The changes in secondary electron emission coefficient(${\gamma}$) and work function($\Phi$$_{\omega}$) have been studied on the surface of MgO protective layer aster plasma(Ar. $O_2$) treatment using ${\gamma}$-focused ion beam (${\gamma}$-FIB) system. The values of ${\gamma}$ varied as follows: $O_2$-treated MgO > Ar-treated MgO > Non-treated MgO, and the work functions varied in the reverse order. The result indicates that both the physical etching and the chemical reaction of $O_2$-plasma removed the contaminating materials from the surface of MgO.
In this study, a TiO2/TiO2-x-based resistance variable memory was fabricated using a DC/RF magnetron sputtering system and ALD. In order to analyze the effect of oxygen plasma treatment on the performance of resistance random access memory (ReRAM), the TiO2/TiO2-x-based ReRAM was evaluated by applying RF power to the TiO2-x oxygen-holding layer at 30, 60, 90, 120, and 150 W, respectively. The ReRAM was fabricated, and the electrical and surface area performances were compared and analyzed. In the case of ReRAM without oxygen plasma treatment, the I-V curve had a hysteresis curve shape, but the width was very small, with a relatively high surface roughness of the oxygen-retaining layer. However, in the case of oxygen plasma treatment, the HRS/LRS ratio for the I-V curve improved as the applied RF power increased; stable improvement was also noted in the surface roughness of the oxygen-retaining layer. It was confirmed that the low voltage drive was not smooth due to charge trapping in the oxygen diffusion barrier layer owing to the high intensity ReRAM applied with an RF power of approximately 150 W.
We have investigated the effect of plasma nitridation of atomic layer deposited-Al2O3 films of monocrystalline Si wafers and the thermal properties of nitridated Al2O3 films. Nitridation was performed on Al2O3 to form aluminum oxynitride (AlON) using NH3 plasma treatment in a plasma-enhanced chemical vapor deposition and it was conducted at temperature of $400^{\circ}C$ with various plasma power condition. After nitridation, we performed firing and forming gas annealing (FGA). For each step, we have observed the minority carrier lifetime and the implied Voc by using quasi-Steady-State photoconductance (QSSPC). We confirmed a tendency to increase the minority carrier lifetime and the implied Voc after the nitridation. On the other hand, the minority carrier lifetime and the implied Voc was decreased after Firing and forming gas annealing (FGA). To get more information, we studied properties of the plasma treated Al2O3 films by using Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS) and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS).
In this study, we prepared non-porous plasma membrane for having high permeability and selectivity and this membrane was deposited on the $Al_{2}O_{3}$ membrane by using $CHF_{3}$ & $SiH_{4}$ monomer. Also, we investigated for the permeation characteristics of the plasma polymer membrane by Ar plasma treatment. When the position of substrate was near cathode, the selectivity was increased with Ar plasma treatment time and rf-power. The pore size of $Al_{2}O_{3}$ membrane had an effect on the permeability and the position of substrate affected selectivity.
We have studied the effect of the chemical composition of the ZnO nanorod surface on the optical characteristics. The surface was treated with H- and O-plasma at different surface temperatures. The chemical composition of the surface of the ZnO nanorod, being investigated by Auger Electron Spectroscopy(AES), was related to the Photoluminescence(PL) data reported in our previous results. The AES showed the opposite results for the $H_2$ and $O_2$ plasma treatments. The ratio of Zn to O on the surface of the ZnO nanorod increased in the case of $H_2$ plasma, while the composition rate of O increased after $O_2$ plasma treatment. The AES results seems to be correlated to the shift in PL peaks. The increase in the composition rate of Zn on the surface of ZnO nanorod is considered to cause the blue shift of the UV peak. On the contrary, the relative increase of O is considered to cause the red shift in PL peaks.
Ceria based electrolytes were fabricated by a plasma spraying method. The porosity which was crated during the plasma spraying process was infiltrated with Ce0.8Gd0.2O2 sol by ultrasonic treatment and heat treatment at 90$0^{\circ}C$ in order to improve physical and electrical properties. The porosity decreased from 9.8% to 6.5% and gas permeability at 80$0^{\circ}C$ decreased from 16.7$\times$10-3 to 5.7$\times$10-3 cm3(STP)/cm2.s.cmHg as the number of treatment increased 10 cycles. The ionic conductivity was also increased about 30% after 10 times of sealing.
Yebin Ahn;Jongchul Lee;Hanseok Kwon;Jungbin Hong;Han-Don Um
한국전기전자재료학회논문지
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제37권2호
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pp.188-194
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2024
This paper introduces an optimized oxygen (O2) plasma surface treatment technique to enhance sphere lithography on hydrophobic photoresist surfaces. The focus is on semiconductor manufacturing, particularly the creation of finer structures beyond the capabilities of traditional photolithography. The key breakthrough is a method that makes substrate surfaces hydrophilic without altering photoresist patterns. This is achieved by meticulously controlling the O2 plasma treatment duration. The result is the consistent formation of nano and microscale patterns across large areas. From an academic perspective, the study deepens our understanding of surface treatments in pattern formation. Industrially, it heralds significant progress in semiconductor and precision manufacturing sectors, promising enhanced capabilities and efficiency.
$TiO_2$의 표면의 친수성을 증가시키기 위하여 dielectric barrier discharge (DBD)에 의해 발생된 대기압 플라즈마 (atmospheric pressure plasma: APP)를 이용 RF power 50~200 W 범위에서 Ar과 $O_2$ 가스를 사용 대기압 플라즈마로 광촉매 표면을 개질하였다. Ar 가스 단독으로 처리한 시료의 접촉각은 20도에서 10도로 감소하였으며, $O_2$ 가스를 반응성 가스로 하여 처리한 경우에는 접촉각이 20도에서 1도 미만으로 감소하였다. 동일한 RF power에서 $O_2$ 플라즈마 처리 시 더 낮은 접촉각을 확인하였는데, 이는 $TiO_2$ 표면과 산소원자의 결합으로 인하여 표면의 polar force의 증가에 의한 것으로 판단되어 대기압 플라즈마로 처리된 시료의 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)의 스펙트럼 분석결과 OH 작용기의 증가로 표면의 친수성이 증가됨을 확인하였다. 대기압 플라즈마로 처리된 시료와 처리하지 않은 시료의 접촉각은 모두 시간이 지남에 따라 증가하지만 플라즈마 처리 된 시료의 접촉각 증가는 플라즈마 처리하지 않은 시료의 접촉각 보다 작은 것을 확인하였다. 또한, 페놀 분해 실험을 통하여 플라즈마 표면처리를 통하여 $TiO_2$ 광촉매의 분해 효율이 크게 향상되는 것을 확인하였다.
Au 촉매를 코팅한 사파이어 기판 상에서 산화아연과 흑연 분말을 혼합한 분말재료를 이용하여 VLS (vapor-liquid-solid) 법으로 산화아연 반도체 나노선을 합성하였다. 제조된 산화아연 나노선은 380 nm에서 근 자외선 영역의 NBE (near-band edge) 발광과 600 nm 부근의 가시광선 영역에서 넓게 퍼져 발광하는 상대적으로 강한 DL (deep level) 발광이 확인되었다($I_{NBE}/I_{DL}$ <1). 산화아연 나노선을 효율적인 단일 파장 자외선 발광체에 적용될 수 있도록 NBE 발광을 극대화함과 동시에 DL 발광을 억제시키기 위하여 본 실험에서는 합성된 산화아연 나노선에 수소 플라즈마 처리를 하였다. 플라즈마 처리시간이 길어짐에 따라(120초 이상) 발광특성의 향상정도는 점차로 감소하였지만, 수소 플라즈마 처리를 통해 나노선 내부에 존재하는 불순물 제어 등으로 다소 짧은 시간의 플라즈마 처리로(90초 이내) DL발광대비 NBE발광의 세기가 약 4배로 향상됨을 확인 하였다($I_{NBE}/I_{DL}$ ~4).
한국윤활학회 2002년도 proceedings of the second asia international conference on tribology
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pp.181-182
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2002
Most recent, Plasma ceramic spray is used on parts of tribosystem, has been investigated on the tribological performance. The application of ceramic coatings by plasma spray has become essential in tribosystems to produce better wear resistance and longer life in various conditions. The purpose of this work was to investigate the wear behavior of $8%Y_2O_3-ZrO_2$ coating due to temperatures of post-spay heat treatment. The plasma-sprayed $8%Y_2O_3--Zirconia$ coating was idiscussed to know the relationship between phase transformations and temperatures of post- spray heat treatment. Wear tests was carried out with ball on disk type on normal load of 50N, 70N and 90N under room temperature. The transformation of phase and the value of residual stress were measured by X-ray diffraction method(XRD). Tribological characteristics and wear mechanisms of coatings was observed by SEM. The tribologieal wear performance was discussed a point of view for residual stress. Consequently. post-spray heat treatment plays an important role in decreasing residual stress. Residual stress in coating system has a significant influence on the wear mechanism of coating.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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