• Korean Chemical Engineering Research
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• 제48권6호
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• pp.737-740
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• 2010

높은 누설 전류와 문턱 전압의 이동은 비정질 실리콘(a-Si:H) 트랜지스터(TFT)의 단점이다. 이러한 특성은 게이트 절연체와 활성층 박막의 막 특성, 표면 거칠기와 공정 조건에 따라 영향을 받는다. 본 연구의 목적은 누설 전류와 문턱 전압의 특성을 개선하는데 목적이 있다. 게이트 절연체의 공정 조건에 대해서는 질소를 증가한 증착 공정 조건을 적용하였고, 활성층의 공정 조건에 대해서는 산소를 증가한 공정 조건을 적용하여 전자 포획을 감소시키고 박막의 밀도를 증가시켰다. $I_{off}$는 $65^{\circ}C$ 조건하에서 1.01 pA에서 0.18pA로, ${\Delta}V_{th}$는 -1.89 V에서 -1.22V로 개선되었다.

• 센서학회지
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• 제7권6호
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• pp.426-431
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• 1998

본 논문에서는 THAH/IPA/pyrazine 용액에서의 전기화학적 식각정지특성을 기술한다. THAH/IPA/pyrazine 용액에서의 n-형과 p-형의 Si에 대한 I-V 곡선이 얻어졌다. p-형 Si에 대한 OCP(개방회로전압)과 PP(보호막생성 전압)은 각각 -1.2 V와 0.1 V이고, n-형에 대해서는 -1.3 V와 -0.2 V로 각각 나타났다. p-형과 n-형 Si 모두 PP점보다 양의 전압에서 식각율이 급속히 감소하였다. 또한 THAH/IPA/pyrazine 용액에서의 식각정지특성을 관찰하였다. pn 접합부에서의 정확한 식각정지에 의해서 epi. 층의 두께에 상응하는 Si 다이어프램을 제작할 수 있었다. 최적 이방성 식각조건인 TMAH 25 wt.%/IPA 17 vol.%/pyrazine 0.1g/100ml에서 식각률이 가장 높기 때문에 식각소요시간이 크게 감소하였다.

• 한국환경과학회지
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• 제19권7호
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• pp.871-877
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• 2010

The objectives of this study were to compare growth of Pllioblastus pygmaed and soil characteristics as affected by difference of soil thickness and mixture ratio in shallow-extensive green roof module system, and to identify the level of soil thickness and mixture as suitable growing condition to achieve the desired plants in green roof. Different soil thickness levels were achieved under 15cm and 25cm of shallow-extensive green roof module system that was made by woody materials for $500{\times}500{\times}300mm$. Soil mixture ratio were three types for perlit: peatmoss: leafmold=6:2:2(v/v/v, $P_6P_2L_2$), perlit: peatmoss: leafmold=5:3:2(v/v/v, $P_5P_3L_2$) and perlit: peatmoss: leafmold=4:4:2(v/v/v, $P_4P_4L_2$). On June 2006, Pllioblastus pygmaed were planted directly in a green roof module system in rows. All treatment were arranged in a randomized complete block design with three replication. The results are summarized below. In term of soil characteristics, Soil acidity and electric conductivity was measured in pH 6.0~6.6 and 0.12dS/m~0.19dS/m, respectively. Organic matter and exchangeable cations desorption fell in the order: $P_4P_4L_2$ > $P_5P_3L_2$ > $P_6P_2L_2$. $P_6P_2L_2$ had higher levels of the total solid phase and liquid phase, and $P_4P_4L_2$ had gas phase for three phases of soil in the 15cm and 25cm soil thickness. Although Pllioblastus pygmaed was possibled soil thickness 15cm, there was a trend towards increased soil thickness with increased leaf length, number of leaves and chlorophyll contents in 25cm. The growth response of Pllioblastus pygmaed had fine and sustain condition in order to $P_6P_2L_2$ = $P_5P_3L_2$ > $P_4P_4L_2$. However, The results of this study suggested that plants grown under $P_4P_4L_2$ appear a higher density ground covering than plants grown under $P_6P_2L_2$. Collectively, our data emphasize that soil thickness for growth of Pllioblastus pygmaed were greater than soil mixture ratio in shallow-extensive green roof module system.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2001년도 추계종합학술대회
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• pp.644-647
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• 2001

이 연구에서는 P-MOS 커패시터에 Co $u^{60}$-${\gamma}$선을 조사한 후 조사선량 및 산화막 두께에 따른 전하의 거동을 고찰하고자 1[MHz]의 고주파 신호에서 정전용량-전압(C-V) 특성 및 유전손실계수-전압(D-V)특성을 측정하였다. C-V 특성에서 플랫밴드 전압과 문턱전압을 구하여 이들 파라메타와 D-V 특성의 피크와의 관련성을 검토하였다. C-V 특성이 P-MOS 커패시터의 정상상태의 전하의 거동 및 계면 상태특성을 해석하기가 편리하고 D-V 특성은 C-V 특성보다 산화막 내부의 공간전하분포와 계면상태의 밑도 등을 더 명확하게 파악할 수 있으며 산화막내 캐리어의 전도철상에 관한 미시적 전하 거동의 고찰에도 편리함이 확인되었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 추계종합학술대회
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• pp.200-203
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• 2007

넓은 에너지 갭의 물질인 탄화규소(4H)기판을 사용하여, 초고내압을 위한 접합장벽 쇼트키 구조의 소자를 설계하여 제작하였다. 측정결과로써 소자의 역방향 I-V 특성은 1000V 이상의 항복전압을 보였고 p-grid의 설계 최적 길이는 $3{\mu}m$ 간격이였다. 이 연구에서는 제작한 소자의 공정 조건 파라미터들을 사용하여 I-V 특성을 모델링 하였고 I-V 특성 파라미터들을 추출하여 실제 소자 파라미터와 비교, 분석하였다.

• 전기학회논문지P
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• 제58권4호
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• pp.557-562
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• 2009

Recently, researchers are developing a new, clean, renewable and sustainable energy to the industrial areas and the residential areas. Solar cell and fuel cell energy are presented in this paper. The paper shows the P-I and I-V characteristics of fuel cells which are connected in parallel and series. And the voltage drop of internal resistance of the fuel cell decreases with the increasing of the current of the fuel cell. A voltage drop at the internal resistance is increased according to the current, thus the terminal voltage is decreased. The internal resistance is calculated $0.3[\Omega]$ from maximum power transfer condition.

• 한국통신학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.12-16
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• 1983

本論文은 $V_3O_5-P_2O_5$系 유리 半導 를 硏究對象으로 하였다. 이것은 비교적 낮은 溫度에서 만들 수 있고 空氣中에서 취급할 수 있기 때문에 利點이 많다. 素子는 $V_3O_5,\;P_2O_5$粉末을 70:30mol%造成比로서 混合하여 電氣爐속에서 $800[^\circ{C]-1000[}^\circ{C]}$로 30分~3時間 加熱하여 만들었다. 이와 같이 많든 素子는 ~$10^5\;\Omega$ 정도의 抵抗값을 가졌으며 溫度에 다라 負特性, 스위칭(switching)特性을 갖는 것을 確認하였고 傳奇的特性을 調査하여 等價回路를 提示하였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1991년도 제6회 파동 및 레이저 학술발표회 Prodeedings of 6th Conference on Waves and Lasers
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• pp.135-138
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• 1991

A planar type PIN photodiode has been fabricated and discussed. We used OMVPE systems to grow the structure of u-InP/u-InP/n-InP. P-n junction was formed by Zn-diffusion method at 50$0^{\circ}C$, for 5 minitues. The device characteristics at 5V were as follows: Dark currents were distributed around 1nA. Capacitance was 1.6pF and responsivity was above 0.85 mA/mW for 1.3${\mu}{\textrm}{m}$ wavelength. Measured cut-off frequency(-3dB) at -5V was 1.1㎓.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.86-90
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• 1992

We have studied the characteristics of n-and p-channel FETs with submicron channel length fabricated by twin-well process. Threshold voltage variation and potential distribution with channel ion implantation conditions and impurity profile of n-and p-channel region wee simulated using SUPREM-II and MINIMOS 4.0 simulater, P-channel FET had buried-channel in the depth of 0.15 $\mu\textrm{m}$ from surface by counter-doped boron ion implantation for threshold voltage adjustment. As a result of device measurement, we have obtained good drain saturation characteristics for 3.3 [V] opreation, minimized short channel effect with threshold voltage shift below 0.2[V], high punchthrough and breakdown voltage above 10[V] and low subthreshold value.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권2호
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• pp.131-139
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• 1996

Inthis apper wa analyzed the channel-hot-electron programming characteristics of the single-poly EEPROM with different control gate and drain structures. The single-poly EEPROM uses the p$^{+}$/n$^{+}$-diffusion in the n-well as a control gate instead of the second poly-silicon. The program and erase characteristics of the single-poly EEPROM were verified using the two-dimensional device simulator, MEDICI. The single-poly EEPROM was fabricated using 0.8$\mu$m ASIC CMOS process, and its CHE programming characteristics were measured using HP4155 parameteric analyzer and HP8110 pulse gnerator. Especially we investigated the CHE programming characteristics of the single-poly EEPROM with the p$^{+}$-diffusion or n$^{+}$-diffusion in the n-well as a control gate and the LDD or single-drain structure. The single-poly EEPROM with p$^{+}$-diffusion in the n-well as a control gate and single-drain structure was programmed to about VT$\thickapprox$5V with VDS=6V, VCG=12V(1ms pulse width).th).