• 대한소아치과학회지
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• 제46권1호
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• pp.21-28
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• 2019

이 연구의 목적은 브라켓 부착 시 Conventional primer (CP), Moisture insensitive primer (MIP), Self-etching primer (SEP)을 사용하였을 때의 전단결합강도를 비교하고, 타액 오염 여부와 타액 오염의 시기가 전단결합강도에 미치는 영향을 평가하는 것이다. 총 135개의 소의 하악 절치가 연구에 사용되었다. 시편은 I, II, III 3개의 군으로 나누어 CP, MIP, SEP를 사용하여 브라켓을 부착하였다. 각 군은 3개의 하위군으로 나누어져서 타액 오염이 없는 군, 타액 오염 후 프라이머를 도포한 군, 프라이머 도포 후 타액 오염이 있는 군으로 설정하고 전단결합강도를 측정하였다. 연구 결과, 건조한 환경에서 전단결합강도는 CP, MIP, SEP의 순서로 높게 나타났다. CP는 타액 오염이 있는 경우에는 유의한 전단결합강도의 저하를 보였다. MIP, SEP를 사용한 경우에는 프라이머 도포 전 후 타액 오염이 있는 경우에 약간의 전단결합강도의 저하를 보였지만, 건조한 환경에서와 비교하여 유의한 차이는 보이지 않았다. 따라서 브라켓 접착 시 타액의 격리가 힘든 상황에서는 MIP 또는 SEP의 사용이 브라켓 전단결합강도의 저하를 방지하기 위하여 유용할 것으로 보인다.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권5호
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• pp.29-35
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• 1999

Pt박막의 ICP 식각을 위한 Cl\sub 2 \/Ar 가스 플라즈마에 O\sub 2\ 가스를 첨가하여 Pt 식각 메카니즘을 XPS와 QMS로 조사하였다. 또한 single Langmuir probe를 사용하여 이온전류밀도를 Ar/Cl\sub 2 \/O\sub 2\ 가스 플라즈마에서 측정하였다. O\sub 2\가스 첨가비가 증가할수록 Cl과 Ar species가 급격하게 감소하고 이온전류밀도 역시 감소함을 QMS와 single Langmuir probe로 확인하였다. Pt 식각율의 감소는 O\sub 2\가스 첨가비가 증가할수록 반응성 species와 이온전류밀도의 감소에 기인함을 의미한다. 150 nm/min의 치대 식각율과 2.5의 산화막식각 선택비가 50 sccm의 Ar/Cl\sub 2 \/O\sub 2\ 가수 유량, 600 W의 RF 전력, 125 V의 dc 바이어스 전압 및 10mTorr의 반응로 압력에서 얻었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.361-365
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• 2003

Planar Inductively Coupled Plasma (PICP) etching of InGaP was performed in $BCl_3,\;BCl_3/Ar\;and\;BCl_3/Ne$ plasmas as a function of ICP source power ($0\;{\sim}\;500\;W$), RIE chuck power ($0\;{\sim}\;150\;W$), chamber pressure ($5\;{\sim}\;15\;mTorr$) and gas composition of $BCl_3/Ar\;and\;BCl_3/Ne$. Total gas flow was fixed at 20 sccm (standard cubic centimeter per minute). Increase of ICP source power and RIE chuck power raised etch rate of InGaP, while that of chamber pressure reduced etch rate. We also found that some addition of Ar and Ne in $BCl_3$ plasma improved etch rate of InGaP. InGaP etch rate was varied from $1580\;{\AA}/min$ with pure $BC_3\;to\;2800\;{\AA}/min$ and $4700\;{\AA}/min$ with 25 % Ar and Ne addition, respectively. Other process conditions were fixed at 300 W ICP source power, 100 W RIE chuck power and 7.5 mTorr chamber pressure. SEM (scanning electron microscopy) and AFM (atomic force microscopy) data showed vertical side wall and smooth surface of InGaP at the same condition. Proper addition of noble gases Ar and Ne (less than about 50 %) in $BCl_3$ inductively coupled plasma have resulted in not only increase of etch rate but also minimum preferential loss and smooth surface morphology by ion-assisted effect.

• The Journal of Advanced Prosthodontics
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• 제6권6호
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• pp.434-443
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• 2014

PURPOSE. The purpose of this study was to evaluate and compare the effects of different surface pretreatment techniques on the surface roughness and shear bond strength of a new self-adhering flowable composite resin for use with lithium disilicate-reinforced CAD/CAM ceramic material. MATERIALS AND METHODS. A total of one hundred thirty lithium disilicate CAD/CAM ceramic plates with dimensions of $6mm{\times}4mm$ and 3 mm thick were prepared. Specimens were then assigned into five groups (n=26) as follows: untreated control, coating with $30{\mu}m$ silica oxide particles ($Cojet^{TM}$ Sand), 9.6% hydrofluoric acid etching, Er:YAG laser irradiation, and grinding with a high-speed fine diamond bur. A self-adhering flowable composite resin (Vertise Flow) was applied onto the pre-treated ceramic plates using the Ultradent shear bond Teflon mold system. Surface roughness was measured by atomic force microscopy. Shear bond strength test were performed using a universal testing machine at a crosshead speed of 1 mm/min. Surface roughness data were analyzed by one-way ANOVA and the Tukey HSD tests. Shear bond strength test values were analyzed by Kruskal-Wallis and Mann-Whitney U tests at ${\alpha}=.05$. RESULTS. Hydrofluoric acid etching and grinding with high-speed fine diamond bur produced significantly higher surface roughness than the other pretreatment groups (P<.05). Hydrofluoric acid etching and silica coating yielded the highest shear bond strength values (P<.001). CONCLUSION. Self-adhering flowable composite resin used as repair composite resin exhibited very low bond strength irrespective of the surface pretreatments used.

• 대한소아치과학회지
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• 제31권4호
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• pp.636-644
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• 2004

최근 자가 부식형 접착 시스템이 개발되어 법랑질 및 상아질에 모두 적용할 수 있고, 임상적 술식을 단순화 시켰다. 이 접착 시스템은 적용하기 용이하고 임상적으로도 법랑질 및 상아질에 높은 결합강도를 보인다고 보고되고 있다. 이 연구는 in vitro 상에서 복합레진 5급 와동의 법랑질 및 상아질 경계에서 전부식 처리를 동반한 one-bottle 접착시스템과 자가 부식형 접착 시스템을 사용하였을 때 미세 누출을 비교하기 위해 시행하였다. 교정적 목적으로 발치된 30개의 소구치를 무작위적으로 3개 군으로 나누었다; 1 군 (Single $Bond^{(R)}$ + Filtek $Z250^{(R)}$), 2 군 (Clearfil SE $Bond^{(R)}$ + Filtek $Z250^{(R)}$), 3 군 (Adper Prompt $L-Pop^{(R)}$ + Filtek $Z250^{(R)}$). 표준화된 5급 와동을 각 소구치 협면, 설면에서 백악-법랑경계에 평행하게 형성하였으며, 와동의 치은측 1/2은 백악법랑경계보다 1mm 치근단으로 연장하였다. 접착 시스템을 제조자의 지시대로 적용한 다음 복합레진을 충전하고 제조자의 지시대로 광중합하였다. 시편을 $37^{\circ}C$ 증류수에 5일 간 보관 후 $5^{\circ}C{\pm}2^{\circ}C$ 와 $55^{\circ}C{\pm}2^{\circ}$에서 1000회 열순환한 다음, 2% methylene blue 용액에 12시간 침잠시켰다. $Isomet^{TM}$ (Buehler Co., Lake Bluff, IL, USA)을 사용하여 치아를 충전물 중앙에서 종절단한 후 입체 현미 경하에서 25배의 배율로 색소 침투도를 평가하였다. 결과는 t-test 와 one-way ANOVA를 이용하여 통계처리 하였다. 결과는 다음과 같았다. ${\cdot}$ 실험에 사용 된 접착 시스템 중에 미세 누출을 완벽하게 방지하는 접착 시스템은 없었다. ${\cdot}$ 상아질 경계에서의 미세 누출이 법랑질 경계에서보다 통계학적으로 유의하게 더 많았다(p<0.0001). ${\cdot}$ 법랑질 경계에서 자가 부식형 접착 시스템은 전부식 처리를 동반한 one-bottle접착 시스템과 통계학적으로 유의한 차이를 보이지 않았다. ${\cdot}$ 상아질 경계에서, 자가 부식형 접착 시스템은 전부식 처리를 동반한 one-bottle 접착 시스템과 통계학적으로 유의한 차이를 보이지 않았다.

• 청정기술
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• 제9권2호
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• pp.57-61
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• 2003

금속가공 공정에서 알루미늄 합금소재의 알칼리 에칭 후 표면에 발생한 스머트(Smut) 를 제거하기 위해 무질산 디스머트(Nitric acid-free desmut) 용액을 개발하였다. 과산화수소(2%), 불산(0.5%) 및 황산(10%)을 혼합한 산용액이 NaOH 수용액에 처리한 A16061 및 A15052 규격의 알루미늄 합금 소재에 대한 스머트 제거효과가 5% 질산수용액의 사용할 경우와 유사하게 관찰되었다. 스머트 제거를 위한 혼합 산용액 처리 전 후 소재 표면을 SEM-EPMA 분석을 통해 확인하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권3호
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• pp.217-221
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• 2004

[ $CO_2$ ]laser ablation rates for bulk 4H-SiC substrates and GaN/AIN/SiC templates in the range 229-870 ${\mu}m.min^{-1}$ were obtained for pulse energies of 7.5-30 mJ over diameters of 50·500 ${\mu}m$ with a Q-switched pulse width of ${\sim}30$ nsec and a pulse frequency of 8 Hz. The laser drilling produces much higher etch rates than conventional dry plasma etching (0.2 - 1.3 ${\mu}m/min$) making this an attractive maskless option for creating through-wafer via holes in SiC or GaN/AlN/SiC templates for power metal-semiconductor field effect transistor applications. The via entry can be tapered to facilitate subsequent metallization by control of the laser power and the total residual surface contamination can be minimized in a similar fashion and with a high gas throughput to avoid redeposition. The sidewall roughness is also comparable or better than conventional via holes created by plasma etching.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제6권3호
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• pp.199-205
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• 2006

Patterned sapphire substrates (PSS) were fabricated by a simple wet etching process with $SiO_2$ stripe masks and a mixed solution of $H_2SO_4$ and $H_3PO_4$. GaN layers were epitaxially grown on the PSS under the optimized 2-step growth condition of metalorganic vapor deposition. During the 1st growth step, GaN layers with triangular cross sections were grown on the selected area of the surface of the PSS, and in the 2nd growth step, the GaN layers were laterally grown and coalesced with neighboring GaN layers. The density of threading dislocations on the surface of the coalesced GaN layer was $2{\sim}4\;{\times}\;10^7\;cm^{-2}$ over the entire region. The epitaxial structure of near-UV light emitting diode (LED) was grown over the GaN layers on the PSS. The internal quantum efficiency and the extraction efficiency of the LED structure grown on the PSS were remarkably increased when compared to the conventional LED structure grown on the flat sapphire substrate. The reduction in TD density and the decrease in the number of times of total internal reflections of the light flux are mainly attributed due to high level of scattering on the PSS.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권5호
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• pp.511-515
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• 2013

A Monte Carlo (MC) simulation study has been done in order to investigate the effects of line-edge-roughness (LER) induced by either 1P1E (single-patterning and single-etching) or 2P2E (double-patterning and double-etching) on fully-depleted silicon-on-insulator (FDSOI) tri-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). Three parameters for characterizing the LER profile [i.e., root-mean square deviation (${\sigma}$), correlation length (${\zeta}$), and fractal dimension (D)] are extracted from the image-processed scanning electron microscopy (SEM) image for each photolithography method. It is experimentally verified that two parameters (i.e., ${\sigma}$ and D) are almost the same in each case, but the correlation length in the 2P2E case is longer than that in the 1P1E case. The 2P2E-LER-induced $V_TH$ variation in FDSOI tri-gate MOSFETs is smaller than the 1P1E-LER-induced $V_TH$ variation. The total random variation in $V_TH$, however, is very dependent on the other major random variation sources, such as random dopant fluctuation (RDF) and work-function variation (WFV).

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.349-349
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• 2009

High quality ZnO:Al films were prepared on glass substrates by in-line RF magnetron sputtering and their surface morphologies were modified by wet-etching process in dilute acid solution to improve optical properties for application to silicon thin film solar cells as front electrode. The as-deposited films show a strong preferred orientation in [001] direction under our experimental conditions. A low resistivity below $5{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ and high optical transmittance above 80% in a visible range are achieved in the films deposited at optimized conditions. After wet-etching, the surface morphologies of the films are changed dramatically depending on the deposition conditions, especially working pressure. The optical properties such as total/diffuse transmittance, haze and angular resolved distribution of light are varied significantly with the surface morphology feature, whereas the electrical properties are seldom changed. The cell performances of silicon thin film solar cells fabricated on the textured films are also evaluated in detail with comparison of commercial $SnO_2$:F films.