• Radiation Oncology Journal
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• 제8권1호
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• pp.7-15
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• 1990

원자력병원 치료방사선과에서는 자입온열치료 등을 위한 역동적 조직 등가물을 자체 고안하여 제작된 역동적 조직등가물에서 얻은 결과와 실제 가묘 대뇌실질에 자입온열치료를 시행해서 얻은 결과에서 다음과 같은 결론에 도달하여 향후 인위적으로 유발시킨 가묘 대뇌실질 내 악성종양에 대한 실험적 연구의 기초가 되고 암치료율 향상을 위한 시발로 삼으려 한다. 1, 915MHz 극초단파를 이용한 자입온열기 단말의 치료가능 용적은 $50\%$ S.A.R. (specific absorption rate)에 의하면 $2\;cm\times\;cm\times6\;cm$이었다. 2, 순환이 되지 않는 정적 조직등가물에서는 공기 중 압력분포와 같았고 자입온열치료기 가동후 $5\~10$분 내에 극초단파에 의해 간섭받지 않는 Ga-As fiberoptic thermistor로 측정되지 않는 $55^{\circ}C$ 이상의 온도 이상으로 상승됨이 관찰되었다. 3, 생리식염수를 순환시킨 역동적 조직등가물에서 자입온열치료기 가동 후 5분 이내의 경과기(transit period)를 거쳐 45분 이상의 안정기 (steady peroid)를 얻을 수 있었다. 4, 역동적 조직등가물에서 순환을 차단하면 정적 등가물과 같은 온도 상승이 관촬되었다. 5, 가묘 대뇌실질에 대한 자입온열치료를 5 Watts이하의 출력으로 사용하는 경우 비교적 안정되게 시행 가능했고 순환차단에 의한 급격한 온도상승이 관찰되었고 최고 $55^{\circ}C$ 이상까지 걸리는 시간이 출력 5, 10 및 15 Watts에서 각각 15.2 (SE 0.4), 9.7 (SE 0.3) 그리고 6.3 (SE 0.4)분 이었다. 본 연구는 기초 생물학적 실험이지만, 그 결과는 임상 암치료 방법에 직접 이용되는 것이며 또한 치료수행을 위해 반드시 필요한 과정이다. 따라서 치료방법의 결정, 성적분석, 치료 부작용의 예측 및 대책확립 등에 적용될 뿐만 아니라, 외국의 치료결과와 비교시 본원 온열치료의 특성제시에 활용될 수 있다.

• Applied Microscopy
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• 제36권3호
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• pp.155-163
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• 2006

합성 사파이어 기판 시료-GaN반도체의 성장기판으로 사용된-의 내재하는 결함 형태를 전통적인 투과식 전자현미경 조사기법 (TEM), LACBED, HAADF-STEM 방법으로 관찰 분석하였다. 이 시료에서 주로 발견된 결함들은 두께 ${\sim}2nm$에서 32nm를 가진(0001)면 미소 쌍정(basal microtwins), 모체 결정과의 계면 주위의 변형 결함, (0001)면 전위결함(basal dislocations), 그리고 {$2\bar{1}\bar{1}3$} 피라미드 미끄럼면 중 한 면에서 일어나는 복잡한 형태의 전위 결함들이다 이들(0001)면 및 {$2\bar{1}\bar{1}3$}면에 전위 결함들은 미소 쌍정과 강하게 관련되어 일어나는 것으로 보인다. 또한 전위결함 밀도는 매우 균일하지 않으며 수 ${\mu}m$의 크기의 결함 밀집 영역에서는 그 밀도가 ${\sim}10^{10}/cm^2정도만큼 높지만 시료 전체에서의 평균은 대체적으로 ${\sim}10^5/cm^2보다 작다. 이 값은 보통 합성되는 결정에서 평균적으로 예상되는 수치이다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제34권7호
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• pp.991-996
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• 2010

Blue-green and green LEDs have been successfully fabricated grown by MBE, which has introduced the $ZnS_ySe_{1-x-y}:Te_x$ (x=0.04, y~0.11-0.14) ternary epilayer as an active layer. From the I-V characteristics, the built-in voltage (~2.1 V) is very small compared to other wide bandgap LEDs, such as commercial InGaN-based LEDs (>3.2 V). From the C-V profiling, the effective carrier concentration in the p-type ZnMgSSe cladding layer was evaluated as ${\sim}2.8{\times}10^{16}\;cm^{-3}$ for the present LEDs.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.459-460
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• 2008

Zinc oxide micro rods were fabricated using as chemical bath deposition ok photolithography. Vertically aligned Zinc Oxide rod array as grown by chemical bath deposition method on Zinc Oxide template layer. The ZnO template layer was deposited on glass and the pattering was made by standard photolithography technique. The selective growth of ZnO micro rods were achieved with the masked ZnO template layer substrate. The fabricated ZnO micro rods were found to be single crystalline and have grown along hexagonal c-axis direction of (0002) which is same as the preferred growth orientation of ZnO template layer. The ZnO micro-rod array structure was implemented as a window layer in Cu(InGa)Se2 solar cell and its effect on photovoltaic efficiency was examined.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권5호
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• pp.389-396
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• 1994

The bilayer film of Ag/a-S $e_{75.G}$ $e_{25}$ and the monolayer film of a-S $e_{75.G}$ $e_{25}$ act as a negative-type and a positive-type resist in focused ion beam lithography, respectively. Using a model which takes into account the ion stopping power, the ion projected range, the ion concentration implanted into resists and the ion transmission coefficient, etc., the ion resist parameters are calculated for a broad range of ion energies and implanted doses. Ion sources of A $r^{+}$, S $i^{++}$ and G $a^{+}$ are used to expose resists. As the calculated results, the energy loss per unit distance by Ga'$^{+}$ ion is about 10$^{3}$[keV/.mu.M] and nearly constant for all energy range. Especially, the projected range and struggling for 80[keV] G $a^{+}$ ion energy are 0.0425[.mu.m] and 0.020[.mu.m], , respectively and the resist thickness of a-S $e_{75}$ G $e_{25}$ to minimize the ion penetration rate into a substrate is 0.118[.mu.m].u.m]..u.m].

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.170-170
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• 2012

최근 주목받고 있는 amorphous InGaZnO (a-IGZO) thin film transistors (TFTs)는 수소가 첨가된 비정질 실리콘 TFT (a-Si;H)에 비해 비정질 상태에서도 높은 이동도와 뛰어난 전기적, 광학적 특성에 의해 큰 주목을 받고 있다. 또한 넓은 밴드갭에 의해 가시광 영역에서 투명한 특성을 보이고, 플라스틱 기판 위에서 구부러지는 성질에 의해 플랫 패널 디스플레이나 능동 유기 발광 소자 (AM-OLED), 투명 디스플레이에 응용되고 있다. 하지만, 실제 디스플레이가 동작하는 동안 스위칭 TFT는 백라이트 또는 외부에서 들어오는 빛에 지속적으로 노출되게 되고, 이 빛에 의해서 TFT 소자의 신뢰성에 악영향을 끼친다. 또한, 디스플레이가 장시간 동안 동작 하면 내부 온도가 상승하게 되고 이에 따른 온도에 의한 신뢰성 문제도 동시에 고려되어야 한다. 특히, 실제 AM-LCD에서 스위칭 TFT는 양의 게이트 전압보다 음의 게이트 전압에 의해서 약 500 배 가량 더 긴 시간의 스트레스를 받기 때문에 음의 게이트 전압에 대한 신뢰성 평가는 대단히 중요한 이슈이다. 스트레스에 의한 문턱 전압의 변화는 게이트 절연막과 반도체 채널 사이의 계면 또는 게이트 절연막의 벌크 트랩에 의한 것으로 게이트 절연막의 선택에 따라서 신뢰성을 효과적으로 개선시킬 수 있다. 본 연구에서는 적층된 $Si_3N_4/SiO_2$ (NO 구조) 이중층 구조를 게이트 절연막으로 사용하고, 완충층의 역할을 하는 $SiO_2$막의 두께에 따른 소자의 전기적 특성 및 신뢰성을 평가하였다. a-IGZO TFT 소자의 전기적 특성과 신뢰성 평가를 위하여 간단한 구조의 pseudo-MOS field effect transistor (${\Psi}$-MOSFET) 방법을 이용하였다. 제작된 소자의 최적화된 $SiO_2$ 완충층의 두께는 20 nm이고 $12.3cm^2/V{\cdot}s$의 유효 전계 이동도, 148 mV/dec의 subthreshold swing, $4.52{\times}10^{11}cm^{-2}$의 계면 트랩, negative bias illumination stress에서 1.23 V의 문턱 전압 변화율, negative bias temperature illumination stress에서 2.06 V의 문턱 전압 변화율을 보여 뛰어난 전기적, 신뢰성 특성을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.265-265
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• 2011

자발형성법으로 InP (001) 기판에 성장한 InAs/InAlGaAs 양자점(QDs: quantum dots)의 광학적 특성을 PL (photoluminescence)와 TRPL (time-resolved PL)을 이용하여 분석하였다. InAs QDs 시료는 single layer InAs QDs (QD1)과 7-stacked InAs QDs (QD2)를 사용하였다. 두 시료 모두 저온 (10 K)에서 1,320 nm에서 PL 피크가 나타나고, 온도가 증가함에 따라 PL 피크는 적색편이 (red-shift)를 보였다. 양자점의 온도를 10 K에서 300 K까지 증가하였을 때 QD1은 178 nm 적색편이 하였으며, PL 스펙트럼 폭은 온도가 증가함에 따라 증가하였다. 그러나 QD2는 264 nm 적색편이를 보였으며 PL 스펙트럼의 폭은 QD1 시료와 반대로 온도가 증가함에 따라 감소하였다. QD2의 아주 넓은 PL 스펙트럼 폭과 매우 큰 적색편이는 InAs 양자점 크기의 변화가 QD1에 비해 훨씬 크기 때문이다. QD2의 경우 InAs 층수(layer number)가 증가함에 따라 InAs QD의 크기가 점차 증가하므로 QD 크기의 변화가 single layer인 QD1 시료보다 훨씬 크다. QD1의 PL 소멸은 파장이 증가함에 따라 점차 느려지다가 PL 피크 근처에서 가장 느린 소멸 곡선을 보이고, 파장이 더 증가하였을 때 PL 소멸은 점차 빠르게 소멸하였다. 그러나 QD2의 PL 소멸곡선은 파장이 증가함에 따라 점차 빠르게 소멸하였다. 이것은 QD2는 양자점 크기의 변화가 매우 크기 때문에 (lateral size=18~29 nm, height=2.8~5.9 nm) 방출파장이 증가함에 따라 양자점 사이의 파동함수의 겹침이 증가하여 캐리어의 이완이 증가하기 때문으로 설명된다. 온도에 따른 TRPL 결과는 두 시료 모두 10 K에서 150 K 까지는 소멸시간이 증가하였고, 150 K 이후부터는 소멸시간이 감소하였다. 온도가 증가함에 따라 소멸시간이 증가하는 것은 양자점에서 장벽과 WL (wetting layer)로 운반자(carrier)의 이동, 양자점들 사이에 열에 의해 유도된 운반자의 재분배 등으로 인한 발광 재결합으로 설명할 수 있다. 150 K 이상에서 소멸시간이 감소하는 것은 열적효과에 의한 비발광 재결합 과정에 의한 운반자의 소멸이 증가하기 때문이다. 온도에 따른 TRPL 결과는 두 시료 모두 150 K까지는 발광재결합이 우세하고, 150 K 이상에서 비발광재겹합이 우세하게 나타났다.

• 한국태양광발전학회지
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• 제3권1호
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• pp.42-52
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• 2017

페로브스카이트 태양전지는 지난 5년간 광전변환효율이 약 10%에서 22%로 증가하는 급속한 발전으로 주목 받고 있으며, 현재 대면적 공정개발 및 안정성 향상 등의 상용화 기반기술에 대한 연구개발 역시 활발히 진행되고 있다. 이와 동시에, 페로브스카이트는 실리콘 태양전지(1.1eV), CIGS 태양전지(1.1~1.2 eV)와 비교하여 상대적으로 높은 밴드갭에너지(>1.5eV)를 가지고, 할라이드 물질 조성 제어를 통해 쉽게 밴드갭에너지를 조절할 수 있으며, 저온 용액 공정이 가능한 특성에 기인하여 페로브스카이트 태양전지를 상부셀로 이용한 탠덤 태양전지에 대한 다양한 시도가 이루어 지고 있다. 페로브스카이트의 흡광계수, 반사율 등 광학적 특성에서 기인하는 요소들을 고려하면 직렬 형태의 이중접합에서 최대 32%의 광전변환효율 얻을 수 있을 것으로 예측된다. 따라서 본 원고에서는 페로브스카이트, 실리콘 및 Cu(In, Ga) $(S,Se)_2$ (CIGS) 같은 다양한 태양전지와 함께 페로브스카이트 태양전지를 활용하는 탠덤태양전지의 현재 연구 동향을 논의하고자 한다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제10권4호
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• pp.260-264
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• 2010

In this paper, Ni silicide is formed on boron cluster ($B_{18}H_{22}$) implanted source/drains for shallow junctions of nano-scale CMOSFETs and its thermal stability is improved, using vacuum annealing. Although Ni silicide on $B_{18}H_{22}$ implanted Si substrate exhibited greater sheet resistance than on the $BF_2$ implanted one, its thermal stability was greatly improved using vacuum annealing. Moreover, the boron depth profile, using vacuum post-silicidation annealing, showed a shallower junction than that using $N_2$ annealing.

• 한국자원식물학회지
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• 제3권2호
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• pp.115-121
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• 1990

In view of the results to have measured metallic elements which is included in 40 sorts of herb medicines and surveyed their distribution, ninekinds of metals including Co, Ce, Ga, 71, Cd, As, Sbr Bu. Pb, are never orlittle included in almost herb medicines. Other twenty four sorts of ele-ments (Mo, Sc, Be, V, Ni, Su, Se, Ba, Cr, Su, Ti, B, Li, Mg, Ca, Sr, Mnl Fe,Cu, Zn. p, Al, Na, K) are metals that are included in large quentities incomparison with others. Selagirellae Radix contains is kinds of metallicelements more then other herb medicines does. The content of elements ofinorganic metal differs greatly according to the part of herb medicines .