Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Simulation Characteristics of 1200V SiC DMOSFET Devices

1200V급 SiC DMOSFET 제작을 위한 특성 Simulation

  • 김상철 (한국전기연구원 고집적전원연구그룹) ;
  • 주성재 (한국전기연구원 고집적전원연구그룹) ;
  • 강인호 (한국전기연구원 고집적전원연구그룹) ;
  • 방욱 (한국전기연구원 고집적전원연구그룹) ;
  • 김남균 (한국전기연구원 고집적전원연구그룹)
  • Published : 2009.04.03
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Abstract

탄화규소를 이용한 1200V급 MOSFET 소자 제작을 위하여 특성 simulation을 수행하였다. 1200V 내압을 얻기 위해서 불순물 농도가 5E15/cm3이고 에피층의 두께가 12um인 상용 탄화규소 웨이퍼를 기준으로 하였으며 채널 저항을 줄이기 위해 채널길이를 $0.5{\mu}m$로 하였다. 게이트전압이 13V, 드레인 전압이 4V에서 specific on-resistance 값은 $12m\;{\Omega}cm^2$로 매우 우수한 특성을 보이고 있다. P-body의 표면 농도를 5E16/cm3 에서 1E18/cm3으로 변화시키면서 소자의 전기적 특성을 예측하였으며 실험 결과와 비교하여 특성 변수를 추출하였다.

Keywords