Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.40
no.11
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pp.83-94
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2003
In this paper. a highly linear and low glitch CMOS current mode digital-to-analog converter (DAC) by self calibration bias circuit is proposed. The architecture of the DAC is based on a current steering 6+4 segmented type and new switching scheme for the current cell matrix, which reduced non-linearity error and graded error. In order to achieve a high performance DAC . novel current cell with a low spurious deglitching circuit and a new inverse thermometer decoder are proposed. The prototype DAC was implemented in a 0.35${\mu}{\textrm}{m}$ n-well CMOS technology. Experimental result show that SFDR is 60 ㏈ when sampling frequency is 32MHz and DAC output frequency is 7.92MHz. The DAC dissipates 46 mW at a 3.3 Volt single power supply and occupies a chip area of 1350${\mu}{\textrm}{m}$${\times}$750${\mu}{\textrm}{m}$.
Background: Migraine headaches are the second leading cause of disability worldwide and are responsible for significant morbidity, reduction in the quality of life, and loss of productivity on a global scale. The purpose of this systematic review and meta-analysis was to evaluate the efficacy of ketamine on migraines and other primary headache disorders compared to placebo and other active interventions, such as midazolam, metoclopramide/diphenhydramine, and prochlorperazine/diphenhydramine. Methods: An electronic search of databases published up to February 2021, including Medline via PubMed, EMBASE, Web of Science, and Cochrane Library, a hand search of the bibliographies of the included studies, as well as literature and systematic reviews found through the search was conducted to identify randomized controlled trials (RCTs) investigating ketamine in the treatment of migraine/headache disorders compared to the placebo. The authors assessed the risk of bias according to the Cochrane Handbook guidelines. Results: The initial search strategy yielded 398 unduplicated references, which were independently assessed by three review authors. After evaluation, this number was reduced to five RCTs (two unclear risk of bias and three high risk of bias). The total number of patients in all the studies was 193. Due to the high risk of bias, small sample size, heterogeneity of the outcomes reported, and heterogeneity of the comparison groups, the quality of the evidence was very low. One RCT reported that intranasal ketamine was superior to intranasal midazolam in improving the aura attack severity, but not duration, while another reported that intranasal ketamine was not superior to metoclopramide and diphenhydramine in reducing the headache severity. In one trial, subcutaneous ketamine was superior to saline in migraine severity reduction; however, intravenous (I.V.) ketamine was inferior to I.V. prochlorperazine and diphenhydramine in another study. Conclusion: Further double-blind controlled studies are needed to assess the efficacy of ketamine in treating acute and chronic refractory migraines and other primary headaches using intranasal and subcutaneous routes. These studies should include a long-term follow-up and different ketamine dosages in diagnosed patients following international standards for diagnosing headache/migraine.
This paper proposes a leakage-suppressed SRAM with dynamic power saying scheme for the future leakage-dominant sub-70-nm technology. By dynamically controlling the common source-line voltage ($V_{SL}$) of sleep cells, the sub-threshold leakage through these sleep cells can be reduced to be 1/10-1/100 due to the reverse body-bias effect, dram-induced barrier lowering (DIBL) and negative $V_{GS}$ effects. Moreover, the bit-ling leakage which mar introduce a fault during the read operation can be completely eliminated in this new SRAM. The dynamic $V_{SL}$ control can also reduce the bit-line swing during the write so that the dynamic power in write can be reduced. This new SRAM was fabricated in 0.35-${\mu}m$ CMOS process and more than $30\%$ of dynamic power saying is experimentally verified in the measurement. The leakage suppression scheme is expected to be able to reduce more than $90\%$ of total SRAM power in the future leakage-dominant 70-nm process.
A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) binary image sensor is proposed for low-power and low-noise operation. The proposed binary image sensor has the advantages of reduced power consumption and fixed pattern noise (FPN). A gate/body-tied (GBT) p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (PMOSFET)-type photodetector is used as the proposed CMOS binary image sensor. The GBT PMOSFET-type photodetector has a floating gate that amplifies the photocurrent generated by incident light. Therefore, the sensitivity of the GBT PMOSFET-type photodetector is higher than that of other photodetectors. The proposed CMOS binary image sensor consists of a pixel array with $394(H){\times}250(V)$ pixels, scanners, bias circuits, and column parallel readout circuits for binary image processing. The proposed CMOS binary image sensor was analyzed by simulation. Using the dynamic comparator, a power consumption reduction of approximately 99.7% was achieved, and this performance was verified by the simulation by comparing the results with those of a two-stage comparator. Also, it was confirmed using simulation that the FPN of the proposed CMOS binary image sensor was successfully reduced by use of the double sampling process.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.13
no.4
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pp.188-191
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2012
This paper introduces a new method regarding deuterium incorporation in the gate dielectric including deuterium implantation and post-annealing at the back-end-of-the process line. The control device and the deuterium furnace-annealed device were also prepared for comparison with the implanted device. It was observed that deuterium implantation at a light dose of $1{\times}10^{12}-1{\times}10^{14}/cm^2$ at 30 keV reduced hot-carrier injection (HCI) degradation and negative bias temperature instability (NBTI) within our device structure due to the reduction in oxide charge and interface trap. Deuterium implantation provides a possible solution to enhance the bulk and interface reliabilities of the gate oxide under the electrical stress.
International Journal of Control, Automation, and Systems
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v.6
no.5
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pp.767-775
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2008
Methods used for exploring marine resources and spaces include positioning a probe under water and then recalling it after a specified time. Hydro-acoustic Releasers are commonly used for positioning and retrieving of such exploration equipment. The most important factor in this kind of system is the reliability for recalling the instruments. The frequently used ultrasonic signal detection method can detect ultrasonic signals using a fixed comparator, but because of increased rates of errors due to outside interferences, information is repetitively acquired. This study presents an effective ultrasonic signal detection algorithm using the characteristics of a resonance and adaptive comparator Combined with the FSK+ASK modulator. As a result, approximately 8.8% of ultrasonic wave communication errors caused by background noise and transmission losses were reduced for effectively detecting ultrasonic waves. Furthermore, the resonance circuit's quality factor was enhanced (Q = 120 to 160). As such, the bias voltage of the transistor (Vb= 3.3 to 6.8V) was increased thereby enhancing the frequency's selectivity.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics B
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v.29B
no.2
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pp.18-26
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1992
MR(Model Reduction) is presented in order to estimate the frequency of multiple sinusoids from the finite noisy data with the white or colored noises. MR, using the reduced rank models, is designed, appling the approximation of linear system to LP(Linear Prediction). The MR method is analyzed. Monte-carlo simulations are conducted for MR and Lp. The results are compared with in terms of mean, root-mean square and relative bias. MR eliminates effectevely the extremeous and exceptional poles appearing in LP and improves the accuracy of LP. Especially, MR gives promising results in short noisy measurements, low SNR's and colored noises. Power spectral density and angular frequency position are showed by figures, for examples. Finally, the new method is utilized to the communication and biomedical systems estimating the characteristics of the signal and the system identification modelling the dynamic systems from experimental data.
Communications for Statistical Applications and Methods
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v.10
no.2
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pp.595-601
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2003
In this paper we propose an on line training method for classification based on least squares support vector machine. Proposed method enables the computation cost to be reduced and the training to be peformed incrementally, With the incremental formulation of an inverse matrix in optimization problem, current information and new input data can be used for building the new inverse matrix for the estimation of the optimal bias and Lagrange multipliers, so the large scale matrix inversion operation can be avoided. Numerical examples are included which indicate the performance of proposed algorithm.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.24
no.2
s.173
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pp.311-318
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2000
Several factors which influence baseline instability (BLI) phenomenon in MR drive were investigated experimentally. In particular, the role of surface topography on BLI was studied in detail. The r esults show that BLI is linearly proportional to the surface waviness with a spatial wavelength of 0.4 to 5.0 min. BLI becomes worse as the surface waviness increases. On the other hand, surface roughness which has a spatial wavelength below 25 $\mu$ m has no effect on BLI. The results further show that the effect of bias current on the BLI is amplified on the disk with worse surface waviness. The disk surface waviness is dependent on the manufacturing process and becomes an inherent surface property of media. The disk surface waviness. therefore, can not be overlooked when evaluating the media for a high-performance hard disk drive. In general, waviness is reduced mainly during grinding and polishing process during manufacturing.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.21
no.6
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pp.503-508
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2008
In order to reduce the piezoelectric field originated from the well layer which resides in InGaN/GaN light emitting diode, InGaN/GaN superlattice buffer layers were grown at the bottom and the top of the active layer. Measuring the photoluminescence spectra with different reverse bias voltages clearly revealed the condition of the flat band under which the transition energy is maximized and the linewidth is minimized. Accordingly, the piezoelectric field of $In_{0.15}Ga_{0.85}N$ in our sample was estimated as -1.08 MV/cm. It is less than half the value reported in the previous studies, and it is evidenced that the strain has reduced due to the superlattice buffer layers.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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