ZBin(X), then x ${\neq}$ y implies {x,y}=${x{\bullet}y,y{\bullet}x}$. Moreover, we show that a groupoid (X,${\bullet}$) ${\in}$ ZBin(X) if and only if it is a locally-zero groupoid.

• 호남수학학술지
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• 제32권3호
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• pp.467-480
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• 2010

There are various papers on finding all the derivations of a non-associative algebra and an anti-symmetrized algebra (see [2], [3], [4], [5], [6], [10], [13], [15], [16]). We and all the derivations of the growing algebra WN($e^{{\pm}x_1x_2x_3}$, 0, 3)[1] with the set of all right annihilators $T_3$ = $\{id,\;\partial_1,\;\partial_2,\;\partial_3\}$ in the paper. The dimension of $Der_{non}$(WN($e^{{\pm}x_1x_2x_3}$, 0, 3)$_{[1]}$) of the algebra WN($e^{{\pm}x_1x_2x_3}$, 0, 3)$_{[1]}$ is one and every derivation of the algebra WN($e^{{\pm}x_1x_2x_3}$, 0, 3)$_{[1]}$ is outer. We show that there is a class P of purely outer algebras in this work.