본 논문은 1mm 이하의 극소형 패키지 개발을 위한 금형 기술을 소개한다. 또한 이 금형 기술을 사용하여 산출된 결과들의 오류 패턴을 분석한다. 기존의 극소형 금형 구조는 일체형이었는데 EDM의 표면이 거칠어 오류율을 증가시키는 원인이 되었다. 이 원인으로 인해 금형의 크기를 더 줄이는데 방해요소로 작용하였다. 이에 반해 제안하는 금형기술은 기존의 일체형 방식에서 벋어나 조립식 방법을 사용하여 일체식의 한계를 극복하고자 한다. 또한 새로 제안된 금형 구조를 이용해 산출한 결과에 결함 패턴을 분류하고, 각 패턴의 발생 확률을 분석하여 검출기를 개발하려는 기초 자료로 사용하려 한다.
We apply for the first time a low cost and loss wafer level packaging technology for RF-MEMS device. The proposed structure was simulated by finite element method (FEM) tool (HFSS of Ansoft). S-parameter measured of the package shows the return loss (S11) of 20dB and the insertion loss (S21) of 0.05dB.
MEMS 소자의 패키지는 일반적으로 패키징 과정에서 큰 온도변화를 받게 되는데, 이에 의한 패키지의 변형은 패키지 및 소자의 신뢰성에 큰 영향을 미칠 수 있다. 본 논문에서는 진동형 MEMS 자이로스코프 센서의 패키지를 대상으로 하여, 온도변화로 인한 열변형 거동에 대한 광학실험과 해석을 수행하였다. 이를 위하여 실시간 모아레 간섭계를 이용하여 각 온도단계에서 변위분포를 나타내는 간섭무늬를 얻고, 그로부터 MEMS 패키지의 굽힘변형 거동 및 인장변형에 대한 해석을 수행하였다. MEMS 칩과 EMC 및 PCB의 열팽창계수 차이로 인하여 패키지는 $125^{\circ}C$ 이하에서는 전체적으로 아래로 볼록한 굽힘변형이 발생하였으며, 온도 $140^{\circ}C$를 정점으로 그 이상의 온도에서는 반대의 굽힘변형이 발생하였다. MEMS의 주파수에 영향을 줄 수 있는 칩 자체의 수축변형률은 약 $481{\times}10^{-6}$로 측정되어서 MEMS 설계시 이를 고려하여야 함을 알 수 있다.
본 논문에서는 FEM(유한요소법)을 사용하여 PoP (Package on Package)용 PCB를 unit(유닛)과 substrate(서브스트레이트)로 분리한 warpage 해석과 warpage에 미치는 층별 두께의 영향도 분석과 층별 두께 조건을 다구찌법에 의한 SN비(Signal-to-Noise ratio)로 분석하였다. 해석 결과에 의하면 유닛 PCB는 회로층의 영향이 대단히 높았는데 특히 외층의 영향도가 높았다. 반면에 서브스트레이트 PCB는 회로층의 영향도가 높았으나 유닛 PCB에 비해 상대적으로 낮았으며 오히려 솔더 레지스트의 영향도가 증가하였다. 따라서 유닛 PCB와 서브스트레이트 PCB를 동시에 고려하여 PoP PCB의 층별 구조는 외부와 내부 회로층은 두껍게, 윗면 솔더 레지스트는 얇게 설계하고 바닥면 솔더 레지스트의 두께를 5 ㎛와 25 ㎛ 사이의 두께를 선정하는 바람직하다.
이 연구는 공간적/시간적 지역성의 효과론 이용하기 위하여 SRAM 버퍼를 사용하는 고성능 NAND-Type 플래쉬 메모리 패키지의 설계에 관한 것이다. 제안된 SRAM 버퍼를 내장한 새로운 NAND형 플래쉬 메모리 패키지 구조는 크게 세 부분으로 구성되어 있다. 즉, 작은 블록 크기의 완전 연관 희생 버퍼(victim buffer)와 큰 블록 크기를 지원하는 완전 연관 공간 버퍼(spatial buffer), 그리고 동적 페칭 유닛(dynamic fetching unit)으로 구성되어 있다. 제안하는 새로운 NAND 형 플래쉬 메모리 패키지는 기존의 NAND형 플래쉬 메모리 구조와 비교할 때 매우 뛰어난 성능 향상 및 저 전력 소비를 이끌어낼 수 있다. 시뮬레이션 결과에 따르면 제안된 NAND 플래쉬 메모리 패키지는 기존의 NAND 플래쉬 메모리와 비교하여 접근 실패율에서는 70%, 평균 메모리 접근 시간에서는 67%의 감소 효과를 보여준다. 더욱이 주어진 크기(e.g., 3KB)의 SRAM 버퍼를 이용한 제안된 패키지는 여덟 배 크기의 직접 사상 버퍼(e.g., 32KB)를 이용한 패키지 및 두 배 크기의 완전 연관 버퍼(e.g., 8KB)를 이용한 패키지보다도 평균 접근 실패율 및 평균 메모리 접근 시간에서 더욱 우수한 성능 향상을 이끌어낼 수 있다.
본 논문에서는 RF 비아 구조를 이용하여 2가지 종류의 K-대역 CMOS FMCW 레이더 칩용 고주파 패키지를 설계, 제작 및 평가하였다. 패키지는 범용 PCB와 LTCC 공정을 이용하여 각각 제작되었다. 24 GHz를 기준으로 설계가 진행되었으며, 3차원 전자기 시뮬레이션을 통해 와이어 본딩과 RF 비아 구조의 임피던스 변화를 확인하였다. 비아 구조는 임피던스 부정합에 의한 손실을 억제하기 위해 $50{\Omega}$의 특성 임피던스를 가지도록 하였다. PCB 기반 패키지와 LTCC 패키지의 설계 검증을 위해 각 패키지의 RF 경로를 back-to-back 연결하여 시험용으로 제작하였고, 측정 결과 24 GHz에서 0.4 dB 이하의 우수한 삽입 손실을 얻었으며, 20~29 GHz 주파수 영역에서 0.5 dB 이하의 삽입 손실을 보였다. 반사 손실의 경우, 전체 주파수 영역에서 PCB 기반 패키지는 -13 dB 이하, LTCC 패키지는 -15 dB 이하의 특성이 측정되었고, back-to-back 연결의 리플 특성이 일반적으로 5 dB 정도의 반사 손실 열화를 초래하므로 패키지 자체의 RF 경로는 약 5 dB 정도 개선될 것으로 예측되었다.
This paper presents an application study of a model predictive control based commercial package PCTP to real chemical processes. The first case study concerns a product purity control of a splitter process which distillates styrene from undesired component ethyl-benzene produced from ethyl-benzene dehydrogenation reaction. The second case study is about a temperature control of ethyl-benzene dehydrogenation reactor and an excess oxygen control of the fired heater. Optimum control structure for MPC application is developed for each case study. The application results show a significant improvement in control performance and stability.
In order to understand the thermal performance of each LED chips in multi-chip LED package, a quantitative parametric analysis of the temperature evolution was investigated by thermal transient analysis. TSP (Temperature Sensitive Parameter) value was measured and the junction temperature was predicted. Thermal resistance between the p-n junction and the ambient was obtained from the structure function with the junction temperature evolution during the cooling period of LED. The results showed that, the thermal resistance of the each LED chips in 4 chip-LED package was higher than that of single chip- LED package.
In this paper, we report a novel RF-MEMS packaging technology with lightweight, small size, and short electric path length. To achieve this goal, we used the ultra thin silicon substrate as a packaging substrate. The via holes lot vortical feed-through were fabricated on the thin silicon wafer by wet chemical processing. Then, via holes were filled and micro-bumps were fabricated by electroplating. The packaged RF device has a reflection loss under 22 〔㏈〕 and a insertion loss of -0.04∼-0.08 〔㏈〕. These measurements show that we could package the RF device without loss and interference by using the vertical feed-through. Specially, with the ultra thin silicon wafer we can realize of a device package that has low-cost, lightweight and small size. Also, we can extend a 3-D packaging structure by stacking assembled thin packages.
다크 아카이브를 통해 다양한 유형의 전자기록물을 장기적으로 보존하는 활동은 그 중요성이 점차 증대하고 있으나, 현재 다크 아카이브에서는 전자기록물 장기보존을 위한 최적화된 정보패키지 구조가 마련되어 있지 않다. 이에 본 연구에서는 다크 아카이브의 핵심적인 프로세스를 중심으로 OAIS 참조모델 정보패키지를 재구성하여 4개의 카테고리를 제안하였다. 각 카테고리의 세부 기술항목은 OAIS 참조모델, ISO 23081, 기록관리 메타데이터 표준, ISAD(G), ISAAR(CPF), ISDF, ISDIAH를 기반으로 총 4개의 상위요소와 27개의 하위요소로 구성하였다. 이는 다크 아카이빙에 최적화된 정보패키지 구성의 기반으로 활용될 수 있으며, 전자기록물의 장기 보존을 보다 효율적으로 지원할 수 있을 것으로 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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