• 대한원격탐사학회지
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• 제14권1호
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• pp.53-68
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• 1998

대기중에 존재하는 수증기의 관측은 일기와 기후의 이해에 있어서 매우 중요한데, 기존의 관측체계로는 지구상의 극히 제한된 지역의 수증기 분포만을 관측할 수 있다. 이 연구에서는 일본 정지기상위성인 GMS-5의 적외 split window 채널 관측자료로부터 대기중에 함유되어 있는 수증기 총량 즉 가강수량(precipitable water)을 산출하였다. 가강수량 산출에는 라디오존데 관측 가강수량과 split window 관측자료 사이의 회귀분석에 기초한 Chesters et al.(1983)의 알고리즘을 사용하였 다. 가강수량 산출을 위하여 센서의 필터 함수와 관련된 수증기 흡수 파라미터는 우리 나라 고층 관측소인 오산, 광주,포항,제주에서 관측한 '76년 8월부터 11월가지의 4개월간 관측한 라디오존데 자료와 위성 관측자료의 회귀분석을 통하여 산출하였다. 한편 기상청 전구 스펙트랄 모델의 700 hPa온도를 1층 복사 모델의 대기 평균 온도로 사용하였다. 1996년 7월부터 12월까지의 기간에 대하여 산출한 GMS-5 가강수량 자료를 같은 기간 관측된 라디오존데 관측자료와 비교한 결과 0.46의 상관계수와 0.65 g/$cm^2$~1.09 g/$cm^2$의 RMS 오차를 나타내었다. GMS-5로부터 산출된 월평균 가강수량 분포는 계절에 따른 전지구 규모의 수증기 분포변화를 잘 나타내었다. 이번 연구에서 산출된 위성 가강수량은 0.5$^{\circ}$격자 간격으로 6시간마다 기상청에서 정규적으로 산출된다. 이 자료는 수치예보의 객관분석 초기 자료로 이용되어, 특히 청천 조건하에서의 습도 분석의 정확도 향상에 기여하며 기후 연구에 있어서도 현존하는 자료 세트에 대한 유용한 보완 자료가 될 것이다. 그러나 연구 결과의 실용화를 위하여는 좀더 높은 상관계수와 산출절차 등의 개선이 필요하다.용성을 고찰하였다.산마와 재배와 점질다당류가 각각 219~332$^{\circ}C$, 229~341$^{\circ}C$ 범위였다.TEX> 범위였다. 사면의 풍화와 침식에 대한 대책연구도 수행되어야 한다. 15ng/$\textrm{cm}^2$로서 90분간 조사로 27ng/$\textrm{cm}^2$량이 생성되었다. 7-DHC은 당초의 123ng/$\textrm{cm}^2$으로부터 계속 감소되어 150분간 조사시 53ng/$\textrm{cm}^2$량까지 내려갔다.하였으며, 그 외의 항목간에는 대동소이하였다.ckarti 와 E. serrulatus가 스파르가눔의 중간숙주가 될 수 있음을 확인하였다. 충란의 배양에서부터 종숙주의 충란 배출까지 약 2개월 정도의 기간이 소요되었고, 우리 나라 자연환경에서는 5일에서 7월에 주로 이 충체의 유충이 발육되고 전파되는 것으로 추측되었다.러 가지 방법들을 적극 적용하여 금후 검토해볼 필요가 있을 것이다.잡은 전혀 삭과가 형성되지 않았다. 이 결과는 종간 교잡종을 자방친으로 하고 그 자방친의 화분친을 사용할 때만 교잡이 이루어지고 있음을 나타내고 있다. 따라서 여교잡을 통한 종간잡종 품종육성 활용방안을 금후 적극 확대 검토해야 할 것이다하였다.함을 보이고 있다.X> , ZnCl$_{3}$$^{-}$같은 이온과 MgCl$^{+}$, MgCl$_{2}$같은 이온종을 형성하기 때문인것 같다. 한편 어떠한 용리액에서던지 NH$_{4}$$^{+}$의 경우 Dv값이 제일 작았다. 바. 본 연구의 목적중의 하나인 인체유해 중금속이온인 Hg(II), Cd(II)등이 NaCl같은 염화물이 함유된 시료용액에

• 한국자기학회지
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• 제12권4호
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• pp.127-131
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• 2002

자성터널접합(magnetic tunnel junction: MTJ)소자의 AlO$_{x}$터널장벽 절연층을 플라즈마 산화법으로 2번에 나누어 금속증착.산화를 반복하여 만들어 보았다. 이중산화I그룹은 10A의 $\AA$의 Al 하부 절연막을 증착하고 산화시간을 10 s로 완성한 후 그 위에 13$\AA$의 Al을성막하고 50, 80, 120s간 산화시켜 완성한 절연막의 특성을 알아보았다. 이중산화II그룹은 10$\AA$봐 Al하부 절연막의 산화시간을 30~120 s간 달리하고 그 위에 13 $\AA$의 Al을 성막하고 210 s간 산화시켜 완성한 절연막의 특성을 알아보았다. 이중산화공정으로 제조된 시편은 전 실험범위에서 자기저항비(magnetoresistance： MR)는 27% 이상으로 우수하였고, 이는 13 $\AA$의 Al을 증착하고 한번만 산화시키는 통상의 단일산화에 비해 MR비가 우수하고 공정범위가 넓었다. 수직단면 투과전자현미경(transmission electron microscope： TEM)으로 미세구조를 확인한 결과 이중산화가 단일산화보다도 더 얇고 균일한 두께를 유지함을 알 수 있었다 X선광전자분석(X-ray photoelectron spectroscopy： XPS)으로 확인한 결과 이중산화는 절연막층 하부 CoFe 자성층의 Fe의 산화를 방지하여, 결과적으로 단일산화법에 비해서 하부자성층의 산화를 방지하여 긴 산화시간 공정 범위에서도 우수한 MR비를 가질 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1995년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1152-1155
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• 1995

An analytic model for the optimum design of the power MOSFET considering the degradation of the breakdown voltage by the three dimensional effect is proposed. The proposed method gives the optimum design parameters such as the lateral radius of window curvature and the doping concentration of the epi-layer, which does not minimize the on-resistance but also maintains the required breakdown voltage. The analytical results are verified by the quasi 3D simulation tools, MEDICI, and it is found that the proposed method may be a good guideline for the design of power MOSFET.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.56-56
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• 2009

In this study, we fabricated the engineered $SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$(ONO) tunnel barrier with high-k $HfO_2$ trapping layer for application high performance flash MLC(Multi Level Cell). As a result, memory device show low operation voltage and stable memory characteristics with large memory window. Therefore, the engineered tunnel barrier with ONO stacks were useful structure would be effective method for high-integrated MLC memory applications.

• 전산구조공학
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• 제3권4호
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• pp.133-141
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• 1990

본 연구는 모형건물의 풍동실험을 통하여 건물내부에 작용하는 풍하중의 동적변화를 조사연구하였다. 실험에 사용된 모형건물은 건물외부에 작용하는 풍하중이 건물내부에 전달될 수 있는 개구부가 설치된 직육면체 형태의 구조물인데 실험시 개구부의 면적과 방향을 변화하고 정상류와 난류 상태의 풍하중을 사용하였다. 주어진 실험 조건하에서 건물내부 압력의 진동주파수를 알 수 있는 power spectrum과 내부압력의 동적변화량을 알 수 있는 RMS를 측정하여 분석하였는데 분석된 실험결과는 비교적 최근에 제안된 이론과 일치하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.119-119
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• 2003

ZnO는 최근에 발광소자로서의 가능성 때문에 주목받고 있다. ZnO 박막의 성장에는 주로 CVD법과 스퍼터법이 사용되는데, CVD법 중 하나로서 cyclic CVD라고도 불리는 ALE법은 기존 CVD법에 비하여 증착속도는 떨어지나 박막의 표면거칠기가 매우 작고 대면적의 증착에서도 두께균일도가 상당히 우수하며 증착온도가 낮은 장점이 있다. 본 연구에서는 발광소자로서 응용이 가능한 ZnO박막을 사파이어(0001) 기판위에 ALE법으로 증착하고 후열처리가 photoluminescencey(PL) 특성에 끼치는 효과를 조사하였다. DEZn(diethylzinc)와 $H_2O$를 소스로 사용하여 사파이어 기판위에 ZnO 박막을 성장시키었고 기판온도로서 ALE window 범위인 17$0^{\circ}C$와 CVD증착 온도범위인 40$0^{\circ}C$를 설정하여 증착 시키었다. 그 후 후열처리로서 산소분위기에서 800, 900, 100$0^{\circ}C$에서 1시간 열처리를 하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권7호
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• pp.620-628
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• 2008

Cadmium sulphide (CdS) thin film, which is used as a window layer of heterojunction solar cell, on the glass substrate was deposited by vacuum evaporation. Effects of deposition conditions such as the source and substrate temperature on electrical and optical properties of CdS films was investigated. As the source temperature was increased, the deposition rate of CdS films was increased. In addition, the optical transmittance and the electrical resistivity of CdS films were decreased as the source temperature was increased. This results were attributed to the increase of excess Cd amount in the film. The crystal structure of CdS films exhibited the hexagonal phase with preferential orientation of the (002) plane. As the substrate temperature was increased, the crystal structure of CdS films was improved and the resistivity of the films was increased due to the decrease of excess Cd in film.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2000년도 춘계종합학술대회
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• pp.143-146
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• 2000

This paper presents a study on design for the k-junction of a feeder waveguide with an inductive wall using FDTD method. The feed structure consists of a single waveguide plated on the same layer as radiating waveguide and is characterized by the unit divider, railed a $\pi$-Junction. This $\pi$-Junction with an inductive wall splits part of the power into two branch waveguide through one coupling window, and can excite densely arrayed waveguide at equal phase and amplitude. The power dividing characteristics of a $\pi$ -Junction obtained by FDTD method are compared with one of Galerkin's method of moments. The scattering matrices a $\pi$ -junction calculated by FDTD method are realized.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.221-224
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• 2000

We have successfully demonstrated metal-ferroel-ectric-insulator-semiconductor (MFIS) devices using Al/LiNbO$_{3}$/SiN/Si structure. The SiN thin films were made into metal -insulator- semiconductor (MIS) devices by thermal evaporation of aluminum source in a dot away on the surface. The interface property of MFIS from 1MHz & quasistatic C-V is good and the memory window width is about 1.5V at 0.2V/s signal voltage sweep rate. The gate leakage current density of MFIS capacitors using a aluminum electrode showed the least value of 1x10$^{-8}$ A/$\textrm{cm}^2$ order at the electric field of 300㎸/cm. And the XRD patterns shows the probability of applications of LN for MFIS devices for FeRAMs on amorphous SiN buffer layer.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권8호
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• pp.19-30
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• 1995

For the efficient interconnection between SMDS and LAN, an interconnection protocol architecture in the router is proposed in this paper. A control method of xongestion which is produced by this interconnection of SMDS and LAN is also proposed. Especially, the SIP level 3 of SMDS is devided into CS-SIP3 sublayer and CLNAP sublayer in order to circumvent the problems which are producted by the protocol difference of two networks and to consider the interconnection with B-ISDN in the future. In this way, the interconnection of SMDS and LAN is transparentlly achieved through CLNAP layer, and the interconnection protocol architecture becomes simple. To test the performance of the router, amodel of interconnection protocol which is proposed by this paper is simulated using sliding window flow control. The simulation results show that the throughput of router is increased. The packet delay and the rate of packet discard are also decreased.