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뉴런 MOS 임계 게이트를 갖는 2중 패스-트랜지스터 논리를 이용한 4치 논리 게이트 설계 (Design of Quaternary Logic gate Using Double Pass-transistor Logic with neuron MOS Threshold gate)

  • 박수진;윤병희;김흥수
    • 전기전자학회논문지
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    • 제8권1호
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    • pp.33-38
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    • 2004
  • 다치 논리 패스 게이트는 다치 논리를 구성하기 위한 중요한 소자이다. 본 논문에서는, 뉴런 $MOS({\nu}MOS)$ 임계 게이트를 갖는 2중 패스-트랜지스터 논리를 이용하여 4치 MIN(QMIN)/negated MIN(QNMIN) 게이트 그리고 4치 MAX(QMAX)/negated MAX(QNMAX) 게이트를 설계하였다. DPL은 입력 캐패시턴스의 증가 없이 게이트 속도를 향상 시켰다. 또한 대칭 배열과 2중 전송 특성을 갖는다. 임계 게이트는 ${\nu}MOS$ 다운 리터럴 회로(DLC)로 구성 된다. 제안된 게이트는 다양한 다치 임계 전압을 실현할 수 있다. 본 논문에서, 회로는 3V의 전원 전압을 사용하였고 0.35um N-Well 2-poly 4-metal CMOS 공정의 파라메터를 사용하였으며 모든 모의 실험은 HSPICE를 이용하였다.

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$GF(3^m)$상의 전류모드 CMOS 승산기 설계 (Design of $GF(3^m)$ Current-mode CMOS Multiplier)

  • 나기수;변기녕;김흥수
    • 전기전자학회논문지
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    • 제8권1호
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    • pp.54-62
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    • 2004
  • 본 논문에서는 $GF(3^m)$상의 전류모드CMOS 승산기의 설계에 관하여 논의한다. 피 승산항에 원시원소 α를 곱함으로써 나타나는 피 승산항의 변화를 표준기저 표현을 이용하여 수식으로 전개하였다. $GF(3^m)$ 승산 회로를 구성하기 위하여 전류모드 CMOS를 사용하여 GF(3)상의 가산기와 승산기를 설계하였고 시뮬레이션 결과를 보였다. 기본 게이트들을 이용하여 $GF(3^m)$ 승산기를 설계하였고 m=3인 경우에 대하여 예를 보였다. 본 논문에서 제안한승산회로는 그 구성이 블록의 형태로 이루어지므로 $GF(p^m)$ 상에서 p와 m에 대한 확장이 용이하며, VLSI 구현에 유리하다 할 수 있다. 본 논문에서 제안한승산회로를 타 승산회로와 비교하였고, 개선효과를 확인하였다.

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$2^n$개의 노드를 갖는 DCG 특성에 대한 병렬3치 논리회로 설계에 관한 연구 (A Study on the Parallel Ternary Logic Circuit Design to DCG Property with 2n nodes)

  • 변기영;박승용;심재환;김흥수
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제37권6호
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    • pp.42-49
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    • 2000
  • 본 논문에서는 2ⁿ개의 노드를 갖는 DCG 특성에 대한 병렬 3치 논리회로를 설계하는 알고리즘을 제안하였다. 회로의 집적도를 높이기 위한 다양한 연구분야 중 전송선의 신호레벨을 증가시켜줌으로써 회로내의 배선밀도를 낮출 수 있으며 병렬신호전송을 통한 신호처리의 고속화, 회로의 특성을 만족시키며 최적화할 수 있는 회로설계알고리즘은 모두 고밀도 집적회로를 구현하기 위한 유용한 수단이 될 수 있다. 본 논문에서는 특히, 노드들의 개수가 2ⁿ개로 주어진 DCG에 대하여 그 특성을 행렬방정식으로 도출해내고 이를 통해 최적화 된 병렬3치 논리회로를 설계하는 과정을 정리하여 알고리즘으로 제안하였다. 또한, 설계된 회로의 동작특성을 만족하도록 DCG의 각 노드들의 코드를 할당하는 알고리즘도 제안하였다. 본 논문에서 제안된 알고리즘에 의해 회로결선의 감소와 처리속도 향상, 비용절감 측면에서 유용하다 할 수 있다.

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