본 논문에서는, CMOS APS Image Sensor 내에 포함되어 회로의 면적을 줄인 새롭게 제안된 CMOS Bandgap Reference Bias Generator (BGR)를 온도 및 방사능에 대한 응답을 실험하였다. 제안된 BGR 회로의 설계 목표는 V/sub DD/는 2.5V이상이고, V/sub ref/는 0.75V ± 0.5mV 마진을 가지게 하는 것이다. 제안된 BGR회로는 Level Shifter를 갖는 Differential OP-amp단과 Feedback-Loop를 가지는 Cascode Current Mirror를 사용하여 저전압에서도 동작을 가능하게 하였으며, 높은 출력저항 특성을 가지도록 하였다. 제안된 BGR회로는 하이닉스 0.18㎛ ( triple well two-poly five-metal ) CMOS 공정을 이용하여 Test Chip을 제작하였다. 온도의 변화와 Co-60 노출조건 하에서 Total ionization dose (TID) effect된 BGR회로의 V/sub ref/를 측정하여, 이를 평가하였다. 온도에 대한 반응은, 25℃ 일 때의 V/sub ref/에 대해, 각각 45 ℃에서 0.128%. 70℃에서 0.768% 변화하였다. 그리고 온도가 25℃일 때 50krad와 100krad의 방사능을 조사 하였을 경우, V/sub ref/는 각각 2.466%, 그리고 4.612% 변화하였다.
전 세계적으로 도로 상에서의 교통사고를 줄이고 교통 효율을 향상시키기 위한 많은 연구가 수행되어 왔으며, 최근에는 특히 C-ITS(Cooperative Intelligent Transportation System, 협력형 지능형교통체계) 기술을 기반으로 한 연구가 활발히 진행되고 있다. C-ITS 기술의 핵심은 인프라, 차량, 사람 등 도로시스템을 구성하는 요소들이 서로 간에 정보를 공유하고 재생성함으로써 도로안전 및 교통효율의 향상을 도모하는 것이며, 이를 위해 차량용 무선통신기술인 V2X(Vehicle-to-X) 통신기술이 적용되고 있다. 국내에서는 스마트하이웨이 연구를 통해 V2X 통신기술에 대한 연구가 진행되어 왔으며, 실제 고속도로 환경에서의 기술성능을 검증하기 위해 테스트베드를 구축하여 운영하고 있다. 본 논문에서는 스마트하이웨이 테스트베드에 대해 간략히 소개하고, 테스트베드 상에서의 성능 분석 절차 및 결과에 대해 기술한다.
최근 개인 휴대통신과 컴퓨터 기술의 발달로 유용한 데이터의 질적.양적 향상을 가져왔다. 이로 인해 저장중이거나 선로상에서의 전송중인 정보의 보호문제가 중요시되고 있다. 이러한 정보보호 문제가 중요시됨에 따라 정보보호를 위한 직접적인 암호화 방법중의 하나인 IDEA(International Data Encryption Algorithm)의 구현을 제안하고자 한다. IDEA는 블록 암호화 방식의 하나로서 64비트 데이터를 암호화하기 위해 128비트의 키를 사용한다. 본 논문에서 암호알고리즘 구현을 위하여 하드웨어 설계언어인 VHDL을 사용하였고, V-System을 이용하여 Simulation을 수행하였다. Coding된 알고리즘은 Synopsy를 사용하여 자동합성하였고, Xilinx사의 FPGA-4025를 Target으로 구현하였다.
지난날 각 가정에 많이 사용해왔던 등잔불이 심지라는 섬유제품을 통하여 기름이 올라오는 원리 즉 모세관 현상을 이용한 조명 방법이었다. 고형배지를 이용한 양액재배에서 양액의 공급은 동력기기를 이용한 소위 에너지를 많이 소비하는 방법이 거의 전부라 할 수 있다. 에너지를 절약할수 있는 방법을 생각하던 중에 섬유직조물들이 갖고 있는 모세관현상을 이용한 급액방법을 몇가지 섬유제품을 가지고 시도해 보았는데 예상했던 것 보다 훨씬 다양하고 좋은 결과를 얻었다. (중략)
The main objective of this paper is to design and test a new type of polymer ZnO surge arrester for DC power system of railroad vehicles. The rated voltage is 1500V direct current. The main research works are focused on structure design by finite element method, rating voltage, temporary over voltage and studies of characteristics of polymeric surge arrester.
PLL은 통신을 포함한 여러 분야에서 광범위 하게 사용된다. 본 논문에서는 향상된 부스큐 지연 방식을 이용한 고속 VCO와 이를 이용한 PLL을 제안하였다. 제안한 VCO와 PLL은 0.18um CMOS 공정을 기본으로 하여 1.8V의 전원전압에서 동작 하도록 설계되었다. 제안한 VCO는 서브 피드백 루프를 패스 트랜지스터로 설계 하였으며, 이 패스 트랜지스터는 NMOS PMOS가 사용되어서 주파수 이득이 반대인 2개의 주파수 제어전압이 필요하게 되며, 이로 인해 우수한 잡음 성능을 가지게 된다. 또한, 이 서브 피드백 루프와 부 스큐 지연방식은 보다 높은 주파수를 생성하게 된다. 실제 제안한 회로의 검증을 위하여 7단의 링 구성의 VCO를 설계하였으며, 설계된 VCO는 $3.2GHz\~6.3GHz$로 동작하며, 1MHz 오프셋 주파수에서 -128.8dBc/Hz의 위상잡음성능을 가짐을 검증 하였다. 이때의 전원 전압은 1.8V이며 VCO의 소비 전류는 3.8mA이다. 그리고 제안한 VCO를 이용하여 설계된 이중 루프 필터 구조의 PLL이 5GHz 대역에서 안정적으로 동작함을 검증하였다. 따라서, 제안한 VCO가 고주파 대역읜 통신기기에서 LC 공진회로를 대체 할 수 있음을 보였다. 본 논문에서 제안한 회로는 0.18um TSMC 라이브러리를 기본으로 하여 설계 하였다.
본 연구는 양파껍질로부터 건강기능성식품 기능성원료로서의 양파껍질추출물의 표준화공정을 설정하고자 하였으며, 제조과정 중 지표물질의 추출효율 증대 및 잔류농약 안정성 확보를 위해 여러 세척공정을 통한 quercetin 함량 및 잔류농약 잔존율을 분석하였다. 양파껍질(A)을 1차 1종세척제(이하 세척제) 수세후 건조한 처리구(B), 2차 세척제 처리구(C), 초음파+세척제 처리구(D), 과산화수소+세척제 처리구(E) 및 데치기+세척제 처리구(F)로 처리한 다음 주정추출후 농축 및 진공동결건조하여 양파껍질추출분말을 제조하였다. 양파껍질추출물의 수율 및 지표물질인 quercetin의 수율을 고려하면 과산화수소처리+세척제 처리구(E)가 B처리구에 비해 각각 89.04% 및 96.84%로 추출효율이 가장 높게 나타났다. 모든 시료에서 총 177종의 농약성분 중 cyhalothirn, fluquinconazole 및 procymidone, 3종만이 검출되었는데, cyhalothirn (생양파 허용기준; 0.5 mg/kg), fluquinconazole (0.2 mg/kg)은 각각 0.37-0.68 mg/kg 및 0.35-3.28 mg/kg으로 농축도(27-60배)를 고려하면 허용기준에 안정하였으나 procymidone은 함량이 128.01~133.67 mg/kg으로 높았다. 따라서 양파껍질추출물의 표준화공정을 위해서는 추가적인 물리적 전처리 공정이 필요한 것으로 사료되었다.
Consider a class of p(x)-Kirchhoff type equations of the form $$\left\{-M\left({\int}_{\Omega}\;\frac{1}{p(x)}{\mid}{\nabla}u{\mid}^{p(x)}\;dx\right)\;div\;({\mid}{\nabla}u{\mid}^{p(x)-2}{\nabla}u)={\lambda}V(x){\mid}u{\mid}^{q(x)-2}u\;in\;{\Omega},\\u=0\;on\;{\partial}{\Omega},$$ where p(x), $q(x){\in}C({\bar{\Omega}})$ with 1 < $p^-\;:=inf_{\Omega}\;p(x){\leq}p^+\;:=sup_{\Omega}p(x)$ < N, $M:{\mathbb{R}}^+{\rightarrow}{\mathbb{R}}^+$ is a continuous function that may be degenerate at zero, ${\lambda}$ is a positive parameter. Using variational method, we obtain some existence and multiplicity results for such problem in two cases when the weight function V (x) may change sign or not.
The ESS(energy storage system, here after) for a DC 1500V was developed in 2009. A ESS was installed on the track of Daejeon HRT in 2010. The advantage of the ESS is that it can save the energy and plus stable the catenary voltage. This paper presents the energy saved by the ESS in Daedong substation. When the ESS is on/off, the field tests are performed.
Low power circuit techniques have been developed to realize the highest possible performance of embedded SRAM at 1V power supply with$0.5\mu\textrm{m}$ single threshold CMOS technology in which the unbalance between NMOS and PMOS threshold voltages is utilized to optimize the low power CMOS IC design. To achieve the best trade-off between the transistor drivability and the subthreshold current increase, the ground potential of memory array is raised to suppressthe subthreshold current. The problems of lower cellstability and bit-line dealy increase due to the enhanced array ground potential are evaluated to be controlled within the allowable range by careful circuit design. 160MHz, 128kb embedded SRAM with 3.4ns access time is demonstrated with the power consumption of 14.8mW in active $21.4{mu}W$ in standby mode at 1V power supply.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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