• 한국통신학회논문지
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• 제37권7A호
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• pp.545-551
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• 2012

본 논문에서는 K대역의 신호를 수신하여 저잡음 증폭 및 L대역으로 하향 변환하는 다채널 전단 수신기를 설계 및 제작하였다. 제작된 다채널 전단 수신기는 잡음지수 2.3 dB 이하의 특성을 가지는 GaAs-HEMT 기반의 저잡음 증폭소자, 이미지 성분의 억제를 위한 IR(Image Rejection) Filter, 이미지 성분 억제와 IMD (Intermodulation Distortion) 특성 개선을 위한 IR(Image rejection) 믹서를 포함한다. 제작된 다채널 전단 수신기의 시험결과, 3.8 dB 이하의 잡음지수와 27 dB 이상의 변환이득을 가지며 입력신호 기준 -9.5 dBm 이상의 P1dB(1dB Gain Compression Point) 특성을 나타내었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.73-78
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• 2004

본 논문은 5.8 GHz 무선 랜용 서브 하모닉 저항성 혼합기를 설계하였다. 서브 하모닉 저항성 혼합기는 서브 하모닉 혼합기와 저항성 혼합기의 장점이 합쳐진 구조이다. 서브 하모닉 저항성 혼합기는 LO의 고조파 성분과 RF를 혼합하여 IF주파수를 얻는다. 그래서 기존의 혼합기보다 낮은 LO 주파수를 사용이 가능하다. 그리고 서브 하모닉 저항성 혼합기는 GaAs FET의 unbiased 채널 저항을 사용하여 주파수 혼합하므로 낮은 IMD를 특성을 갖는다. 제작된 서브 하모닉 저항성 혼합기의 변환손실은 LO 신호전력이 13 dBm일 때, 10.67 dB이다. 그리고 혼합기의 IIP3는 21.5 dBm이다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권5호
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• pp.23-30
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• 2000

지수함수형태의 전달함수를 갖는 전계흡수 광변조기(electroabsorption modulator： EAM)의 비선형성 보상을 위해 로그함수형태의 전달함수를 갖는 반도체 광증폭기(semiconductor optical amplifier : SOA)를 이용한다. 우선 SOA의 전달함수는 EAM의 전달함수와 역함수 관계를 갖기 때문에 EAM의 상호변조왜곡 (intermodulation distortion： IMD)을 보상한다. 더불어 SOA가 제공하는 이득에 의해 변조신호는 증폭되어진다. 이 두 가지에 의해 EAM의 SFDR(spurious free dynamic range)은 증가한다. 이때 SOA는 EAM 뒷단에 직렬로 연결되어 이득포화영역에서 동작되어진다. EAM의 IMD 보상을 향상시키기 위해서는 SOA의 이득을 증가시켜 이득포화영역 기울기를 증가시켜야 한다. 하지만 SOA의 이득 증가에 따라 ASE 잡음도 증가하여 시스템의 잡음레벨을 높여 EAM의 SFDR은 감소한다. 즉 SOA의 이득포화영역 기울기와 ASE 잡음은 이득에 대해 trade-off를 가지게 되고 모의실험 결과 이득이 약 8㏈일 때 최적화 된다. 이 지점에서 EAM의 SFDR 향상은 약 9㏈였다. SOA를 사용한 EAM 선형성 향상 방법은 구성이 간편하고 3개의 소자를 집적할 경우 낮은 삽입손실, 낮은 편광의존성, 낮은 처핑 등 효율적인 아날로그 광변조기로 이용될 수 있다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제39권9호
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• pp.28-34
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• 2002

본 논문에서 제시한 새로운 형태의 전치왜곡 회로는 Harmonic Generator에서 발생되는 저주파 혼변조 신호 성분만을 추출하여, 이것을 Vector Modulator에서 원 신호와 진폭 변조시키는 것이다. 이러한 회로를 이용하여 3차, 5차 혼변조 신호를 발생시켜 전력 증폭기의 혼변조 신호를 감쇠시키는 선형화기를 구현하였다. 구현된 전치왜곡 선형화기는 국내 개인 휴대 통신(PCS) 기지국 송신 대역인 1840MHz~1870MHz주파수에서 동작되도록 제작, 측정을 하였다. 그 결과 반송파 2-tone 신호를 인가할 때 3차 혼변조 왜곡 특성은20dB 이상, 5차 혼변조 왜곡 특성은 10dB 이상의 개선효과를 얻었고, IS-95 CDMA 신호를 인가하였을 때 인접채널 전력 비를 10dB이상 개선시켰다.

• 한국음향학회지
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• 제23권4호
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• pp.303-308
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• 2004

본 논문에서는 전력 증폭기의 선형화를 위해 제안된 feed-forward 선형화 방식을 IMT-2000용 송신 시스템에 적용한 새로운 송신 시스템 구조를 제안한다. 이 시스템에서 feed-forward 구조는 왜곡 성분을 비교하고 제거하기 위해 보조신호(reference signal)을 필요로 하는데, 이 보조신호는 무시할 정도로 낮은 왜곡을 갖도록 낮은 입력 동작 범위에서 동작하는 두 번째 변조기에서 만들어 진다. 이런 구조로 한 결과송신 시스템에서 증폭기뿐만 아니라 변조기의 왜곡을 줄일 수 있다는 큰 장점이 있다. 본 논문의 시스템은 Agilent 社의 EEsoft ADS ver.2002를 사용하여 설계하였으며, 입력은 1.98GHz 주파수 대역에서 2MHz의 주파수 간격을 갖는 2-tone으로 하였고, 약 49.95dB의 IMD 개선 특성을 얻어, 본 논문에서 제안하는 시스템은 간단함과 선형성을 동시에 제공할 수 있다는 것을 입증하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1697-1699
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• 2004

In this investigation, we have studied the diffusion of the $Cu^+$ ion in the Cu/Ta/SiOCH/Si and Cu/Ta/$SiO_2$/Si MIS-C structure. The Cu ions diffusion into the Ta barrier and SiOCH was examined by shift in flatband voltage of capacitance-voltage measurement and leakage current of current-voltage measurement. These evalution indicated that $Cu^+$ ion diffusion rate in Ta/SiOCH is considerably lower then the Ta/$SiO_2$ structure. And diffusion barrier Ta(50[nm]) is useful barrier against $Cu^+$ ion diffusion up to 450$^{\circ}C$.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제44권2호
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• pp.76-80
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• 2007

본 논문에서는 이중 바이어스 조절과 PBG 구조를 이용하여 Doherty 증폭기의 효율과 선형성을 개선하였다. PBG 구조를 출력 정합회로에 구현하였으며, 이중 바이어스 조절을 Carrier Amplifier에 적용하여 낮은 입력레벨에서도 Doherty 증폭기의 효율을 개선 할 수 있었다. 제안된 구조를 이용한 Doherty 증폭기는 기존의 전력증폭기에 비해 PAE는 8 %, IMD3는 -5 dBc 개선하고, 모든 입력전력레벨에서 30 % 이상의 고효율을 가질 수 있었다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제6권1호
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• pp.74-77
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• 2000

Ta-doped PZT thin films prepared by reactive co-sputtering method could be transformed into single grained perovskite structure utilizing physical etching of Pt bottom electrode. It is found that PZT perovskite phase on damaged (111) Pt electrode by IMD was more easily crystallized than random oriented Pt electrode and less crystallized than (111) Pt electrode. This shows that amorphized Pt electrode surface by IMD process has an effect on crystallization of PZT perovskite phase. 40$\mu\textrm{m}\times40\mu\textrm{m}$ square shape single grain PZT array could be obtained utilizing the difference of incubation time for nucleation of rosettes between ion damaged Pt and (111) oriented Pt electrode. Single grained PZT thin films show low leakage current density of $1\times10^{-7}$ A/$\textrm{cm}^2$ and high break down field of 440kV/cm. The loss of remanent polarization after $10^{11}$ cycles was less than 15% of initial value.

• 한국전자파학회논문지
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• 제11권8호
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• pp.1407-1413
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• 2000

본 논문에서는 기지국용 전력 증폭기의 혼 변조 성분들을 극도로 억압하기 위해서 Error feedback 방식을 사용한 Feedforward 선형 전력 증폭기를 설계하였다. 특히, 제안된 선형 전력 증폭기는 기존의 피드백 기술의 단점인 증폭 이득의 손실을 없앤 Error feedback 기술과 Feedforward 기술을 혼합하여 적용하였다. 제안된 선형 전력 증폭기는 HP사의 EEsof ADS ver.1.3을 사용해서 설계.제작하였다. 측정결과, 이득 28 ㏈, P1㏈ 31 ㏈m인 주 전력 증폭기에 -7 ㏈m/tone을 갖는 1850 MHz와 1851.25 MHz의 2-tone 신호를 인가한 결과 전체 IMD가 약 35 ㏈ 개선되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.81-81
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• 2007

Chemical mechanical polishing (CMP) 공정은 deep 서브마이크론 집적회로의 다층배선구조률 실현하기 위해 inter-metal dielectric (IMD), inter-layer dielectric layers (ILD), pre-metal dielectric (PMD) 층과 같은 절연막 외에도 W, Al, Cu와 같은 금속층을 평탄화 하는데 효과적으로 사용되고 있으며, 다양한 소자 제작 및 새로운 물질 등에도 광범위하게 응용되고 있다. 하지만 Cu damascene 구조 제작으로 인한 CMP 응용 과정에서, 기계적으로 깨지기 쉬운 65 nm의 소자 이하의 구조에서 새로운 저유전상수인 low-k 물질의 도입으로 인해 낮은 하력의 기계적 연마가 필요하게 되었다. 본 논문에서는 전기화학적 기계적 연마 적용을 위해, I-V 특성 곡선을 이용하여 active, passive, transient, trans-passive 영역의 전기화학적 특성을 알아보았으며, Cu 막의 표면 형상을 알아보기 위해 scanning electron microscopy (SEM) 측정과 energy dispersive spectroscopy (EDS) 분석을 통해 금속 화학적 조성을 조사하였다.