• 제목/요약/키워드: Low Noise Amplifier(LNA)

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LTCC를 이용한 DMB용 SIR형 대역통과 필터의 특성 개선 (Improvement of Characteristics of DMB SIR-type Bandpass Filter Using LTCC)

  • 김경민;박성교;임병환;고향그리;박종백
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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    • pp.131-134
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    • 2005
  • Recently, RF systems have rapidly grown with the extension of the mobile communication service The mobile service companies are providing the satellite broadcasting and common usage are expected. Coinciding with current trend, the development of improved satellite DMB (Digital Multimedia Broadcasting) tuner is required. To improve the receiving sensitivity under the poor communication circumstance, It is necessary to design the LNA (Low Noise Amplifier) with outstanding low noise characteristic and the BPF (Bandpass Filter) to transmit only desired signal without distortion and loss. Besides high reliability, the miniaturization and lightweight are required for design of mobile terminals. In this study, we designed and fabricated DMB SIR-type BPF which operates at 2642 MHz and is embedded in the substrate using LTCC. As a result, we obtained the passband insertion loss of 2.4 dB and the passband ripple of 0.08 dB. So this DMB SIR-type BPF is applicable to RF module of a satellite DMB tuner.

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RF 수신부를 내장한 GPS 안테나 시스템의 설계 및 제작 (Design and fabrication of the GPS antenna system including RF-stage)

  • 홍성일;이정호;변건식;정만영
    • 전자공학회논문지A
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    • 제33A권6호
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    • pp.99-107
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    • 1996
  • When GPS (global positioning system) is used as synchronous signal in CDMA digital cellular base station system and high speed digital synchronous communication network, antenna cable length is increased, comparing with other GPS application such as positioning or car navigation. In this paper, it is proposed that a type of new GPS antenna system including RF stage for reduction of cable loss in case of long cable.The antenna system with TMPA(truncated-corners microstrip patch antenna) is designed and fabricated because GPS signal has RHCP (right-hand circular polarization), consequently antenna size can be made small size. LNA (low noise amplifier) is designed by using HEMT(high electron mobility transistor)which has lower noise figurae and better AGC characteristics at low voltage than GaAs FET, and we equiped mixer, in GPS antenna unit, which converts from 1575.42MHz to 75.42MHz. As result of comparing between typical system and proposed system when cable length is 60m, 63dB, 55dB and 25dB gain are obtained for RG-316/U, RG-58C/U and RG-213/U, and better characteristics are achieved than typical system as far as cable length is longer.

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휴대무선인터넷 RF 하향 변환기 설계 및 제작에 관한 연구 (A Study on Wireless Broadband Internet RF Down Converter Design and Production)

  • 이창희;원영진;이종용;이상훈;이원석;나극환
    • 전자공학회논문지 IE
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    • 제45권1호
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    • pp.31-37
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    • 2008
  • 본 논문에서는 2.3GHz 주파수대역의 휴대무선인터넷 하향 주파수 변환기를 설계 및 제작하였다. 수신기에서 발생할 수 있는 문제점의 최소화 목적으로 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier)를 부가하게 되었다. 또한, 2.3GHz 대역이 75MHz로 하향 과정에서 손실을 최소화하고, 변환 효율을 높이고, 안정적인 특성을 발휘할 수 있도록 우수한 주파수 특성을 가진 소자를 사용하였다. 휴대무선인터넷 중계기는 TDMA(Time Division Multiplexing Access)방식을 사용하기 때문에 RF 스위치가 사용되었다. 제작 사양인, 입력전압 +8V 에서 1.2A의 전류를 소비, 60dB의 이득과 2.5dB 이하의 잡음지수, 입출력 전압정재파비(Voltage Standing Wave Ratio) 1.5이하, 혼변조 왜곡(Inter Modulation Distortion) 60dB 이상을 만족하였다. 환경 조건($-20^{\circ}C{\sim}70^{\circ}C$)에서 장시간의 신뢰성 시험을 통과하여, 제작된 휴대무선인터넷 RF 하향 변환기는 휴대무선인터넷 중계기에 적용 가능하다.

Band-III T-DMB/DAB 모바일 TV용 저전력 CMOS RF 튜너 칩 설계 (Design of a Fully Integrated Low Power CMOS RF Tuner Chip for Band-III T-DMB/DAB Mobile TV Applications)

  • 김성도;오승엽
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제21권4호
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    • pp.443-451
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    • 2010
  • 본 논문에서는 Band-III 지상파 디지털 멀티미디어 방송 수신용 저전력 CMOS RF 튜너 칩에 대해 기술한다. 제안된 RF 튜너 칩은 저전력의 소형 휴대단말기 개발에 적합한 Low-IF 수신 구조로 설계되었으며, 174~240 MHz의 RF 방송 신호를 수신하여 1.536 MHz 대역폭의 2.048 MHz IF 신호를 출력한다. RF 튜너 칩은 저잡음 증폭기, 이미지 신호 제거 믹스, 채널 필터, LC-VCO, PLL과 Band-gap 기준 전압 생성기 등의 모든 수신부 기능 블록들을 포함하고 있으며, 0.18 um RF CMOS 기술을 이용하여 단일 칩으로 제작되었다. 또한 전력 소모를 줄이기 위한 4단계 이득 가변이 가능한 저잡음 증폭기를 제안하였으며, Schmoock's 선형화 기법과 Current bleeding 회로 등을 이용하여 수신 성능을 개선하였다. 제작된 RF 튜너 칩의 이득 제어 범위는 -25~+88 dB, 잡음 특성(NF)은 Band-III 전체 대역에서 약 4.02~5.13 dB, 선형 특성(IIP3)은 약 +2.3 dBm 그리고 이미지 신호 제거비는 최대 63.4 dB로 측정되었다. 총 전력 소모는 1.8 V 단일 전원에서 약 54 mW로 우수하며, 칩 면적은 약 $3.0{\times}2.5mm^2$이다.

UHF이중대역법을 이용한 GISPD분석 (GISPD Analysis Using UHF Dual-Band Method)

  • 김광화;이상화;최재구
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1860-1862
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    • 2004
  • It is widely known that the ultra high frequency (UHF) method that detects the electromagnetic wave of the PD pulses in the gas insulated space is one of the most competitive methods for its high sensitivity. From the above point of view, this paper describes the characteristics of GIS PD signals measured with ultra wide band (UWB) GIS PD detecting system in which PD signals are detected into the dual UHF band. The UWB PD detection system consists of the UWB UHF coupler, the UWB low noise amplifier (LNA) and the oscilloscope. The dual bands for PD signals are 0.5-2GHz(full band) and 1-2GHz(high band). As results, it was found that the partial discharges of each defect have their own characteristic pattern and the ratio of High band to Full band increases with gas pressure.

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X-밴드 저잡음 증폭기용 $0.25 \mu\textrm{m}$ T-형 게이트 P-HEMT 제작 (Fabrication of $0.25 \mu\textrm{m}$ P-HEMT for X-band Low Noise Amplifier)

  • 이강승;정윤하
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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    • pp.17-20
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    • 2000
  • We have enhanced the yield of 0.25 ${\mu}{\textrm}{m}$ T-gate $Al_{0.25}$G $a_{0.75}$As/I $n_{0.2}$G $a_{0.8}$As P-HEMT using three-layer E-beam lithography process and selective etching process. The three-layer resist structure (PMMA/copolymer/ PMMA=2000 $\AA$/3000 $\AA$/2000 $\AA$) and three developers (Benzene:IPA=1:1,Methanol:IPA =1:1,MIBK:IPA=1:3) were used for fabrication of a wide-head T-gate by the conventional double E-beam exposure technology. Also 1 wt% citric acid: $H_2O$$_2$:N $H_{4}$OH(200m1:4ml:2.2ml) solution were used for uniform gate recess. The etching selectivity of GaAs over $Al_{0.25}$G $a_{0.75}$As is measured to be 80. So these P-HEMT processes can be used in X-band MMIC LNA fabrication.ion.ion.ion.

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UHF 이중대역법을 이용한 GIS PD 분석 (GlSPD Analysis Using UHF Dual-Band Method)

  • 이상화;최재구;김광화
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2004년도 추계학술대회 논문집 전기설비전문위원
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    • pp.63-66
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    • 2004
  • It is widely known that the ultra high frequency (UHF) method that detects the electromagnetic wave of the PD pulses in the gas insulated space is one of the most competitive methods for its high sensitivity. From the above point of view, this paper describes the characteristics of GIS PD signals measured with ultra wide band (UWB) GIS PD defecting system in which PD signals are defected into the dual UHF band. Thc UWB PD detection system consists of the UWB UHF coupler, the UWB low noise amplifier (LNA) and the oscilloscope. The dual bands for PD signals are 0.5-2GHz(full band) and 1-2GHz(high band). As results, it was found that the partial discharges of each defect have their own characteristic pattern and the ratio of High hand to Full band increases with gas pressure.

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입력 매칭 측정을 이용한 RF Front End의 새로운 결함 검사 방법 (Novel Defect Testing of RF Front End Using Input Matching Measurement)

  • 류지열;노석호
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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    • pp.818-823
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    • 2003
  • 본 논문에서는 입력 매칭(input matching) BIST(Built-In Self-Test) 회로를 이용한 RF font end의 새로운 결함 검사방법을 제안한다. BIST 회로를 가진 RF front end는 1.8GHz LNA(Low Noise Amplifier: 저 잡음 증폭기)와 이중 대칭 구조의 Gilbert 셀 믹서로 구성되어 있으며, TSMC 0.25$\mu\textrm{m}$ CMOS 기술을 이용하여 설계되었다. catastrophic 결함 및 parametric 변동을 가진 RF front end와 결함을 갖지 않은 RF front end를 판별하기 위해 RF front end의 입력 전압 특성을 조사하였다. 본 방법에서는 DUT(Device Under Test: 검사대상이 되는 소자)와 BIST 회로가 동일한 칩 상에 설계되어 있기 때문에 측정할 때 단지 디지털 전자계와 고주파 전압 발생기만이 필요하며, 측정이 간단하고 비용이 저렴하다는 장점이 있다. BIST 회로가 차지하는 면적은 RF front end가 차지하는 전체면적의 약 10%에 불과하다. 본 논문에서 제안하는 검사기술을 이용하여 시뮬레이션해 본 결과 catastrophic 결함에 대해서는 100%, parametric 변동에 대해서는 약 79%의 결함을 검출할 수 있었다.

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차량 추돌 예방 레이더용 24GHz 저잡음증폭기 설계 (Design of 24GHz Low Noise Amplifier for Automotive Collision Avoidance Radar)

  • 최성규;임재환;김성우;류지열;노석호
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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    • pp.829-831
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    • 2012
  • 본 논문은 차량 추돌 예방 레이더용 고 이득 저전력 저잡음 특성을 가진 24GHz 저잡음 증폭기(LNA)를 제안한다. 이러한 회로는 TSMC $0.13{\mu}m$ 혼성신호/고주파 CMOS 공정($f_T/f_{MAX}=120/140GHz$)으로 설계되어 있다. 증폭기의 전압 이득을 향상시키기 위해 2단 캐스코드 구조로 구성되어 있다. 제안한 저잡음 증폭기는 최근 발표된 연구결과에 비해 41dB의 가장 높은 전압이득과 3.7dB의 가장 낮은 잡음지수 및 2.8dBm의 가장 우수한 IIP3 특성을 각각 보였다.

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A MB-OFDM UWB 0.18-μm CMOS RF Front-End Receiver

  • Kim, Chang-Wan
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제8권1호
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    • pp.34-39
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    • 2008
  • An RF front-end dual-conversion receiver for $3{\sim}5\;GHz$ MB-OFDM UWB systems is implemented in $0.18\;{\mu}m$ CMOS technology. The receiver includes a two-stage UWB LNA, an RF mixer, an IF I/Q mixer, and a frequency synthesizer. The proposed receiver adopts the dual-conversion architecture to mitigate the burden of design of the frequency synthesizer. Accordingly, the proposed frequency synthesizer generates four LO tones from only one VCO. The receiver front-end achieves power gain of 16.3 to 21 dB, NF of 7 to 7.6 dB over $3{\sim}5\;GHz$, and IIP3 of -21 dBm, while consuming 190 mW from a 1.8 V supply.