• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.603-603
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• 2012

최근에 전면 emitter의 doping profile이 다른 selective emitter solar cell은 실제 제작시단파장 영역에서 많은 gain을 얻을 수 없어 LBC 구조의 태양전지에 관한 연구가 많이 진행되고 있다. 본 연구는 TCAD simulation을 이용하여 후면에 형성되는 locally doped BSF(p++) region의 doping profile의 변화에 따른 태양전지 특성에 관한 연구이다. Al으로 형성되는 local back contact의 doping depth 및 surface concentration에 따른 전기적, 광학적 분석을 통해 주도적인 인자를 분석하고 최적화하였다. 특히 doping depth에 따른 변화보다는 surface concentration의 변화에 따른 특성변화가 주도적으로 나타났다.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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• pp.247-250
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• 1999

We have performed $^{63,65}$Cu nuclear quadrupole resonance (NQR) measurements on Zn and Ni doped YBa$_2Cu_3O_7$ (YBa$_2Cu_{3-x}M_xO_7$, M=Zn or Ni, x = 0.00 ${\sim}$ 0.09). Doping effects are markedly different in relaxation rates as well as in superconducting transition temperatures. Both the spin-lattice and the spin-spin relaxation rates decrease for Zn doped YBCO. However, those increase for Ni doped YBCO. This contrast in local electronic dynamics provides a clear microscopic evidence that Zn forms no local moment, while Ni develops a local moment. Consequently, the antiferromagnetic spin fluctuation is suppressed by Zn doping whereas it is preserved by Ni doping.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.19-22
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• 2003

In this paper, a new small size Lateral Trench Electrode Power MOSFET with local doping is proposed. This new structure is based on the conventional lateral power MOSFET. The entire electrodes of proposed device are placed in trench oxide. The forward blocking voltage of the proposed device is improved by 3.3 times with that of the conventional lateral power MOSFET. The forward blocking voltage of proposed device is about 500V. At the same size, a increase of the forward blocking voltage of about 3.3 times relative to the conventional lateral power MOSFET is observed by using TMA-MEDICI which is used for analyzing device characteristics. Because the electrodes of the proposed device are formed in trench oxide respectively, the electric field in the device are crowded to trench oxide. And because of the structure which has a narrow drain doping width, the punch through breakdown can be occurred in higher voltage than that of conventional lateral power MOSFET. We observed that the characteristics of the proposed device was improved by using TMA-MEDICI and that the fabrication of the proposed device is possible by using TMA-TSUPREM4.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권11호
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• pp.1-7
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• 2006

이상적인(ideal) 이중-게이트(double-gate) 벌크(bulk) FinFET의 3차원(3-D) 시뮬레이션을 수행하여 전기적 특성들을 분석하였다. 3차원 시뮬레이터를 이용하여, 게이트 길이($L_g$)와 높이($H_g$), 핀 바디(fin body)의 도핑농도($N_b$)를 변화시키면서 소스/드레인 접합 깊이($X_{jSDE}$)에 따른 문턱전압($V_{th}$), 문턱전압 변화량(${\Delta}V_{th}$), DIBL(drain induced barrier lowering), SS(subthreshold swing)의 특성들을 살펴보았다. 게이트 높이가 35 nm인 소자에서 소스/드레인 접합 깊이(25 nm, 35 nm, 45 nm) 변화에 따라, 각각의 문턱전압을 기준으로 게이트 높이가 $30nm{\sim}45nm$로 변화 될 때, 문턱전압변화량은 20 mV 이하로 그 변화량이 매우 적음을 알 수 있었다. 낮은 핀 바디 도핑농도($1{\times}10^{16}cm^{-3}{\sim}1{\times}10^{17}cm^{-3}$)에서, 소스/드레인 접합 깊이가 게이트전극보다 깊어질수록 DIBL과 SS는 급격히 나빠지는 것을 볼 수 있었고. 이러한 특성저하들은 $H_g$ 아래의 ${\sim}10nm$ 위치에 국소(local) 도핑을 함으로써 개선시킬 수 있었다. 또한 local 도핑으로 소스/드레인 접합 깊이가 얕아질수록 문턱전압이 떨어지는 것을 개선시킬 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 1999년도 춘계종합학술대회
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• pp.385-388
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• 1999

Non-local impact ionization 현상의 해석에 사용될 수 있는 새로운 local model이 제시되었다. 새로운 모델은 임의의 점에서 가상의 선형 전기장과 path integral로 계산되는 유효전기장의 값을 이용한다. 이 모델은 불순물 농도, 전자 및 홀 농도, 전기장의 기울기 둥의 local 변수만을 이용함으로써 기존의 drift-diffusion 소자 시뮬레이터에 쉽게 적용될 수 있다. 결과를 Monte Carlo 시뮬레이션과 비교하여 새로운 모델이 non-local 현상을 잘 설명하는 것을 확인할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.79-80
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• 2009

The local oxidation using an atomic force microscopy (AFM) is useful for Si-base fabrication of nanoscale structures and devices. SiC is a wide band-gap material that has advantages such as high-power, high-temperature and high-frequency in applications, and among several SiC poly types, 4H-SiC is the most attractive poly type due to the high electron mobility. However, the AFM local oxidation of 4H-SiC for fabrication is still difficult, mainly due to the physical hardness and chemical inactivity of SiC. In this paper, we investigated the local oxidation of 4H-SiC surface using an AFM. We fabricated oxide patterns using a contact mode AFM with a Pt/Ir-coated Si tip (N-type, $0.01{\sim}0.025\;{\Omega}cm$) at room temperature, and the relative humidity ranged from 40 to 50%. The height of the fabricated oxide pattern ($1{\sim}3\;nm$) on SiC is similar to that of typically obtained on Si ($10^{15}{\sim}10^{17}\;cm^{-3}$). We perform the 2-D simulation to further analyze the electric field between the tip and the surface. Whereas the simulated electric field on Si surface is constant ($5\;{\times}\;10^7\;V/m$), the electric field on SiC surface increases with increasing the doping concentration from ${\sim}10^{15}$ to ${\sim}10^{17}\;cm^{-3}$. We demonstrated that a specific electric field ($4\;{\times}\;10^7\;V/m$) and a doping concentration (${\sim}10^{17}\;cm^{-3}$) is sufficient to switch on/off the growth of the local oxide on SiC.

• 한국분말재료학회지
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• 제27권2호
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• pp.146-153
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• 2020

The co-doping effect of aliovalent metal ions such as Mg²⁺, Ca²⁺, Sr²⁺, Ba²⁺, and Zn²⁺ on the photoluminescence of the Y₂O₃:Eu³⁺ red phosphor, prepared by spray pyrolysis, is analyzed. Mg²⁺ metal doping is found to be helpful for enhancing the luminescence of Y₂O₃:Eu³⁺. When comparing the luminescence intensity at the optimum doping level of each Mg²⁺ ion, the emission enhancement shows the order of Zn²⁺ ≈ Ba²⁺ > Ca²⁺ > Sr³⁺ > Mg²⁺. The highest emission occurs when doping approximately 1.3% Zn²⁺, which is approximately 127% of the luminescence intensity of pure Y₂O₃:Eu³⁺. The highest emission was about 127% of the luminescence intensity of pure Y₂O₃:Eu³⁺ when doping about 1.3% Zn²⁺. It is determined that the reason (Y, M)₂O₃:Eu³⁺ has improved luminescence compared to that of Y₂O₃:Eu³⁺ is because the crystallinity of the matrix is improved and the non-luminous defects are reduced, even though local lattice strain is formed by the doping of aliovalent metal. Further improvement of the luminescence is achieved while reducing the particle size by using Li₂CO₃ as a flux with organic additives.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제55권2호
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• pp.253-257
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• 2017

그래핀은 $sp^2$ 결합으로 이루어진 한 겹의 탄소 물질이며, 그래핀 본래의 우수한 물성으로 인해 다양한 분야에서 활용되고 있다. 그래핀의 높은 전기전도도와 전하이동도로 인해서 (광)전자 소자 물질로 주목받고 있다. 화학적 도핑 과정을 통해 n 형과 p 형의 그래핀이 형성 가능하며 이를 이용하여 다양한 구조의 소자 형성이 가능하게 되었다. 본 연구에서 그래핀의 도핑 효과를 선택적으로 증대시키기 위해 유전영동 현상을 도입하였다. 주파수 10 kHz, $5V_{pp}$ (peak-to-peak voltage) 조건에서 유전 영동 현상을 이용하였을 때 금나노입자들이 전극 위치 주변으로 집중됨을 확인하였다. 그래핀의 도핑 효과를 라만 분광법과 전기적 물성 변화를 통하여 조사하였으며, 그래핀에 $AuCl_3$ 용액을 이용한 유전 영동 현상을 통하여, 그래핀 기반 소자의 국소적인 부분에 선택적으로 화학적 도핑이 가능함을 확인하였다. 이러한 연구는 그래핀 기반 소자와 interconnection 등에 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권4호
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• pp.294-297
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• 2012

In this work, local oxidation behavior in phosphorous ion-implanted 4H-SiC has been investigated by using atomic force microscopy (AFM). The AFM-local oxidation (AFM-LO) has been performed on the implanted samples, with and without activation anneal, using an applied bias (~25 V). It has been clearly shown that the post-implantation annealing process at $1,650^{\circ}C$ has a great impact on the local oxidation rate by electrically activating the dopants and by modulating the surface roughness. In addition, the composition of resulting oxides changes depending on the doping level of SiC surfaces.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.394-394
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• 2011

최근 태양전지의 후면에서 통상적으로 사용되는 Al을 이용한 후면의 BSF형성과 그에 관한 연구보다 계면의 recombination을 줄이기 위하여 passivation 특성이 좋은 층을 후면에 형성하고 국부적으로 BSF를 형성하는 back contact을 형성하여 특성을 향상시키는 연구가 많이 이루어지고 있다. 본 연구는 이러한 local back contact을 boron-BSF를 이용하여 형성하고 passivation layer는 oxide를 이용한 구조를 SILVACO 2-dimension simulation을 이용하여 그 특성을 분석하였다. Boron-local back contact 구조에서 boron-BSF의 doping concentration, depth, lateral width, boron-BSF spacing 가변을 통해 태양전지의 특성변화에 대해서 spectrum response를 통한 QE 분석 및 I-V를 분석하여 최적화하였다.