• 전력전자학회논문지
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• 제2권4호
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• pp.19-27
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• 1997

본 논문은 스위치 턴·오프시의 손실을 줄이기 위해서 소프트 스위칭 기법인 ZVS(Zero-Voltage Switching)을 도입하여 회로의 동작 해석과 설계에 관해 기술하였다. 또한, 제안 회로의 해석은 무차원화 파라메타를 도입하여 범용성 있게 기술하였고, 운전 특성을 스위칭 주파수와 제 파라메타에 따라 특성 평가를 하였다. 이론 해석에서 얻은 특성값을 기초로 한 회로 설계 기법의 일 예를 제시하였다. 첨가해서, 실험을 통해 이론 해석의 정당성을 입증하였으며, 향후 유도 가열 조리기 등의 전원 시스템에 응용가능성을 보여주고 있다.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제7권2호
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• pp.236-239
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• 2012

In this paper, we study the transient characteristics of 4H-SiC DMOSFETs with different interface charges to improve the turn-on rising time. A physics-based two-dimensional mixed device and circuit simulator was used to understand the relationship between the switching characteristics and the physical device structures. As the $SiO_2$/SiC interface charge increases, the current density is reduced and the switching time is increased, which is due primarily to the lowered channel mobility. The result of the switching performance is shown as a function of the gate-to-source capacitance and the channel resistance. The results show that the switching performance of the 4H-SiC DMOSFET is sensitive to the channel resistance that is affected by the interface charge variations, which suggests that it is essential to reduce the interface charge densities in order to improve the switching speed in 4H-SiC DMOSFETs.

• Journal of Semiconductor Engineering
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• 제3권2호
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• pp.161-167
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• 2022

Electrical characteristics of LDMOS power device with LDD(Lightly Doped Drain) structure is studied with variation of the region of channel and LDD. The channel in LDMOSFET encloses a junction-type source and is believed to be an important parameter for determining the circuit operation of CMOS inverter. Two-dimensional TCAD MEDICI simulation is used to study hot-carrier effect, on-resistance Ron, breakdown voltage, and transient switching characteristic. The voltage-transfer characteristics and on-off switching properties are studied as a function of the channel length and doping levels. The digital logic levels of the output and input voltages are analyzed from the transfer curves and circuit operation. Study indicates that drain current significantly depends on the channel length rather than the LDD region, while the switching transient time is almost independent of the channel length. The high and low logic levels of the input voltage showed a strong dependency on the channel length, while the lateral substrate resistance from a latch-up path in the CMOS inverter was comparable to that of a typical CMOS inverter with a guard ring.

• 전기학회논문지
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• 제57권2호
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• pp.214-220
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• 2008

Most of converter system could obtain almost unity power factor and make input current sinusoidal waveform, but they have many problems, such as electromagnetic interference and switching losses caused by switching noise in main switch. To solve these problems in hard switching PFC converter, soft switching converter using a resonant between capacitor and inductor is invented In this paper, advantages and disadvantages of conventional ZVT(Zero-Voltage-Transition) soft switching converter using a auxiliary resonant circuit is discussed. Then Improved ZVT soft switching converter proposed. This improved ZVT converter's operation principal, specific property, design scheme of main are described. From Simulation and experiment results of conventional ZVT soft switching and improved ZVT soft switching converter with active snubber, characteristics of the converter are confirmed.

• 대한전자공학회논문지
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• 제15권5호
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• pp.13-18
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• 1978

본 논문에서는 PLL의 pull-in 특성을 개선하기 위하여 delay switching PL난을 제시하였다. phase detector와 low grass filter사이에 간단한 RC delay회로를 삽입하고, 90° shift 시킨 Phase detector출력에 의하여 delay time을 switching하였다. 그 결과 pull-in range는 lock range의 1/2이상으로 넓힐 수 있었으며 pull-in time도 개선되었다. 이 개선된 Pull-in특성은 근사적으로 해석되었으며 실험으로 확인되었다.

• 한국의류학회지
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• 제25권8호
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• pp.1512-1523
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• 2001

The purposes of this study were to examine the effect of switching barrier perception on store loyalty in apparel product purchasing to classify the factors of switching barrier perception, and additionally ot identify differences of store loyalty and switching barrier perception according to demographic characteristics. The questionnaire was administered to 300 women shopped in a department store in Gwang-ju city during February 10-23, 2001. Data collected from 261 women were analyzed by using frequency, factor analysis, ANOVA, Duncan-test, regression analysis by SPSS for windows PC program. The results were as follows; 1. The consumer’s perceived switching barrier was composed of three factors; economic psychological, time factor. 2. There was significant difference in store loyalty according to consumer’s age, occupation, education level. and income. 3. There was significant differences in economic. time switching barrier perception according to consumers’age, occupation education level, and income. There was significant difference in psychological switching barrier perception according to consumers’ occupation education level, and income. 4. The swiching barrier perception significantly infulenced on the store loyalty.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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• pp.5-6
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• 2000

Fringe-field switching (FFS) technology exhibiting a high image quality has been developed. In this paper, one pixel concept, manufacturing process, materials, and electro-optic characteristics of FFS mode comparing with conventional in-plane switching mode, and its possible application to reflective type will be discussed.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제30권4호
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• pp.32-43
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• 2023

저항 변화 메모리 소자(RRAM)는 저항 변화 특성을 기반으로 빠른 동작 속도, 간단한 소자 구조 및 고집적 구조의 구현을 통해 많은 양의 데이터를 효율적으로 처리할 수 있는 차세대 메모리 소자로 주목받고 있다. RRAM의 작동원리 중 하나로 알려진 interface type의 저항 변화 특성은 forming process를 수반하지 않고 소자 크기를 조절하여 낮은 전류에서 구동이 가능하다는 장점을 갖는다. 그 중에서도 전이 금속 산화물 기반 RRAM 소자의 경우, 정확한 물질의 조성 조절 방법과 소자의 신뢰성 및 안정성과 같은 메모리 특성을 향상시키기 위해 다양한 연구가 진행 중에 있다. 본 논문에서는 이종 원소의 도핑, 다층 박막의 형성, 화학적 조성 조절 및 표면 처리 등의 방법을 이용하여 interface type 저항 변화 특성의 저하를 방지하고 소자 특성을 향상시키기 위한 다양한 방법을 소개하고자 한다. 이를 통해 향상된 저항 변화 특성을 기반으로 한 고효율 차세대 비휘발성 메모리 소자의 구현 가능성을 제시한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권8호
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• pp.59-65
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• 2004

본 논문에서는 IT(In-plane switching foisted nematic) 모드를 기반으로 광 투과 특성을 개선시킨 Pseudo-TN IPS(Pseudo-Twisted Nematic In-Plane Switching) 모드를 새롭게 제안하고 그 광 투과 특성을 분석하였다. PTN-IPS 모드의 경우 개구율을 향상시켜 투과율 면적을 향상시킴으로써 종래의 IT 모드보다 약 25%정도의 높은 광 투과 특성을 나타내었으며, 전압인가에 따른 광 투과율의 변화가 선형적이므로, 광 투과율 조절을 위한 액정의 제어가 IT 모드에 비해 용이함을 확인하였다. 또한, IT 모드에 비해 수평방향 대비비는 약 8%정도 특성이 열화 되었으나 수직 방향에 있어서는 약 20%이상의 특성개선을 확인 할 수 있었다. 이와 더불어, 기존 IT 모드가 가지고 있는 샐 갭에 대한 특성 및 장점을 가지고 있어, 차세대 액정 셀을 개발하는데 유용하게 사용될 것이라 생각된다.

• 전기전자학회논문지
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• 제25권4호
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• pp.741-749
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• 2021

본 논문에서 제안한 전류형 LLC AC to DC 고주파 공진 컨버터는 스위치 양단에 병렬로 공진 커패시터(C₁, C₂)를 연결함으로써 ZVS(Zero Voltage Switching)동작 뿐만 아니라 2차측 Diode의 ZCS(Zero Current Switching) 동작이 가능하므로 스위칭 소자의 턴-온 및 2차측 다이오드의 턴-오프 손실을 저감시킬 수 있다. 본 논문에서 제안한 LLC AC to DC 고주파 공진 컨버터의 회로 해석은 무차원화 제어 파라메타를 도입하여 범용성 있게 기술하였다. 또한 제안한 LLC AC to DC 고주파 공진 컨버터의 운전 특성은 무파원화 제어 주파수(μ), 무차원화 저항(λ) 등의 무차원화 제어 파라메타를 이용하여 특성 평가를 수행하였다. 특성 평가를 통한 특성값을 기초한 LLC AC to DC 고주파 공진 컨버터 설계 기법의 일예를 제시하였으며, 실험 및 PSIM 시뮬레이션을 통해 이론 해석의 정당성을 입증하였다.