• 전기전자학회논문지
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• 제23권2호
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• pp.552-556
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• 2019

본 논문에서는 전류 제어 회로를 이용하여 load Transient response 특성을 향상시킨 capless LDO(low drop-out) 레귤레이터를 제안하였다. LDO 레귤레이터 내부의 오차증폭기와 패스 트랜지스터 사이에 전류 조절 회로를 두어 전압 라인에 들어오는 전류특성을 개선시켜 기존의 LDO 레귤레이터보다 향상된 transient 응답특성을 갖는다. 제안된 회로는 cadence의 virtuoso, spectre 시뮬레이터를 이용하여 0.18 um 공정에서 특성을 분석하였다. 실험 결과에 따르면, 제안된 회로 구성을 이용한 LDO의 load transient response는 기존 LDO과 비교하여 부하 전류가 rising time인 경우 1.954 us에서 1.378 us, falling time인 경우 19.48 us에서 13.33 us으로 약 29%, 28% 개선된 응답속도를 가진다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제12권3호
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• pp.313-319
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• 2012

The power supply rejection (PSR) of low drop-out (LDO) voltage regulator is improved by employing an error amplifier (EA) which is configured so the power supply noise be cancelled at the output. The LDO regulator is implemented in a 0.13-${\mu}m$ standard CMOS technology. The external supply voltage level is 1.2-V and the output is 1.0-V while the load current can range from 0-mA to 50-mA. The power supply rejection is 46-dB, 49-dB, and 38-dB at DC, 2-MHz, and 10-MHz, respectively. The quiescent current consumption is 65-${\mu}A$.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권2호
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• pp.598-603
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• 2020

본 논문에서는 Push-Pull 패스 트랜지스터 구조로 인하여 향상된 Load Transient 특성을 향상시킨 LDO(Low Drop-Out)를 제안하였다. LDO 레귤레이터 내부의 오차증폭기의 출력단과 패스 트랜지스터의 게이트단 사이에 제안된 Push-Pull 회로와 출력단에 Push-Pull 회로를 추가하여 전압 라인에 들어오는 Overshoot, Undershoot를 개선시켜 기존의 LDO 레귤레이터보다 개선된 Load Transient 특성의 델타 피크 전압 값을 갖는다. 제안하는 회로는 Cadence의 Virtuoso, Spectre 시뮬레이션을 이용하여 삼성 0.13um 공정에서 특성을 분석하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제23권2호
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• pp.722-726
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• 2019

본 논문에서는 고주파 영역에서의 전원잡음제거 (PSR) 특성이 개선된 low drop-out (LDO) 레귤레이터를 제안한다. 특히, PMOS 전력 스위치의 유한한 출력저항을 관통하는 고주파 전원잡음을 상쇄하기 위해 출력저항이 큰 NMOS 트랜지스터를 보상 회로로 추가하였다. 보상 트랜지스터에 의한 전원잡음제거는 해석적으로 설명하여 개선에 대한 방향을 제시하였다. $0.35{\mu}m$ 표준 CMOS 공정으로 회로를 제작하고 Spectre 시뮬레이션을 수행하여 10MHz에서 기존의 LDO 레귤레이터 대비 26dB의 PSR 개선을 확인하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.937-940
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• 2005

In this paper, the design of high current and high performance Regulatior IC using BCD Technology are presented. We design the 5A class regulator IC including the VDMOS Pass Tr. of N-sink array structure. Also, to obtain the high current and low power characteristics, the PMOS and BJT device are adapted for the Pass Tr. It is shown that simulation results of Regulator IC with VDMOS Pass Tr. have the Iout=4.5092A, LDO=7.3mV.

• 전기전자학회논문지
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• 제21권3호
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• pp.264-267
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• 2017

본 논문에서는 잡음 제거 회로를 이용하여 공급 전원 제거 비를 향상시킨 LDO(Low drop-out) 레귤레이터를 제안하였다. LDO 레귤레이터 내부의 오차증폭기와 패스 트랜지스터 사이에 잡음 제거 회로를 두어 전압 라인에서 들어오는 노이즈에 패스 트랜지스터가 받는 영향을 줄일 수 있게 설계하였으며, 기존의 LDO 레귤레이터와 동일한 레귤레이션 특성을 갖도록 했다. 제안한 회로는 0.18um 공정을 사용하였고 Cadence의 Virtuoso, Spectre 시뮬레이터를 사용하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제27권3호
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• pp.258-264
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• 2023

본 논문에서는 부하전류에 따라 LDO(Low Drop Out) 레귤레이터의 효과적인 동작과 파괴 방지를 위해 ESD(Electro Static Discharge) 보호회로를 내장한 LDO 레귤레이터를 제안한다. 제안하는 LDO 레귤레이터는 additional feedback current 회로구조를 이용하여 LDO 레귤레이터의 출력전압에 따라 더욱 효과적으로 패스 트랜지스터의 게이트 노드 전압을 조절할 수 있다. 또한 기존의 ESD 보호소자에 P+ bridge를 추가하여 SCR 루프 상의 전류 이득을 감소시켜 홀딩 전압을 약 2V 가량 높인 새로운 구조를 내장하여 ESD 상황에 대해 높은 신뢰성을 가질 것으로 예상된다.

• ETRI Journal
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• 제39권3호
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• pp.373-382
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• 2017

A new internally compensated low drop-out voltage regulator based on the cascoded flipped voltage follower is presented in this paper. Adaptive biasing current and fast charging/discharging paths have been added to rapidly charge and discharge the parasitic capacitance of the pass transistor gate, thus improving the transient response. The proposed regulator was designed with standard 65-nm CMOS technology. Measurements show load and line regulations of $433.80{\mu}V/mA$ and 5.61 mV/V, respectively. Furthermore, the output voltage spikes are kept under 76 mV for 0.1 mA to 100 mA load variations and 0.9 V to 1.2 V line variations with rise and fall times of $1{\mu}s$. The total current consumption is $17.88{\mu}V/mA$ (for a 0.9 V supply voltage).

• 전기전자학회논문지
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• 제19권3호
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• pp.304-310
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• 2015

SCALDO(Supercapacitor Assisted LDO) 레귤레이터는 기존에 널리 사용되고 있는 SMPS(Switch Mode Power Supply)의 장점인 높은 효율과 LDO(Low Drop-out) 레귤레이터의 장점인 안정적인 출력 및 우수한 EMI(Electro Magnetic Interference)특성을 함께 가지는 레귤레이터로 현재 새롭게 연구되고 있는 전원회로이다. 하지만, 현재까지 연구된 SCALDO 레귤레이터의 경우 회로 내부의 스위치제어에 많은 전력이 소비되어 회로 전체의 효율이 감소되는 단점이 있다. 본 논문에서는 기존 SCALDO 레귤레이터의 단점을 극복하고 저전력으로 구동이 가능한 MOSFET를 SCALDO 레귤레이터에 적용함으로써 스위치제어 소비전력을 최소화하여 회로 전체의 효율을 향상시킨 새로운 SCALDO 레귤레이터를 구현 하였으며, 기존 SCALDO 대비 효율이 최대 9.5% 상승됨을 확인하였다. 또한 기존의 MCU(Micro-controller unit)를 이용한 펌웨어제어를 비교기 및 T-F/F(Flip Flop)을 이용한 하드웨어 제어로 대체함으로써 회로의 제작과정을 단순화 하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.384-392
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• 2018

다중출력 LDO 레귤레이터는 다양한 공급 전압이 필요한 임베디드 시스템에서 변환 효율을 개선할 수 있는 방안이 된다. 다중 출력을 위한 시분할 구조에서 LDO의 피드백 인자가 작아지면 정착시간이 길어져서 리플 전압이 커진다. 제안하는 토폴로지에서는 기준 전압을 가변하여 일정한 피드백 인자를 구현함으로써 정착시간과 리플 특성을 개선한다. $0.35{\mu}m$ 표준 CMOS 공정으로 설계한 4 채널 프로토타입의 시뮬레이션 결과 제안하는 구조는 피드백 인자가 0.4 이하인 기존 회로보다 정착시간과 리플 특성이 2배 이상 개선되는 것을 입증하였다.