• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권12호
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• pp.1021-1026
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• 2002

As the development of semiconductor process technology continue to advance, ICs continue their trend toward higher performance low power system-on-chip (SOC). These circuits require on board multi power supply. In this paper, a 0.5 ㎛ dual date oxide CMOS Process technology for multi-power application is demonstrated. 5 V and 20 V devices fabricated by proposed process is measured. From 5 V devices using dual gate precess, we got almost the same characteristics as are obtained from standard 5 V devices. And the characteristics of the 20 V device demonstrates that 3 ㎛ devices with minimum gate length are available without reliability degradation. Electrical parameters in minimum 3 ㎛ devices are 520 ㎂/㎛ current density, 120 ㎷ DIBL, 24 V BV for NMOS and ,350 ㎂/㎛ current density, 180 ㎷ DIBL, 26 V BV for PMOS, respectively.

• 전기학회논문지
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• 제65권9호
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• pp.1493-1496
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• 2016

This paper proposes a system for reducing the standby power consumption in using the consumer electronic devices such as a television, a home theater, a set-top box, or a DVD player. The system is consisted of a flyback converter, monitoring circuits, a relay and a micro-processor. The proposed system can reduce the standby power consumption by disconnecting the AC input and the consumer devices can be turned on with a remote control. The proposed standby power system consumes the low power to receive the infrared signal from the remote controller. Furthermore, a electronic double layer capacitor is used to store the energy with high efficiency. The proposed power system can operate the 플라이백 converter to charge the electronic double layer capacitor and connect the AC input to the consumer electronic devices. The proposed power circuit can reduce the standby power consumption in AV devices without increasing the cost. The prototype is implemented to verify the system with the commercialized products.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.193-199
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• 2011

본 논문에서는 이동기기에서 배터리를 고려한 저전력 알고리즘을 제안하였다. 제안한 알고리즘은 이동기기에서 배터리의 잔량에 따라 태스크를 수행할 수 있도록 소모전력을 줄이는 방법으로 주파수를 변화시킨다. 배터리의 잔량이 수행하고자하는 태스크의 소모 전력보다 작을 경우 태스크를 수행시키기 위해 주파수를 낮춘다. 주파수 조절은 태스크에 따라 전체 시스템에서 사용되는 디바이스들 중에서 가장 높은 주파수를 가진 디바이스를 우선대상으로 수행한다. 주파수의 감소는 두 번째로 큰 주파수를 가진 디바이스의 주파수로 변화하여 소모전력을 계산한다. 계산된 소모전력이 배터리의 잔량보다 클 경우 단계적으로 주파수를 조절하여 소모전력을 낮추며 배터리의 잔량으로 태스크를 수행 할 수 있을 때 까지 주파수를 조절한다. 실험은 주파수를 조절하여 소모 전력을 줄이는 방법을 이용한[6]과 같은 환경에서 배터리의 잔량을 고려하여 태스크를 수행할 수 있도록 주파수를 조절하였다. 실험 결과 [6]에서 수행되지 않는 배터리 잔량에서도 태스크가 동작되는 결과를 나타내었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2009년도 춘계학술대회
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• pp.845-848
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• 2009

전력용반도체(Power Management IC)는 전력의 변환이나 제어용으로 최적화되어 있는 전력장치용 반도체 소자로서 전자기기에 들어오는 전력을 그 전자기기에 맞게 변경하는 역할을 하며, 일반 반도체에 비해서 고내압화, 큰 전류화, 고주파수화 되어 있다. 전력용반도체는 전기가 쓰이는 제품에는 다 들어가며, 자동차, 공업제품, 컴퓨터와 주변기기, 통신, 가전제품, 모바일 기술, 대체 에너지 등에 대한 수요 증가가 시장의 성장을 촉진한다. 전력용반도체 개발을 통해 대일무역적자 해소 기여, 취약한 비메모리 산업의 육성을 통한 반도체산업의 균형발전, 신성장동력 창출을 통한 미래 경제발전을 도모할 수 있다. 본 고에서는 반도체 부문의 미래 유망품목인 전력용반도체의 필요성 및 중요성, 시장현황 및 전망을 중심으로 살펴보고 결론에서 정책적 시사점을 도출하고자 한다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -2
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• pp.1196-1199
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• 2002

The low phase noise frequency source to be used for measurements and so on realizes by oscillator having highly output signal power against output noise power. SAW devices can be used by high power than BAW devices. So we examine on configuration of SAW oscillator circuits with the power gain. In this paper we shall discuss a configuration of oscillator circuit to obtain an extremely low phase noise and an oscillator operating at a non-reactive frequency of SAW resonator.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.357-360
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• 2003

In this paper, we designed 4.5kV/1.5kA IGCT devices. GCT thyristor has many superior characteristics compared with GTO thyristor, for examples; snubberless turn-off capability, short storage time, high turn-on capability, small turn-off gate charge and low total power loss of the application system containing device and peripheral parts such as anode reactor and snubber capacitance. In this paper we designed GCT thyristor devices, and analyzed static and dynamic characteristics of GCT thyristor depending on the minority carrier lifetime, n-base thickness and doping concentration of n-base region, respectively. Especially, turn-on and turn-off characteristics are very important characteristics for GCT thyristor devices. So, we considered above characteristic for design and analysis of GCT devices.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2001년도 Proceedings ICPE 01 2001 International Conference on Power Electronics
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• pp.31-35
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• 2001

IGCTs have established themselves as the power semiconductor of choice at medium voltage levels within the last few years because of their low conduction and switching losses. The trade-off between these losses can be adjusted by various lifetime control techniques and the growing demand for these devices is driving the need for standard types to cover such applications as Static Circuit Breakers (low on-state) and Medium Voltage Drives (low switching losses). The additional demands of Traction (low operating temperatures) and Current Source Inverters (symmetric blocking) would normally result in conflicting demands on the semiconductor. This paper will outline how a range of power devices can meet these needs with a limited number of wafers and gate units. Some of the key differences between IGCTs and IGBTs will be explained and the outlook for device improvements will be discussed.

• 전자공학회논문지
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• 제54권4호
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• pp.44-49
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• 2017

헬스케어 및 의료분야를 위한 배터리 기반 웨어러블 디바이스가 많이 제품화되고 있으나, 효과적인 전력 관리 미흡으로 자주 충전해야 하는 사용자의 불편함이 존재한다. 본 연구에서는 HW에서 제공하는 전력 관리 회로도를 효과적으로 활용할 수 있는 Tickless 기반 운영체제 및 전력 관리 알고리즘을 제시하고, 보드 레벨에서 최소 전력을 소모하는 Cold Restart 기법을 제안한다. 제안된 기법의 운영체제는 기존 운영체제에 비해 웨어러블 디바이스의 응용을 모델링한 4가지 시나리오에서 2배에서 최대 33배의 전력 소모 절감을 가져왔다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권5호
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• pp.416-421
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• 2011

Nowadays, the increasing demands upon mobile devices such as wireless sensor networks and the recent advent of low power electrical devices such as MEMS make such renewable power sources attractive. A vibration-driven MEMS lead zirconate titanate $Pb(Zr,Ti)O_3$ (PZT) cantilever device is developed for energy harvesting application. This paper presents a piezoelectric based energy harvester which is suitable for power generating from conventional vibration and has in providing energy for low power electron ic devices. The PZT cantilever is used d33 mode to get the electrical power. The PZT cantilever based energy harvester with the dimension of 7 mm${\times}$3 mm${\times}$0.03 mm is fabricated using micromachining technologies. This PZT cantilever has the mechanical resonance frequency with a 900 Hz. With these conditions, we get experimentally the 37 uW output power from this device with the application of 1g acceleration using the 900 Hz vibration. From this study, we show the feasibility of one of energy harvesting candidates using PZT based structure. This PZT energy harvester could be used for various applications such a batteryless micro sensors and micro power generators.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.168-169
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• 2007

Organic transistors are promising in the future development of active devices for flexible, low-cost and large-area photoelectric devices. However, conventional organic field-effect transistors have lowspeed, low-power, and relatively high operational voltage. Vertical type transistors show high-speed and high-current characteristics and are suitable for driver elements of flexible displays.