• 제목/요약/키워드: Energy carrier

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전자 조사된 $p^+-n^-$ 접합 다이오드의 결함 특성과 전기적 성질 (The defect nature and electrical properties of the electron irradiated $p^+-n^-$ junction diode)

  • 엄태종;강승모;김현우;조중열;김계령;이종무
    • 한국진공학회지
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    • 제13권1호
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    • pp.14-21
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    • 2004
  • 오늘날 전력소자의 작동에 고주파를 사용하기 때문에 에너지 손실을 줄이기 위해 전력소자의 스위칭 속도를 증가시키는 것은 필수적이다. 본 연구에서는 $p^+- n^-$ 접합 다이오드의 스위칭 속도를 증가시킬 목적으로 minority carrier의 수명을 감소시킬 수 있는 전자조사를 실시하였다. 다이오드의 전기적 성질에 대한 전자조사의 효과를 나타냈다. 스위칭 속도는 효과적으로 증가하였다. 또한 증가될 것으로 예상되는 접합 누설 전류와 전자조사 후 정전압강하는 최적 조건의 에너지와 dose량으로 조사된 $p^+- n^-$접합 다이오드에서는 무시할 수 있는 정도로 나타났다. DLTS와 C-V 분석은 실리콘 기판에서 전자조사로 감소된 결함은 0.284eV와 0.483eV의 에너지 준위를 갖는 donor-like 결함인 것을 보여준다. 본 연구에서의 실험 결과를 고려해 보면, 전자조사는 $p^+- n^-$ 접합 다이오드 전력 소자의 스위칭 속도를 증가시켜 에너지 손실을 감소시킬 수 있는 가장 유용한 기술이라고 결론지을 수 있다.

상태밀도와 overlap integral이 실리콘내 전자의 임팩트이온화율에 미치는 영향 (Influence of the density of states and overlap integral on impact ionization rate for silicon)

  • 정학기;유창관;이종인
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 1999년도 춘계종합학술대회
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    • pp.394-397
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    • 1999
  • 임팩트이온화는 고전계하에서 고에너지를 지닌 캐리어간 산란으로써 전자전송해석에 필수적인 요소이다. 그러나 포물선 또는 비포물선 E-k관계는 고에너지에서 실제 밴드구조와 매우 상이한 결과를 나타내므로 임팩트이온화에 대한 정화한 모델은 풀밴드 E-k관계와 페르미의 황금법칙을 이용하여 제시하고 있다. 본 연구에서는 풀밴드를 이용하여 실리콘 임팩트이온화율에 영향을 미치는 상태밀도와 에너지밴드구조 관계, overlap integral의 에너지에 대한 변화를 조사 분석하였다. 실리콘의 에너지밴드구조를 구하기 위하여 경험적 의사포텐셜방법을 사용하였으며 상태밀도를 구하기 위하여 사면체방법을 사용하였다. 또한 임팩트이온화율을 구하기 위하여 페르미의 황금법칙들 사용하였다. 결과적으로 상태밀도는 에너지증가에 따라 단조 증가하는 임팩트이온화율과 달리 에너지밴드구조에 따라 변화하였다. 그러나 overlap integral은 에너지증가에 따라 큰 값을 갖는 분포가 증가함으로써 임팩트이온화율에 직접 영향을 미치는 것을 알 수 있었다.

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은나노입자의 방사성 동위원소 운반체 적용 유효성 검증 연구 (Feasibility Study on Silver Nanoparticle Application to a Radioisotope Carrier)

  • 장범수;이주상;박해준;김화정;박상현
    • 방사선산업학회지
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    • 제5권3호
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    • pp.197-202
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    • 2011
  • In this study, an Ag-polyaniline-silica (Ag-PANI-silica) nanoparticle was evaluated as a radioisotope carrier. An Ag-PANI-silica nanoparticle was incubated in the $^{125}I$ solution for a duration of 24 hr to test its radioisotope absorptivity. During the incubation, radioactivity of the nanoparticle was measured at 3, 6, 12, and 24 hr. After a 24 hr incubation, $^{125}I$-Ag-PANI-silica nanoparticle was incubated in a fresh saline for a duration of 48 hr to check its stability. Additionally, the $^{125}I$-Ag-PANI-silica nanoparticle was injected to the ICR mouse to investigate its in-vivo distribution characteristics. The $^{125}I$ absorption yield of the Ag-PANI-silica nanoparticle was higher than 95% after a 6 hr incubation period in the $^{125}I$ solution. And $^{125}I$-Ag-PANI-silica was stable for 48 hr at 80% yield at room temperature. The SPECT/CT image of a mouse that received $^{125}I$-Ag-PANI-silica complex showed that the $^{125}I$-Ag-PANI-silica complex was distributed in the lung, stomach and thyroid at 30 min post injection. From these results, the Ag-PANI-silica nanoparticle has good radio-iodine carrying property and can be applicable for the purpose of diagnosis and therapy.

터널 산화막 전하선택형 태양전지를 위한 인 도핑된 비정질 실리콘 박막의 패시베이션 특성 연구 (Passivation Properties of Phosphorus doped Amorphous Silicon Layers for Tunnel Oxide Carrier Selective Contact Solar Cell)

  • 이창현;박현정;송호영;이현주;;강윤묵;이해석;김동환
    • Current Photovoltaic Research
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    • 제7권4호
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    • pp.125-129
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    • 2019
  • Recently, carrier-selective contact solar cells have attracted much interests because of its high efficiency with low recombination current density. In this study, we investigated the effect of phosphorus doped amorphous silicon layer's characteristics on the passivation properties of tunnel oxide passivated carrier-selective contact solar cells. We fabricated symmetric structure sample with poly-Si/SiOx/c-Si by deposition of phosphorus doped amorphous silicon layer on the silicon oxide with subsequent annealing and hydrogenation process. We varied deposition temperature, deposition thickness, and annealing conditions, and blistering, lifetime and passivation quality was evaluated. The result showed that blistering can be controlled by deposition temperature, and passivation quality can be improved by controlling annealing conditions. Finally, we achieved blistering-free electron carrier-selective contact with 730mV of i-Voc, and cell-like structure consisted of front boron emitter and rear passivated contact showed 682mV i-Voc.

케미컬루핑 연소를 위한 산소전달입자의 최소유동화속도 및 고속유동층 전이유속에 미치는 압력의 영향 (Effect of Pressure on Minimum Fluidization Velocity and Transition Velocity to Fast Fluidization of Oxygen Carrier for Chemical Looping Combustor)

  • 김정환;배달희;백점인;박영성;류호정
    • 한국수소및신에너지학회논문집
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    • 제28권1호
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    • pp.85-91
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    • 2017
  • To develop a pressurized chemical looping combustor, effect of pressure on minimum fluidization velocity and transition velocity to fast fluidization was investigated in a two-interconnected pressurized fluidized bed system using oxygen carrier particle. The minimum fluidization velocity was measured by bed pressure drop measurement with variation of gas velocity. The measured minimum fluidization velocity decreased as the pressure increased. The transition velocity to fast fluidization was measured by emptying time method and decreased as the pressure increased. Gas velocity in the fuel reactor should be greater than the minimum fluidization velocity and gas velocity in the air reactor should be greater than the transition velocity to fast fluidization to ensure proper operation of two interconnected fluidized bed system.

이중 선체 선박의 충돌 강도 해석 (The Assessment of Structural Crashworthiness in Collision Using Double Skinned Structural Model)

  • 이경언;원석희;백점기;이제명;김철홍
    • 한국항해항만학회:학술대회논문집
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    • 한국항해항만학회 2004년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.71-76
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    • 2004
  • 선박의 충돌 또는 좌초 사고에 대응하기 위하여 위험 화물을 운반하는 선박의 경우 이중 선체를 채용하고 있으나 이중선체의 충돌 에너지 흡수 정도와 내판의 파단 여부를 효과적으로 판단하는 기준은 아직 연구 대상으로 남아 있다. 본 연구에서는 실제선박의 충돌강도 해석을 하기 위해서 상용해석코드인 LS-DYNA3D를 사용하고 다양한 시나리오에 따라 동적 해석을 수행하였다. 본 연구를 위하여 46K의 Chemical/Product Carrier를 해석 대상 선박으로 정하여 하중 조건과 충돌 속도를 달리하여도 Energy-Indentation, Force-Indentation에 관한 연구를 수행하였다. 본 연구를 통해 얻어진 결과 및 정의는 충돌 사고에서의 매커니즘과 충돌 강도 평가에 유익한 정보를 제공하게 될 것이라 판단된다.

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ZnO 박막의 증착 두께에 따른 Photon Energy 특성에 관한 연구 (A Study on the Photon Energy Characteristics of ZnO Thin Film According to Coating Thickness)

  • 이정일;서장수;정성교;김병인
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 기술교육전문연구회
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    • pp.75-81
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    • 2003
  • This study evaporates ZnO layer thickness differently with RF sputtering method on Si Wafer(n-100). This study is performed to examine the characteristics of photon energy and dielectric loss according to the thickness of ZnO and increase the reliability and reproduction of ZnO thin film. It is confirmed that the variation of electric Permittivity by frequency is resulted from the formation of particles within thin film, the particle size and the polarization on grain boundary. Peak of electric Permittivity value of thin film has slower and less value in early low wavelength by the coulomb force involved in carrier combination according to the increase of frequency. Reversal of electric Permittivity values is induced by dipole polarization shown in the dielectric of thin film. Complex electric constant $({\varepsilon}_1{\varepsilon}_2)$ has larger peak values as it’s thickness is thinner and then it is larger according to the increase of frequency. Electric Permittivity by photon energy has large value in imaginary number and is reduced exponentially by the increase of carrier density according to that of photon energy.

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가압 기포유동층에서 산소전달입자들의 환원반응특성 (Reduction Characteristics of Oxygen Carriers in a Pressurized Bubbling Fluidized Bed)

  • 윤주영;배달희;백점인;류호정
    • 한국수소및신에너지학회논문집
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    • 제27권5호
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    • pp.589-596
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    • 2016
  • Effects of pressure, temperature, gas velocity, and fuel flow rate on reduction of three oxygen carriers, SDN70, OC-1, OC-2, were measured and investigated in a pressurized bubbling fluidized bed reactor. Among three oxygen carriers OC-2 was selected as the best oxygen carrier in view of fuel conversion and $CO_2$ selectivity. However, all oxygen carriers showed good reactivity even at high pressure conditions. SDN70 particle showed maximum reactivity at $900^{\circ}C$ and low reactivity at $950^{\circ}C$. However, reactivity decay of OC-1 and OC-2 particles at high temperature condition was negligible. The fuel conversion and the $CO_2$ selectivity slightly decreased as the gas velocity increased, whereas they are slightly increased as the fuel concentration increased.

RF Sputtering으로 제작한 ZnO 박막의 Photon Energy 특성 (The Photon Energy Characteristics of ZnO Thin Film Fabricated by RF Sputtering)

  • 김병인;김원배;정성교;김덕태;최영일;김형곤;송찬일
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 제4회 영호남학술대회 논문집
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    • pp.73-79
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    • 2002
  • This study evaporates ZnO layer thickness' differently with RF sputtering method on Si Wafer(n-100). This study is performed to examine the characteristics of photon energy and dielectric loss according to the thickness of ZnO and increase the reliability and reproduction of ZnO thin film. It is confirmed that the variation of electric Permittivity by frequency is resulted from the formation of particles within thin film, the particle size and the polarization on grain boundary. Peak of electric Permittivity value of thin film has slower and less value in early low wavelength by the coulomb force involved in carrier combination according to the increase of frequency. Reversal of electric Permittivity values is induced by dipole polarization shown in the dielectric of thin film. Complex electric constant $({\varepsilon}_1,{\varepsilon}_2)$ has larger peak values as it's thickness is thinner and then it is larger according to the increase of frequency. Electric Permittivity by photon energy has large value in imaginary number and is reduced exponentially by the increase of carrier density according to that of photon energy.

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표면 에너지 제어를 통한 유기 전계 효과 트랜지스터의 전하 이동도 향상 (Improvement of Charge Carrier Mobility of Organic Field-Effect Transistors through The Surface Energy Control)

  • 김석규;김광훈;정동영;장용찬;김민지;이원호;이은호
    • 접착 및 계면
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    • 제24권2호
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    • pp.64-68
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    • 2023
  • 유기 전계효과 트랜지스터(OFETs)는 유기 반도체를 채널층으로 하여 유연한 기판에서 제작할 수 있어 차세대 전자 소자 분야에서 각광받고 있다. 특히 diketopyrrolopyrrole (DPP) 계열 고분자 반도체는 다른 유기 반도체에 비하여 전하 이동도가 높아 활발하게 활용되고 있지만 여전히 무기 반도체에 비하여 낮아, 유기반도체의 전하 이동도를 향상시키기 위한 여러 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 절연체와 고분자 반도체사이에 자가 조립 단층 박막을 형성하여 표면 에너지를 제어함으로써 고분자 반도체의 결정성을 향상시키고자 하였다. 이를 통해 고분자 박막의 결정성을 성공적으로 제어할 수 있었고, 유기 반도체의 전하 이동도를 3.57×10-3 cm2V-1s-1에서 5.12×10-2 cm2V-1s-1로 약 14배 향상시킬 수 있었다.