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PECVD의 주파수 조건에 따른 $SiN_x$막 증착 (The Silicon Nitride Films according to The Frequency Conditions of Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)

  • 최정호;노시철;정종대;서화일
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제13권4호
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    • pp.21-25
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    • 2014
  • The silicon nitride ($SiN_x$) film for surface passivation and anti-reflection coating of crystalline silicon solar cell is very important and it is generally deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). PECVD can be divided into low and high frequency method. In this paper, the $SiN_x$ film deposited by low and high frequency PECVD method was studied. First, to optimize the $SiN_x$ film deposited by low frequency PECVD method, the refractive index was measured by varying the process conditions like $SiH_4$, $NH_3$, $N_2$ gas rate, and RF power. When $SiH_4$ gas rate was increased and $NH_3$ gas rate was decreased, the refractive index was increased. The refractive index was also increased with RF power decline. Second, to compare the characteristics of the low and high frequency PECVD $SiN_x$ film, the refractive index was measured by varying $NH_3/SiH_4$ gas ratio and RF power and the minority carrier lifetime of before and after high temperature treatment process was also measured. The refractive index of both low and high frequency PECVD $SiN_x$ film was decreased with increase in $NH_3/SiH_4$ gas ratio and RF power. After high temperature treatment process, the minority carrier lifetime of both low and high frequency PECVD $SiN_x$ film was increased and increased degree was similar. The minority carrier lifetime of low frequency PECVD $SiN_x$ was increased from $11.03{\mu}m$ to $28.24{\mu}m$ and that of high frequency PECVD $SiN_x$ was increased from $11.60{\mu}m$ to $27.10{\mu}m$.

코퍼스를 이용한 상하위어 추출 연구 (A Study of the Automatic Extraction of Hypernyms arid Hyponyms from the Corpus)

  • 방찬성;이해윤
    • 인지과학
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    • 제19권2호
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    • pp.143-161
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    • 2008
  • 본 논문에서는 코퍼스를 이용하여 어휘들의 상하위 관계 패턴들을 추출하는 방법을 제안한다. 기존 연구들에서는 어순 교체가 자유로운 한국어의 특성으로 인해 주로 사전의 정의문을 이용하여 어휘들의 의미관계 패턴들을 추출하는 방법을 취하고 있으나, 본 논문에서는 코퍼스를 이용하여 보다 다양한 의미관계 패턴들을 추출하여 제시하고자 한다. 이를 위해 먼저 기존의 사전들을 이용해 상하위어 쌍들의 목록을 선정하였다. 다음 이 목록의 어휘 쌍들을 포함하는 문장들을 코퍼스에서 추출한 이후, 이로부터 다시 체계적으로 패턴화 할 수 있는 문장들을 추출하여 21 가지 상하위 관계 패턴들로 일반화하였다. 21가지 패턴들을 정규식으로 표현한 뒤 각각 동일한 패턴들을 가진 문장들을 코퍼스에서 다시 추출한 결과 57%의 정확률이 측정되었다.

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비용 요소에 근거한 신뢰도 최적화 및 On-Line SIS 지원 도구 연구 (Advanced Optimization of Reliability Based on Cost Factor and Deploying On-Line Safety Instrumented System Supporting Tool)

  • 아디스;박명남;김현승;신동일
    • 한국가스학회지
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    • 제21권2호
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    • pp.32-40
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    • 2017
  • SIS는 공정안전시스템 분야에서 폭넓게 활용될 수 있는 계장안전시스템이다. SIS는 유해화학물질 누출 사고로부터 인간, 물질적 자산 그리고 환경에 미치는 피해를 줄이기 위해 필수적이다. 현재 전기, 전자 그리고 프로그래밍 가능한 전자 (E / E/ PE) 장치가 기계, 공압 및 유압 시스템과 상호 작용하는 통합 안전 시스템은 IEC 61508과 같은 국제 안전 표준을 따르도록 되어있다. IEC 61508은 안전 수명주기의 모든 사항을 규정한다. SIS 지원 도구 없이 안전 수명주기에 따라 IEC 61508의 요구 사항을 충족시키는 것은 복잡한 일이다. 본 연구에서는, 사용자가 보다 쉽게 안전 수명주기의 설계 단계를 구현할 수 있도록 도움을 줄 수 있는 On-Line SIS 지원 도구를 제시하였다. On-Line SIS 지원 도구는 데이터 읽기 및 수정 시스템과 통합될 수 있는 안드로이드 응용 프로그램의 형태로 되어있다. 이 도구는 안전 수명주기의 설계 단계에서 소요되는 계산 시간을 줄이고 계산 과정에서 발생할 수 있는 오류를 줄인다. 또한 On-Line SIS 지원 도구는 비용 요소에 근거한 최적화 접근법을 제시할 수 있으며, multi-objective GA를 사용하여 최적의 솔루션 조합을 찾을 수 있도록 하였다.

재밍 채널에서 효과적 채널 추정과 PAPR 저감을 위한 주파수 도약 DFT-Spreading OFDM 시스템 (FH DFT-Spreading OFDM System for the Effective Channel Estimation and PAPR Reduction in Jamming Channel)

  • 김장수;유흥균;이승준;고동국
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제21권7호
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    • pp.796-804
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    • 2010
  • 연속적인 채널 추정과 효율적인 처리를 위하여 comb type 파일럿 배치 방법을 사용하는 것이 중요하다. 그리고 OFDM의 높은 PAPR(Peak to Average Power Ratio)을 해결하기 위해 DFT-spreading OFDM 기법이 많이 사용된다. 그러나 파일럿 형태가 comb type이면 PAPR이 다시 증가하기 때문에, 본 논문에서는 PAPR을 다시 낮추기 위하여 comb type 파일럿을 사용하는 DFT-spreading OFDM 시스템에 SLM(Selective Mapping) 기법을 적용하였다. 그리고 SLM 사용에 따른 효과적인 부가 정보를 전송하기 위한 방법을 제시한다. 또한, SLM을 사용한 DFT-spreading OFDM 시스템은 파일럿과 부가 정보의 보존이 매우 중요하기 때문에 의도적인 재밍이나 의도적인 간섭에 반드시 보존되어야 한다. 본 논문에서는 SLM 기반의 DFT-spreading OFDM의 재밍 신호에 대한 성능을 분석하였다. 재밍 신호나 의도적인 간섭에 취약한 DFT-spreading OFDM 방식의 단점을 보안하기 위해 주파수 도약방식을 사용하였고, MTJ(Multi Tone Jamming), PBJ(Partial Band Jamming)의 여러 조건의 재밍 환경을 고려하여 성능을 비교 분석하였다.

행정기관의 기록관리시스템 개선모델 분석 -2006년 기록관리시스템 혁신을 중심으로- (Analysis of Reform Model to Records Management System in Public Institution -from Reform to Records Management System in 2006-)

  • 곽정
    • 기록학연구
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    • 제14호
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    • pp.153-190
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    • 2006
  • 외부적으로 정책결정과정의 투명성을 위한 업무관리시스템이 도입되고 업무혁신을 위한 범정부 기능분류체계가 수립되어 행정기관의 업무환경이 변화하고 있다. 동시에 자료관시스템이 본격적으로 가동됨에 따라 미비한 기능에 대한 불만이 가중되고, 전자기록의 진본성 유지에 대한 문제가 제기되고 있다. 이러한 배경하에서 기록관리 혁신의 일환으로 '05년 9월부터 5개월간 국가기록원에서는 '기록관리시스템 혁신 정보화전략계획수립(ISP)' 용역사업을 수행하였다. 이 용역사업에서는 기존의 기록관리프로세스를 전자기록관리체계에 걸맞게 재설계하였고, 국제표준에 부합하는 시스템 모델을 제시하였다. 기록물관리법 제정이후, 행정기관의 기록관리는 종이기록을 전자적으로 관리하는 개념에서 추진되었다. 그러나 이번에 수립된 개선모델에서는 종이기록을 대체해 가고 있는 전자기록에 주목하고 전자기록의 속성을 고려한 관리방안을 모색하고 있다. 이것은 행정기관의 업무가 전산시스템을 통하여 수행되는 것이 보편화되어 감에 따라, 기록관리영역에서도 본격적으로 전자기록관리 문제가 이슈화되고 있다는 의미이다. 본 논문에서는 전자기록관리와 관련된 개선모델의 주요내용을 분석하고 그 의미와 한계를 살펴봄으로써, 전자기록관리시스템의 향후 방향을 이해하는데 목적이 있다. 개선모델 분석에 앞서, 변화된 행정환경과 그에 따른 기록관리상의 제문제를 검토하였다. 업무관리시스템과 정부의 기능분류체계는 업무측면에서 범정부의 실적을 온라인으로 관리하고 정부기능에 따라 체계적으로 분류하여 관리할 수 있는 공통기반을 마련했다는 점에서 혁신적이나, 기록관리측면에서는 기록관리대상의 재정의와 획득방법의 부재, 기록물분류기준표와의 이원화, 그리고 자료관시스템의 전자기록관리의 한계 등 많은 문제점을 발생시키고 있음을 확인하였다. 위와 같은 문제의 해결을 위하여, 기록관리시스템 개선모델에서는 확대된 기록관리대상을 포괄할 수 있는 범용적인 전자기록철의 구조를 설계하고, 업무분류에 기반한 기록분류체계를 도입하며, 전자기록관리를 강화하기 위한 기능을 추가해야 한다고 제안하고 있다. 이 모델은 다양한 생산시스템의 기록관리 대상에 대한 근본적인 관리방법을 모색하고 있고, 기록분류체계 및 보존기간 운영방식에 있어 기관별 기록관의 역할을 획기적으로 개선하고 있으며, 전자기록의 진본성 유지를 위한 시스템의 주요 기능이 구체적으로 설계되어 제시되고 있다는 점에서 국제표준과 선진사례의 추세와 부합하는 전자기록관리시스템의 기반을 마련하였다고 분석되었다. 그러나 이러한 혁신성에도 불구하고 본격적인 전자기록 시대의 기록관리시스템으로서는 걸음마 단계이다. 앞으로 행정정보시스템 등 상이한 기록구조의 획득방안, 기록분류체계의 질적수준의 확보, 기 개발된 보존기술의 검증 등이 보다 더 심도 있게 연구되고 실행될 때, 선진적인 전자기록관리시스템으로서의 전망을 가질 수 있을 것이다.

InGaZnO active layer 두께에 따른 thin-film transistor 전기적인 영향

  • 우창호;김영이;안철현;김동찬;공보현;배영숙;서동규;조형균
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.5-5
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    • 2009
  • Thin-film-transistors (TFTs) that can be prepared at low temperatures have attracted much attention because of the great potential for transparent and flexible electronics. One of the mainstreams in this field is the use of organic semiconductors such as pentacene. But device performance of the organic TFTs is still limited due to low field-effect mobility and rapid degradation after exposing to air. Alternative approach is the use of amorphous oxide semiconductors as a channel. Amorphous oxide semiconductors (AOSs) based TFTs showed the fast technological development, because AOS films can be fabricated at room temperature and exhibit the possibility in application like flexible display, electronic paper, and larges solar cells. Among the various AOSs, a-IGZO has lots of advantages because it has high channel mobility, uniform surface roughness and good transparency. [1] The high mobility is attributed to the overlap of spherical s-orbital of the heavy post-transition metal cations. This study demonstrated the effect of the variation in channel thickness from 30nm to 200nm on the TFT device performance. When the thickness was increased, turn-on voltage and subthreshold swing was decreased. The a-IGZO channels and source/drain metals were deposited with shadow mask. The a-IGZO channel layer was deposited on $SiO_2$/p-Si substrates by RF magnetron sputtering, where RF power is 150W. And working pressure is 3m Torr, at $O_2/Ar$ (2/28 sccm) atmosphere. The electrodes were formed with electron-beam evaporated Ti (30 nm) and Au (70 nm) bilayer. Finally, Al (150nm) as a gate metal was thermal-evaporated. TFT devices were heat-treated in a furnace at 250 $^{\circ}C$ and nitrogen atmosphere for 1hour. The electrical properties of the TFTs were measured using a probe-station. The TFT with channel thickness of 150nm exhibits a good subthreshold swing (SS) of 0.72 V/decade and on-off ratio of $1{\times}10^8$. The field effect mobility and threshold voltage were evaluated as 7.2 and 8 V, respectively.

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임베디드 시스템에 적합한 듀얼 모드 의사 난수 생성 확장 모듈의 설계 (Dual-mode Pseudorandom Number Generator Extension for Embedded System)

  • 이석한;허원;이용석
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제46권8호
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    • pp.95-101
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    • 2009
  • 난수 생성 함수는 소프트웨어를 사용한 시뮬레이션 테스트나 통신 프로토콜 검증 등 수많은 어플리케이션에 사용되어진다. 이런 상황에서 난수의 randomness는 사용 어플리케이션에 따라서 다르게 필요할 수 있다. 반드시 randomness가 보장된 랜덤 함수를 통한 고품질의 난수를 생성해야 할 때가 있고, 단지 난수와 비슷한 형태를 가진, randomness가 보장되지 않은 난수가 필요할 때도 있다. 본 논문에서는 고속으로 동작하는 임베디드 시스템을 위한 듀얼 모드로 동작하는 하드웨어 난수 생성기를 제안하였다. 모드 1 에서는 높은 randomness를 가지는 난수를 6사이클마다 한 번씩 생성하게 되며, 모드 2 에서는 낮은 randomness를 가지는 난수를 매 사이클마다 생성할 수 있다. 테스트를 위해, ASIP(Application Specific Instruction set Processor)를 설계하였으며, 각 모드에 맞는 명령어 세트를 설계하였다. ASIP은 LISA언어를 사용하여, 5 stage MIPS architecture를 기반으로 설계되었고, CoWare 사의 Processor Generator를 통해서 HDL코드를 생성하였으며, HDL 모델은 동부 0.18um 공정으로 Synopsys사의 Design Compiler를 통해서 합성되었다. 설계되어진 ASIP으로 난수를 생성한 결과, 하드웨어 모듈을 추가하기 전에 비해 2.0%의 면적 증가 및 239%의 성능 향상을 보였다.

디지털 혁신시대의 정부역할: 한국의 전자 인증정책 사례 (The government role in digital era innovation: the case of electronic authentication policy in Korea)

  • 손원배;박문수
    • 통상정보연구
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    • 제19권4호
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    • pp.29-50
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    • 2017
  • 신기술의 혁신과정은 매우 역동적이어서 정부는 빠른 기술발전, 대중의 필요 및 변화하는 글로벌 트렌드에 맞춰 주기적인 정책 검토를 할 필요가 있다. 1990년대 인터넷은 폭발적인 성장을 하였지만 다양한 응용프로그램들의 활용이 보안 문제로 인해 제한되었고, 공개 키 기반구조 (PKI)는 이러한 문제들을 해결할 수 있는 근본적인 기술로 인식되었다. 2017년 현재에도 PKI는 개방형 네트워크에서의 전자인증에 있어 최고 기술의 하나이지만 그 사용처는 폐쇄 네트워크 내에서의 사용자 확인 및 SSL/TLS와 같은 네트워크 보안 인프라 내에서의 서버 인증과 같이 한정된 부문에 한한다. PKI에 대한 기대와 현실의 차이는 2000년대 초반 인터넷 거버넌스 하에서의 새로운 인증정책의 글로벌한 도입과 함께한 인터넷의 진화에 기인한다. 새로운 인터넷 거버넌스는 다수 이해관계자간의 협력에 기반하고, 이는 기술정책과 관련한 정부의 행동방식에 변화를 가져왔다. 이 연구는 미국과 한국의 PKI 정책을 경로의존성 이론 (Path Dependence Theory)의 관점에서 분석한다. 두 국가의 다른 정책 결과는 인터넷 거버넌스의 부상을 증명하고, 또한 현재의 글로벌 인터넷 사회의 정책결정자들에게 중요한 함의를 줄 수 있을 것이다.

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모바일 환경에서의 산사태 재해 저감을 위한 사면 정보 검색 및 실시간 경고 시스템 개발 (Development of Slope Information Retrieval and Real-time Warnings System for a Landslide Disaster Reduction from Mobile Environments)

  • 김성호;지영환;이승호
    • 한국콘텐츠학회논문지
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    • 제10권2호
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    • pp.81-88
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    • 2010
  • 본 논문은 낙석 및 산사태로 인한 재해 저감을 위하여 모바일 환경에서 사면 정보를 현장에서 원격 검색하고, 사용자의 위치를 기준으로 주변의 인접한 사면들에 대한 안정성 상태를 실시간으로 경고해줄 수 있는 차세대 사면 정보 원격 검색 및 경고 시스템 개발에 관한 것이다. 사용자에게 제공하는 사면 정보는 다양한 멀티미디어형 정보를 활용하여 심도 깊은 정보를 현장에서 직접 확인할 수 있도록 함으로서 고급화된 서비스가 되도록 하였다. 사용자가 현장의 사면들을 쉽고 명확하게 확인할 수 있도록 하기 위해서는 고해상도의 전자 지도(항공사진)를 사용하였으며, 원격지에서 유무선 인터넷으로 사면 정보를 검색하고 확인하기 위해서는 휴대가 간편한 모바일 PC를 사용하였다. 또한 현장에서 사용자의 위치를 전자 지도에서 실시간으로 확인할 수 있도록 하기 위하여 모바일 PC에 GPS 수신기를 부착하였다. 특히 사용자의 위치를 중심으로 일정 영역 내의 대표적인 사면들의 안전성을 '안전 지역', '붕괴 예상 지역', '붕괴 지역'등으로 구분하고, 전자 지도에 서로 다른 색상의 아이콘으로 동시에 표시해주었다. 그런 연유로 본 시스템은 사용자가 이동 중에도 주변 사면들에 대한 안전성 상태를 전자 지도를 통하여 실시간으로 한 눈에 파악할 수 있다는 장점이 있다. 또한 특정 사면에 붕괴가 발생할 경우 실시간으로 경고 메시지를 통하여 사용자에게 알려줌으로서 산사태로 인한 재해를 저감할 수 있는 매우 큰 장점도 가지고 있다.

광전음극 소자용 GaAs/AlGaAs 구조의 LPE 성장 (Growth of GaAs/AlGaAs structure for photoelectric cathode)

  • 배숭근;전인준;김경화
    • 한국결정성장학회지
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    • 제27권6호
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    • pp.282-288
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    • 2017
  • 본 논문에서는 광전 음극 이미지 센서로 사용될 수 있는 광소자용 재료로 III-V 족 화합물 반도체인 GaAs/AlGaAs 다층 구조를 LPE(Liquid Phase Epitaxy) 방법에 의해 성장하였다. n형 GaAs 기판 위에 수십 nm의 GaAs 완충층을 형성 한 후 Zn가 도핑된 p-AlGaAs 에칭 정지 층(etching stop layer)과 Zn가 도핑된 p-GaAs 층 그리고 Zn가 도핑된 p-AlGaAs 층을 성장하였다. 성장된 시료의 특성을 조사하기 위하여 주사전자현미경(SEM)과 이차이온질량분석기(SIMS) 그리고 홀(Hall) 측정 장치 등을 이용하여 GaAs/AlGaAs 다층 구조를 분석하였다. 그 결과 $1.25mm{\times}25mm$의 성장 기판에서 거울면(mirror surface)을 가지는 p-AlGaAs/p-GaAs/p-AlGaAs 다층 구조를 확인할 수 있었으며, Al 조성은 80 %로 측정 되었다. 또한 p-GaAs층의 캐리어 농도는 $8{\times}10^{18}/cm^2$ 범위까지 조절할 수 있음을 확인하였다. 이 결과로부터 LPE 방법에 의해 성장된 p-AlGaAs/p-GaAs/AlGaAs 다층 구조는 광전 음극 이미지 센서의 소자로서 이용될 수 있을 것으로 기대한다.