본 논문에서는 유한체 GF($2^m$)상에서 모든 항에 0이 아닌 계수가 존재하는 기약 다항식을 이용한 두 다항식에 대한 승산 알고리즘을 제시하였으며, 제시된 승산 알고리즘을 이용하여 고속의 병렬 입-출력 모듈구조의 승산기를 설계하였다. 제시한 승산기의 구성은 $m^2$개의 동일한 기본 셀들로 설계되었으며, 제시한 기본 셀은 2입력 XOR 게이트와 2입력 AND 게이트로 구성하였다. 셀에 래치를 사용하지 않았으므로 회로가 간단하며, 셀당 지연시간이 $D_A+D_X$이다. 본 연구에서 제안한 승산기는 규칙성과 셀 배열에 의한 모듈성을 가지므로 m이 큰 회로의 확장이 용이하며 VLSI회로 실현에 적합할 것이다.
Purpose: This study was a systematic review and meta-analysis designed to evaluate the effects of breastfeeding intervention on breastfeeding rates. Methods: Based on the guidelines of the Preferred Reporting Items for Systematic Reviews and Meta-analyses (PRISMA), a systematic search was conducted using eight core electronic databases and other sources including gray literature from January 9 to 19, 2017. Two reviewers independently select the studies and assessed methodological risk of bias of studies using the Cochrane criteria. The topics of breastfeeding interventions were analyzed using descriptive analysis and the effects of intervention were meta-analyzed using the Review Manager 5.2 software. Results: A total of 16 studies were included in the review and 15 were included for meta-analysis. The most frequently used intervention topics were the importance of good latch-on and frequency of feeding and determining adequate intake followed. The pooled total effect of breastfeeding intervention was 1.08 (95% CI 1.03~1.13). In the subgroup analysis, neither pre-nor post-childbirth intervention was effective on the breastfeeding rates at 1, 3, and 6 months, and neither group nor individual interventions had an effect. Only the 1 month breastfeeding rate was found to be affected by the individual intervention with the persistent strategies 1.21 (95% CI 1.04~1.40). Conclusion: Effective breastfeeding interventions are needed to help the mother to start breastfeeding after childbirth and continue for at least six months. It should be programmed such that individuals can acquire information and specific breastfeeding skills. After returning home, there should be continuous support strategies for breastfeeding as well as managing various difficulties related to childcare.
본 논문에서는 dual-rail data encoding방식을 적용하여 비동기식시스템을 설계할 때, 신호천이를 줄이고 소비전력을 줄이기 위하여 4-phase handshaking 프로토콜과 2-phase handshaking 프로토콜을 혼합한 dual-rail data encoding방식을 제안한다. 기존의 dual-rail data encoding 4-phase handshaking 프로토콜은 space state가 존재함으로 말미암아 신호 천이가 많이 발생하게 되고 많은 전력소비를 발생한다. 이론적으로 dual-rail data encoding 2-phase handshaking 프로토콜은 dual-rail data encoding 4-phase handshaking 프로토콜보다 빠르고 신호천이도 적지만 표준 라이브러리를 사용하여 설계할 수 없다. 제안하는 혼합형 dual-rail data encoding 방식의 성능을 평가하기 위하여 Adder블록, Multiplier블록, Latch를 포함한 benchmark회로를 설계를 설계하였다. Benchmark회로를 이용하여 시뮬레이션해본 결과, 제안하는 혼합형 dual-rail data encoding방식은 기존의 dual-rail data encoding 4-phase handshaking 프로토콜에 비해 35%이상 전력소비가 감소되는 결과를 얻었다.
본 논문에서는 파워클램프용 높은 홀딩 전압을 갖는 사이리스터(SCR: Silicon Controlled Rectifier)구조에 기반한 새로운 구조의 ESD 보호회로를 제안하였다. 제안된 보호회로는 기존의 SCR 구조의 p-well과 n-well에 floating p+, n+를 삽입하여 홀딩 전압을 증가 시켰다. 제안된 보호회로는 높은 홀딩전압 특성으로 높은 래치업 면역성을 갖는다. 본 연구에서 제안된 보호회로의 전기적 특성 및 ESD 감내특성을 확인하기 위해 Synopsys사의 TCAD Tool을 이용하여 시뮬레이션을 수행하였다. 시뮬레이션 결과 제안된 보호회로는 기존 SCR 기반 ESD 보호회로보다 약 4.98 V의 높은 홀딩전압과 추가적인 floating 영역의 사이즈 변화로 최대 13.26 V의 홀딩전압을 갖는 것을 확인하였다. 또한 기존 SCR 기반 보호회로와 동일한 수준의 감내특성을 갖는 것으로 확인되었다.
본 논문에서는 기존 ESD 보호소자인 SCR과 MVSCR, LVTSCR의 Turn-on-Time 및 전기적 특성을 시놉시스사의 T-Cad 시뮬레이션을 통하여 분석하였다. 분석결과 세 소자 모두 대략 2V 에서 3V 내외의 홀딩전압 특성을 보였으며, SCR은 약 20V의, MVSCR은 약 12V, LVTSCR은 9V로 순차적으로 개선된 트리거 특성을 보였다. 턴-온타임 시뮬레이션 결과는 SCR이 2.8ns, MVSCR과 LVTSCR은 각각 2.2ns, 2.0ns로 LVTSCR이 가장 짧은 턴-온 특성을 보였다. 반면 IT2 는 SCR이 약 7.7A, MVSCR은 5.5A LVTSCR은 4A의 특성을 보였으므로 I/O 및 파워 클램프 단에 적용 시 동작전압에 따른 최적화된 소자를 선택해야 한다.
In the Total Artificial Heart (TAH) and Ventricular Assist Device (VAD), the size implanting the internal controller into human body is very serious problem. Hence, we need the size reduction of that controller for safe implantation. Using PSD302 chip for microcontroller-based applications, we could decrease the number of components in the digital control board and miniaturize the digital control board. We could replace a ROM, RAM, and a latch with that single chip, so the size of the newly developed board could be half the previous board.
본 논문에서는 전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1T-SRAM 리페어용 리던던시 제어 회로를 설계하였다. 공급전원이 낮아지더라도 외부 프로그램 전원을 사용하여 높은 프로그램 파워를 eFuse (electrical fuse)에 공급하면서 셀의 읽기 전류를 줄일 수 있는 듀얼 포트 eFuse 셀을 제안하였다. 그리고 제안된 듀얼 포트 eFuse 셀은 파워-온 읽기 기능으로 eFuse의 프로그램 정보가 D-래치에 자동적으로 저장되도록 설계하였다. 또한 메모리 리페어 주소와 메모리 액세스 주소를 비교하는 주소 비교 회로는 dynamic pseudo NMOS 로직으로 구현하여 기존의 CMOS 로직을 이용한 경우 보다 레이아웃 면적을 19% 정도 줄였다. 전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1T-SRAM 리페어용 리던던시 제어 회로는 동부하이텍 $0.11{\mu}m$ Mixed Signal 공정을 이용하여 설계되었으며, 레이아웃 면적은 $249.02{\times}225.04{\mu}m^{2}$이다.
Purpose: The Korean government has implemented a Barrier Free Certification System since 2008 to create a secure and convenient environment for the socially disadvantaged. The drastic increase in the number of BF-certification facilities is expected due to the revision of the system and increasing the number of certification institutions. An analysis of individual evaluation items needs to be made for the BF-Certification with public confidence. Method: Korean standard, International Standard(ISO/FDIS 21542, 2011), German Standard(DIN 18040-1, 2010), Austrian Standard(${\ddot{O}}NORM$ B 1600, 2017) and Swiss Standard(Norm SIA 500 / SN 521 500, 2009) were investigated and analyzed. A comprehensive improvement plan is proposed by comparing details of the aforementioned standards and the evaluation items of BF-Certification. Results: Many problems arise in applying existing Barrier-free standards due to changes in population structure, environmental change and the use of powered wheelchairs. International standards are being improved to solve these problems. The korean standards also require improving of the Barrier Free Law and Certification System, which reflect these trends. In korean cases, standards such as the size of the doors (width and height), the Unobstructed Manoeuvring Space and Clear Space at the Latch side of the Door are required to improve standards in accordance with international standards. In addition, the expression of laws and evaluation items of BF-Certification should be clearly defined. And the application of visual contrast standards for the enhancement of perceptions presented in international standards should be considered. Implication: Barrier Free related legal standards and evaluation items of BF-Certification that are used in Korea are required to be revised in consideration of social and environmental changes. Comprehensive improvements should be made through detailed review.
This study examined the malfunction mode of the HCMOS IC under narrow-band high-power electromagnetic wave. Magnetron is used to a narrow-band electromagnetic source. MFR (malfunction failure rate) was measured to investigate the HCMOS IC. In addition, we measured the resistance between specific pins of ICs, which are exposed and not exposed to the electromagnetic wave, respectively. As a test result of measurement, malfunction mode is shown in three steps. Flicker mode causing a flicker in LED connected to output pin of IC is dominant in more than 7.96 kV/m electric field. Self-reset mode causing a voltage drop to the input and output of IC during electromagnetic wave radiation is dominant in more than 9.1 kV/m electric field. Power-reset mode making a IC remained malfunction after electromagnetic radiation is dominant in more than 20.89 kV/m. As a measurement result of pin-to-pin resistance of IC, the differences between IC exposed to electromagnetic wave and normal IC were minor. However, the five in two hundred IC show a relatively low resistance. This is considered to be the result of the breakdown of pn junction when latch-up in CMOS occurred. Based on the results, the susceptibility of HCMOS IC can be applied to a basic database to IC protection and impact analysis of narrow-band high-power electromagnetic waves.
본 논문에서는 트랜지스터의 문턱전압 보다 낮은 초저전압 환경에서도 안정적으로 동작할 수 있는 8T SRAM에 대해 기술하였다. 제안한 메모리 셀은 대칭적인 8개의 트랜지스터로 구성되며, 셀 내부의 데이터 저장 래치는 열 방향의 보조라인을 통해 제어된다. 읽기동작 시, 데이터 저장노드와 비트라인이 동적으로 분리되어 비트라인으로부터 교란을 받지 않는다. 또한, 노이즈에 민감한 '0'-노드 전압상승이 낮아 dummy-read 안정도가 높다. 아울러, 제안한 셀은 쓰기능력을 높이기 위해 boosting 전압을 사용한다. 상용화된 8T SRAM 셀과 비교했을 때, 제안한 셀의 dummy-read 마진과 쓰기마진이 0.4 V 전원 전압에서 각각 65%, 3.7배 향상된 안정성을 보이며, 공정변화에 따른 안정도의 내성이 더 우수하다. 활용 예시를 위해 산업체에서 제공하는 180 nm CMOS 공정으로 SRAM 회로를 설계하여 그 동작 및 성능을 검증하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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