• Journal of Applied Biological Chemistry
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• 제55권3호
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• pp.163-167
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• 2012

약주의 소비증대와 품질증진을 위해 오미자(Schisandra chinensis) 과실을 0-20% 농도 별로 약주에 첨가하여 발효를 통한 품질증진에 미치는 효과를 연구하였다. 당농도와 알코올 생성량은 오미자 첨가구와 무첨가구에서 유사한 경향을 나타났다. pH는 무첨가구가 4.17로 가장 높았고, 오미자 첨가비율이 증가함에 따라 최종 3.57-3.90로 낮아지는 경향을 보였다. 유기산은 citric acid가 무첨가구에서 9.22 mg/100 mL, 오미자 첨가구에서 161.38-634.96 mg/100 mL 검출되었다. 무첨가구에 비하여 오미자 첨가구에서 약 17.50-68.87배로 높은 비율로 함유되어 있으며, citric acid는 오미자 첨가구의 pH에 농도 의존적으로 영향을 주기 때문에 농도가 높은 오미자 첨가구의 pH가 가장 낮은 값을 가진 것과 연관이 있는 것을 확인하였다. 무첨가구의 색도는 명도 18.31, 적색도 -0.58 및 황색도 -0.38을 나타내었으며, 오미자 첨가구는 명도 13.55-15.14, 적색도 0.12-5.16 및 황색도 -0.78-0.02로 오미자 첨가로 인해 어두운 색조로 바뀌었으나 적색도가 증가하여 관능적인 요인을 향상시켰다.

• 한국생물공학회:학술대회논문집
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• 한국생물공학회 2000년도 추계학술발표대회 및 bio-venture fair
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• pp.435-438
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• 2000

토양으로부터 2종류 그리고 해양으로부터 1종류의 원유 분해 미생물을 분리하였고, 이들을 strain A132, strain F722 그리고 strain OM1으로 각각 명명하였다. 이들 미생물은 Acinetobacter sp., Pseudomonas aeruginosa, Acinetobacter calcoaceticus로 각각 동정되었다. Strain A132. F722의 최적 배양 및 분해온도는 $35^{\circ}C$ 이고, 최적 생장 pH는 각각 8과 9에서 나타났다. 원유를 유일한 탄소원으로 하여 배양을 하였을 때 원유농도 2.0%(w/v)에서 생장이 높았다. 한편, 해양에서 분리된 strain OM1은 pH 7, 원유농도 3.0%(w/v)에서 생장이 높았다. 원유 분해능 조사에서는 Eleuthera (OMAN) 원유를 2.0%(w/v) 기질로 하였을 때, strain A132가 $25^{\circ}C$에서 $5.49g/\;l\;{\cdot}\;day$의 분해능을 나타내었다. 반면, L-Zakum (AFRICA) 원유에서는 strain F722가 $35^{\circ}C$에서 $1.19g/\;l\;{\cdot}\;day$의 분해능을 보였다. 등유$(nC_9-nC_{20})$와 경유$(nC_9-nC_{28})$에 대하여 분해특성을 조사한 결과 strain OM1은 배양 7일 후 95, 75%를 각각 분해하였다. Strain F722는 배양10일 후 80%의 분해율을 나타내었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1995년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1332-1336
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• 1995

In this paper, the procedures and the results of design and manufacturing technologies, mechanical operating tests, insulation tests and short-circuit tests for 800kV 40kA model GCB are presented. The problems to be solved and the countermeasures for the problems are also proposed to improve the performances the model GCB.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.61-61
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• 2009

P-type SGS-TFTs with 10 ${\mu}m$ channel length and two channel widths; $W_1=5{\mu}m$ and $W_2=10{\mu}m$ which has gate insulator made of 20nm $SiO_2$ and 80nm SiNx was fabricated and the electrical properties of them were measured. The field-effect mobility was increased from 95.84 to 104.19 $cm^2/V-s$ and threshold voltage also increased from -0.802 V to -0.954 V, when channel width is increased from5 ${\mu}m$ to 10 ${\mu}m$. Subthreshold swing decreased from 0.418 to 0.343 V/dec and $I_{on/off}$ ratio increased from $4.77{\times}10^7$ to $7.30{\times}10^7$.

• 한국식품위생안전성학회지
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• 제10권2호
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• pp.53-59
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• 1995

Vibrio unlnificus, a normal inhabitant in estuaries, is of great concern because it is a potent human pathogen causing septicemia, wound infection and gastrointestinal disease in Kum river, sampling was undertaken in five station from March, 26, 1993 to February, 22, 1994. Samples of 54 and 49 were collected from seawater and bottom deposit. The total detection rate of V. unlnificus was 11.7%. The detection rates of V. unlnificus in the seawater and the bottom deposit were 9.3% and 14.3% respectively. V. unlnificus was mainly detected in estuary water when temperature was above 23$^{\circ}C$ and salinity was below 15%. We suppose that water when temperature, salinity, pH and COD affect growth of V. unlnificus.

• 전기학회논문지P
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• 제59권1호
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• pp.83-88
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• 2010

A new live-line insulator tester was developed to detect faulty insulators in 154kV power transmission lines. This paper is the first part of the two-part paper and deals with its tester development. The developed tester has the following characteristics. First, it automates parts of the insulator inspection process by using a sensor and an actuator, and secondly, it sustains its weight by itself, not by a lineman. Finally, it measures the insulation resistance of an insulator together with its distribution voltage to provide more information for its analysis and diagnosis. These leads to the improvement of its operation efficiency, measurement reliability and usability. Its effectiveness was validated by live-line field tests in actual power lines.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.168-171
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• 2002

A SSIMT(Suppressed Sidewall Injection Magnetotransistor) sensor with high linearity is presented in this thesis. The prototype is fabricated by using the Hynix 0.6$\mu\textrm{m}$ P-substrate twin-well double poly three-metal CMOS Process. The fabricated SSIMT shows that variation of the collector current is extremely linear by varing the magnetic induction from -200mT to 200mT at I$\_$B/=500${\mu}$A, V$\_$CE/=2V and V$\_$SUB/=5V. The relative sensitivity is up to 120%/T. At B = 0, magnetic offset is about 79mT, there relative sensitivity is 30.5%/T. The nonlinearity of the fabricated SSIMT is measured about 1.4%.

• 전기전자학회논문지
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• 제12권1호
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• pp.34-42
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• 2008

This paper proposes a new on-chip voltage down converter(VDC), which employs a new reference voltage generator(RVG). The converter adopts a temperature-independence reference voltage generator, and a voltage-up converter. The architecture of the proposed VDC has a high-precision, and it was verified based on a 0.25${\mu}m$ 1P5M standard CMOS technology. For 2.5V to 1.0V conversion, the RVG circuit has a good characteristics such as temperature dependency of only 0.2mV/$^{\circ}C$, and the voltage-up circuit has a good voltage deviation within ${\pm}$0.12% for ${\pm}$5% variation of supply voltage VDD. The output voltage is stabilized with ${\pm}$1mV for load current varying from 0 to 100mA.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제28권8호
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• pp.490-495
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• 2015

This paper was proposed the theoretical research and optimal design 3,000 V IGBT for using electrical automotive, high speed train and first power conversion. To obtaining 3,000 V breakdown voltage, the design parameters was showed $160{\Omega}{\cdot}cm$ resistivity and $430{\mu}m$ drift length. And to maintain 5 V threshold voltage, we obtained $6.5{\times}10^{13}cm^{-2}$ p-base dose. We confirmed $24{\mu}m$ cell pitch for maintain optimal on state voltage drop and thermal characteristics. This 3,000 V IGBT was replaced to thyristor devices using first power conversion and high speed train, presently.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.99-100
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• 2009

탄화규소를 이용한 1200V급 MOSFET 소자 제작을 위하여 특성 simulation을 수행하였다. 1200V 내압을 얻기 위해서 불순물 농도가 5E15/cm3이고 에피층의 두께가 12um인 상용 탄화규소 웨이퍼를 기준으로 하였으며 채널 저항을 줄이기 위해 채널길이를 $0.5{\mu}m$로 하였다. 게이트전압이 13V, 드레인 전압이 4V에서 specific on-resistance 값은 $12m\;{\Omega}cm^2$로 매우 우수한 특성을 보이고 있다. P-body의 표면 농도를 5E16/cm3 에서 1E18/cm3으로 변화시키면서 소자의 전기적 특성을 예측하였으며 실험 결과와 비교하여 특성 변수를 추출하였다.